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2. 发明专利

TWI323011B 用於蝕刻具有經控制之製程結果分配的方法 METHOD FOR ETCHING HAVING A CONTROLLED DISTRIBUTION OF PROCESS RESULTS 有权
简体标题：用于蚀刻具有经控制之制程结果分配的方法 METHOD FOR ETCHING HAVING A CONTROLLED DISTRIBUTION OF PROCESS RESULTS
公开(公告)号：TWI323011B
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW095107311
申请日：2006-03-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：柯潘尼基湯瑪士J , 索多洛斯帕納葛波洛斯 , 賈尼尼可拉斯 , 包衛佛瑞德 , 沈美華 , 荷倫約翰P
IPC分类号： H01L
摘要：本發明的實施例大體上提供用來蝕刻一基材的方法。在一實施例中，該方法包括決定一基材溫度目標曲線(profile)，其對應在一基材上之蝕刻副產物的一均勻的沉積速率；偏好地調節一基材支撐件的一第一部分相對於該基材支撐件的一第二部分的溫度用以獲得在該基材上的該基材溫度目標曲線；及蝕刻在被偏好地調節之基材支撐件上的該基材。在另一實施例中，該方法包括提供一基材於一處理室中，該處理室具有一可選擇的物種分配於該處理室內，及一具有橫向溫度控制之基材支撐件，其中一由該基材支撐件所引起的溫度曲線及一物種分配選擇包含一控制參數組；用不同的控制參數組來分別蝕刻一第一物質層及蝕刻一第二物質層。 Embodiments of the present invention generally provide methods for etching a substrate. In one embodiment, the method includes determining a substrate temperature target profile that corresponds to a uniform deposition rate of etch byproduct on a substrate, preferentially regulating a temperature of a first portion of a substrate relative to a second portion of the substrate support to obtain the substrate temperature target profile on the substrate, and etching the substrate on the preferentially regulated substrate support. In another embodiment, the method includes providing a substrate in a processing chamber having a selectable distribution of species within in the processing chamber and a substrate support with lateral temperature control, wherein a temperature profile induced by the substrate support and a selection of species distribution comprises a control parameter set, etching a first layer of material and etch a second layer of material respectively different control parameter sets. 【創作特點】本發明的實施例大體上提供用來蝕刻一基材的方法。在一實施例中，該方法包括決定一基材溫度目標曲線(profile)，其對應在一基材上之蝕刻副產物的一均勻的沉積速率，優先地調節一基材支撐件的一第一部分相對於該基材支撐件的一第二部分的溫度用以獲得在該基材上的該基材溫度目標曲線，及蝕刻在該被優先地調節之基材支撐件上的該基材。
在另一實施例中，該方法包括提供一第一製程控制旋鈕用來實施一第一製程條件，其中該第一製程條件是由製程結果的一第一分配來代表；提供一第二製程控制旋鈕用來實施一第二製程條件，其中該第二製程條件是由製程結果的一第二分配來代表；將該第一及第二製程控制旋鈕兩者設定至一預定的設定，其中該第一製程控制旋鈕選擇氣體注入該處理室的位置，及該第二製程控制旋鈕選擇該基材支撐件的溫度曲線。
在另一實施例中，該方法包括提供一基材至一處理室中，該處理室具有一可選擇的物種分配於該處理室內，及一具有橫向溫度控制之基材支撐件，其中一由該基材支撐件所引起的溫度曲線及物種分配選擇包含一控制參數組，用一第一控制參數組蝕刻一第一物質層，及用第二控制參數組蝕刻第二物質層，其中該第一及第二參數組不相同。
简体摘要：本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上之蚀刻副产物的一均匀的沉积速率；偏好地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线；及蚀刻在被偏好地调节之基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一基材于一处理室中，该处理室具有一可选择的物种分配于该处理室内，及一具有横向温度控制之基材支撑件，其中一由该基材支撑件所引起的温度曲线及一物种分配选择包含一控制参数组；用不同的控制参数组来分别蚀刻一第一物质层及蚀刻一第二物质层。 Embodiments of the present invention generally provide methods for etching a substrate. In one embodiment, the method includes determining a substrate temperature target profile that corresponds to a uniform deposition rate of etch byproduct on a substrate, preferentially regulating a temperature of a first portion of a substrate relative to a second portion of the substrate support to obtain the substrate temperature target profile on the substrate, and etching the substrate on the preferentially regulated substrate support. In another embodiment, the method includes providing a substrate in a processing chamber having a selectable distribution of species within in the processing chamber and a substrate support with lateral temperature control, wherein a temperature profile induced by the substrate support and a selection of species distribution comprises a control parameter set, etching a first layer of material and etch a second layer of material respectively different control parameter sets. 【创作特点】本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上之蚀刻副产物的一均匀的沉积速率，优先地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线，及蚀刻在该被优先地调节之基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一第一制程控制旋钮用来实施一第一制程条件，其中该第一制程条件是由制程结果的一第一分配来代表；提供一第二制程控制旋钮用来实施一第二制程条件，其中该第二制程条件是由制程结果的一第二分配来代表；将该第一及第二制程控制旋钮两者设置至一预定的设置，其中该第一制程控制旋钮选择气体注入该处理室的位置，及该第二制程控制旋钮选择该基材支撑件的温度曲线。在另一实施例中，该方法包括提供一基材至一处理室中，该处理室具有一可选择的物种分配于该处理室内，及一具有横向温度控制之基材支撑件，其中一由该基材支撑件所引起的温度曲线及物种分配选择包含一控制参数组，用一第一控制参数组蚀刻一第一物质层，及用第二控制参数组蚀刻第二物质层，其中该第一及第二参数组不相同。

3. 发明专利

TWI344321B 使用雙頻率射頻訊號之電漿產生與控制 PLASMA GENERATION AND CONTROL USING DUAL FREQUENCY RF SIGNALS 失效
简体标题：使用双频率射频信号之等离子产生与控制 PLASMA GENERATION AND CONTROL USING DUAL FREQUENCY RF SIGNALS
公开(公告)号：TWI344321B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW095116153
申请日：2006-05-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：薛儂史蒂芬C , 彼得森亞歷桑德 , 索多洛斯帕納葛波洛斯 , 荷倫約翰P , 葛林馬特丹尼斯 , 霍夫曼丹尼爾
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32082 , H01J37/32431
摘要：本案提供一種用以控制一半導體基材處理室內之一電漿的方法。該方法包含：施加於第一頻率之第一RF信號給在處理室內之第一電極，該第一頻率係被選擇以使得電漿鞘層振盪於第一頻率；及由電源施加於第二頻率之第二RF信號給第一電極，該第二頻率係被選擇以使得電漿鞘層振盪於第二頻率，其中第二頻率係與第一頻率差別有一等於想要頻率之差值，該想要頻率被選擇以使得電漿鞘層振盪於該想要頻率。
简体摘要：本案提供一种用以控制一半导体基材处理室内之一等离子的方法。该方法包含：施加于第一频率之第一RF信号给在处理室内之第一电极，该第一频率系被选择以使得等离子鞘层振荡于第一频率；及由电源施加于第二频率之第二RF信号给第一电极，该第二频率系被选择以使得等离子鞘层振荡于第二频率，其中第二频率系与第一频率差别有一等于想要频率之差值，该想要频率被选择以使得等离子鞘层振荡于该想要频率。

5. 发明专利

TW201250833A 適於蝕刻高深寬比特徵結構之真空處理室以及其組件 VACUUM PROCESSING CHAMBER SUITABLE FOR ETCHING HIGH ASPECT RATIO FEATURES AND COMPONENTS OF SAME 审中-公开
简体标题：适于蚀刻高深宽比特征结构之真空处理室以及其组件 VACUUM PROCESSING CHAMBER SUITABLE FOR ETCHING HIGH ASPECT RATIO FEATURES AND COMPONENTS OF SAME
公开(公告)号：TW201250833A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101127249
申请日：2007-05-02
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕馬西沙瑪 , 道彗奇 , 周逍平 , 麥克唐諾凱利A , 迪內夫吉可 , 阿保馬利費立德 , 古特瑞茲大衛E , 何忠義吉姆 , 克拉克羅伯S , 古沙丹尼斯M , 迪茲傑弗瑞威廉 , 史甘蘭迪克蘭 , 戴希繆克沙珊克 , 荷倫約翰P , 彼得森亞歷桑德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02002 , H01J37/32477 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/6831
摘要：本發明之實施例提供一種適用於蝕刻高深寬比特徵結構(high aspect ratio feature)之方法與設備(如:處理室)。於其他實施例中,係揭露多種腔室組件以在高深寬比蝕刻過程中呈現良好處理結果。舉例來說,於一實施例中,係提供包括腔室主體之處理室,而腔室主體包括設置於其內之噴氣頭組件及基材支撐組件。噴氣頭組件包括至少二流體分離之充氣部、一可傳遞光學計量訊號之部位,以及複數個穿設於噴氣頭組件之氣體通道,其係將該些充氣部流體連接至腔室主體之內部空間。於其他實施例中,係提供具新穎性之陰極襯墊、上方外部襯墊、下方外部襯墊、基材支撐組件、上蓋組件、噴氣頭組件以及石英環至少其中一者,以利於高深寬比特徵結構之電漿蝕刻。
简体摘要：本发明之实施例提供一种适用于蚀刻高深宽比特征结构(high aspect ratio feature)之方法与设备(如:处理室)。于其他实施例中,系揭露多种腔室组件以在高深宽比蚀刻过程中呈现良好处理结果。举例来说,于一实施例中,系提供包括腔室主体之处理室,而腔室主体包括设置于其内之喷气头组件及基材支撑组件。喷气头组件包括至少二流体分离之充气部、一可传递光学计量信号之部位,以及复数个穿设于喷气头组件之气体信道,其系将该些充气部流体连接至腔室主体之内部空间。于其他实施例中,系提供具新颖性之阴极衬垫、上方外部衬垫、下方外部衬垫、基材支撑组件、上盖组件、喷气头组件以及石英环至少其中一者,以利于高深宽比特征结构之等离子蚀刻。

6. 发明专利

TWI459471B 使用低能量電漿系統製造高介質常數電晶體閘極的方法與設備有权
简体标题：使用低能量等离子系统制造高介质常数晶体管闸极的方法与设备
公开(公告)号：TWI459471B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW097107373
申请日：2008-03-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奧森克里斯多夫尚恩 , OLSEN, CHRISTOPHER SEAN , 蔡泰正 , CHUA, THAI CHENG , 洪史帝芬 , HUNG, STEVEN , 劉派翠西亞M , LIU, PATRICIA M. , 佐藤達也 , SATO, TATSUYA , 派特森艾利克斯M , PATERSON, ALEX M. , 托多羅瓦倫汀 , TODOROW, VALENTIN , 荷倫約翰P , HOLLAND, JOHN P.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/20

7. 发明专利

TWI423333B 利用低能量電漿系統製造高介電常數電晶體閘極之方法及設備有权
简体标题：利用低能量等离子系统制造高介电常数晶体管闸极之方法及设备
公开(公告)号：TWI423333B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW096107652
申请日：2007-03-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 , CHUA, THAI CHENG , 洪史帝芬 , HUNG, STEVEN , 劉派翠西亞M , LIU, PATRICIA M. , 佐藤達也 , SATO, TATSUYA , 派特森艾利克斯M , PATERSON, ALEX M. , 托多羅夫瓦倫汀 , TODOROV, VALENTIN , 荷倫約翰P , HOLLAND, JOHN P.
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32082 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/31155 , H01L21/3144 , H01L21/316 , H01L21/31683 , H01L29/517

8. 发明专利

TWI376731B 電漿反應器中離子密度、離子能量分佈及離子解離之獨立控制 INDEPENDENT CONTROL OF ION DENSITY, ION ENERGY DISTRIBUTION AND ION DISSOCIATION IN A PLASMA REACTOR 有权
简体标题：等离子反应器中离子密度、离子能量分布及离子解离之独立控制 INDEPENDENT CONTROL OF ION DENSITY, ION ENERGY DISTRIBUTION AND ION DISSOCIATION IN A PLASMA REACTOR
公开(公告)号：TWI376731B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW095136928
申请日：2006-10-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：荷倫約翰P , 霍夫曼丹尼爾J
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01L21/67069
摘要：本發明係為一種在電漿反應器中處理工件的方法，包括：將來自具有三個各自頻率的至少三個RF功率源的RF功率耦合到反應器中的電漿；藉由選擇介於至少三個RF功率源中的第一對RF功率源的功率層級之間的比率而設定離子能量分佈形態；並且藉由選擇介於至少三個RF功率源中的第二對RF功率源的功率層級之間的比率而設定離子解離和離子密度。所述三個頻率可以是LF頻率、HF頻率或VHF頻率，其中所述第一對RF功率源相應於LF頻率和HF頻率，而第二對RF功率源相應於HF頻率和VHF頻率。另外，所述功率源包含四個RF功率源，其中第一對RF功率源相應於HF頻率和LF頻率，而第二對RF功率源相應於VHF頻率。
简体摘要：本发明系为一种在等离子反应器中处理工件的方法，包括：将来自具有三个各自频率的至少三个RF功率源的RF功率耦合到反应器中的等离子；借由选择介于至少三个RF功率源中的第一对RF功率源的功率层级之间的比率而设置离子能量分布形态；并且借由选择介于至少三个RF功率源中的第二对RF功率源的功率层级之间的比率而设置离子解离和离子密度。所述三个频率可以是LF频率、HF频率或VHF频率，其中所述第一对RF功率源相应于LF频率和HF频率，而第二对RF功率源相应于HF频率和VHF频率。另外，所述功率源包含四个RF功率源，其中第一对RF功率源相应于HF频率和LF频率，而第二对RF功率源相应于VHF频率。

9. 发明专利

TWI358198B 電漿反應器加熱靜電吸座用之高交流電高ＲＦ功率之ＡＣ-ＲＦ去耦合濾波器 HIGH AC CURRENT HIGH RF POWER AC-RF DECOUPLING FILTER FOR PLASMA REACTOR HEATED ELECTROSTATIC CHUCK 有权
简体标题：等离子反应器加热静电吸座用之高交流电高ＲＦ功率之ＡＣ-ＲＦ去耦合滤波器 HIGH AC CURRENT HIGH RF POWER AC-RF DECOUPLING FILTER FOR PLASMA REACTOR HEATED ELECTROSTATIC CHUCK
公开(公告)号：TWI358198B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW096113821
申请日：2007-04-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：杜德羅范倫提N , 威爾維斯麥克D , 派特森亞歷山大M , 海契布萊恩K , 塞蒙斯詹姆斯E 三世 , 荷倫約翰P
IPC分类号： H03H , H01L
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32706 , H03H1/0007
摘要：本發明公開了一種射頻阻斷濾波器，其隔絕兩相交流電功率源以及至少2千伏特峰值對峰值的高頻功率，該高頻功率係反應性耦合至電阻加熱元件。濾波器同時將來自兩相交流電源的數千瓦之60Hz的交流電功率提供給電阻加熱元件，而不會產生過熱現象。兩相交流電功率源具有一對接頭，並且電阻加熱元件亦具有一對接頭。濾波器包括：一對圓柱形的非導電封套，各個封套之內徑介於約1到2英寸之間；以及各自為複數個之熔融鐵粉的環形線圈，該些環形線圈係同軸堆疊在該對圓柱形封套的各個封套中，並且具有大約10的磁性滲透率，其中環形線圈的外徑與各個封套的內徑大致相同。一對直徑在3毫米到3.5毫米之間的金屬線導體係螺旋狀地纏繞在其相應之該對封套之一上，從而針對各個封套形成匝數介於約16匝到24匝範圍內的各自電感器線圈，各個導體具有輸入端和輸出端。
简体摘要：本发明公开了一种射频阻断滤波器，其隔绝两相交流电功率源以及至少2千伏特峰值对峰值的高频功率，该高频功率系反应性耦合至电阻加热组件。滤波器同时将来自两相交流电源的数千瓦之60Hz的交流电功率提供给电阻加热组件，而不会产生过热现象。两相交流电功率源具有一对接头，并且电阻加热组件亦具有一对接头。滤波器包括：一对圆柱形的非导电封套，各个封套之内径介于约1到2英寸之间；以及各自为复数个之熔融铁粉的环形线圈，该些环形线圈系同轴堆栈在该对圆柱形封套的各个封套中，并且具有大约10的磁性渗透率，其中环形线圈的外径与各个封套的内径大致相同。一对直径在3毫米到3.5毫米之间的金属线导体系螺旋状地缠绕在其相应之该对封套之一上，从而针对各个封套形成匝数介于约16匝到24匝范围内的各自电感器线圈，各个导体具有输入端和输出端。

10. 发明专利

TW200949124A 控制製程腔室中氣體注射之方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING GAS INJECTION IN PROCESS CHAMBER 审中-公开
简体标题：控制制程腔室中气体注射之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING GAS INJECTION IN PROCESS CHAMBER
公开(公告)号：TW200949124A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098109252
申请日：2009-03-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕納葛波洛斯索多洛斯 , 派特森亞歷山大 , 荷倫約翰P , 卡茲丹 , 韓蒙得五世愛德華P
IPC分类号： F17D , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明提出用以處理基板之方法與設備。在某些具體實施例中，氣體分配設備可包含：多個氣體入口，其經配置可將處理氣體供應至製程腔室；以及多個流量控制器，其具有與該些氣體入口耦接之多個出口，用以獨立地控制流經該些氣體入口之每一者的流速。氣體分配設備可耦接至一製程腔室，以控制供應至該處之一或更多種處理氣體的供應。
简体摘要：本发明提出用以处理基板之方法与设备。在某些具体实施例中，气体分配设备可包含：多个气体入口，其经配置可将处理气体供应至制程腔室；以及多个流量控制器，其具有与该些气体入口耦接之多个出口，用以独立地控制流经该些气体入口之每一者的流速。气体分配设备可耦接至一制程腔室，以控制供应至该处之一或更多种处理气体的供应。

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