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    • 2. 发明专利
    • 用於高深寬比結構之移除方法
    • 用于高深宽比结构之移除方法
    • TW201826386A
    • 2018-07-16
    • TW106138881
    • 2017-11-10
    • 美商應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 徐霖XU, LIN陳智君CHEN, ZHIJUN黃 嘉瑩HUANG, JIAYIN王安川WANG, ANCHUAN
    • H01L21/3065
    • 多種示範性清潔或蝕刻方法可包括,使含氟前驅物流進半導體處理腔室的遠端電漿區域。方法可包括,在該遠端電漿區域內形成電漿,以生成該含氟前驅物的電漿流出物。該等方法亦可包括,使該等電漿流出物流進該半導體處理腔室的處理區域。基板可定位在該處理區域內,且該基板可包括暴露氧化物之區域。方法亦可包括,提供含氫前驅物至該處理區域。該等方法可進一步包括,移除至少一部分的該暴露氧化物,同時將該處理區域內的相對溼度維持在低於約50%。在移除之後,該等方法可包括,將該處理區域內的該相對溼度增加至大於50%或約50%。該等方法可進一步包括,移除額外量的該暴露氧化物。
    • 多种示范性清洁或蚀刻方法可包括,使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子区域。方法可包括,在该远程等离子区域内形成等离子,以生成该含氟前驱物的等离子流出物。该等方法亦可包括,使该等等离子流出物流进该半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在该处理区域内,且该基板可包括暴露氧化物之区域。方法亦可包括,提供含氢前驱物至该处理区域。该等方法可进一步包括,移除至少一部分的该暴露氧化物,同时将该处理区域内的相对湿度维持在低于约50%。在移除之后,该等方法可包括,将该处理区域内的该相对湿度增加至大于50%或约50%。该等方法可进一步包括,移除额外量的该暴露氧化物。