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1. 发明专利

TWI697954B 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統有权
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TWI697954B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065

2. 发明专利

TW201907755A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201907755A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

3. 发明专利

TW201820398A 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法审中-公开
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TW201820398A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：提供用於控制濕氣污染物造成之製程缺陷的系統、腔室及製程。系統可提供用於腔室之設置以在真空或受控環境中施行多項操作。腔室可包括組合腔室設計中之設置以提供附加處理功能。方法可提供對老化缺陷之限制、防止及修正，該等老化缺陷可由系統工具施行之蝕刻製程造成。
简体摘要：提供用于控制湿气污染物造成之制程缺陷的系统、腔室及制程。系统可提供用于腔室之设置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中之设置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷之限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行之蚀刻制程造成。

4. 发明专利

TWI688312B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI688312B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI676205B 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法有权
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TWI676205B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32

6. 发明专利

TW201826886A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201826886A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

7. 发明专利

TW201812988A 具有多區溫度控制及多重清潔能力的基座审中-公开
简体标题：具有多区温度控制及多重清洁能力的基座
公开(公告)号：TW201812988A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106134685
申请日：2013-07-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 楊章喬 , YANG,JANG-GYOO , 譚亞歷克斯 , TAM,ALEX , 譚艾利沙 , TAM,ELISHA
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67103 , F28D15/00 , H01L21/67109
摘要：用於一半導體製程處理設備的基板支撐組件揭示於此。該等組件可包括一基座及與該基座連結的一主桿。該基座可被配置以提供多重區域，該多重區域具有獨立控制的溫度。每一區域可包括一流體通道，藉由循環一溫度控制流體，以在該區域內提供一實質上均勻的溫度控制，該溫度控制流體接收自該主桿內之內通道並傳送回該內通道。該等流體通道可包括多重部分，該多重部分設置於一平行反向流安設方式中。該基座也可包括流體清潔通道，該等清潔通道可被配置於該基座的該等區域間以提供熱隔絕。
简体摘要：用于一半导体制程处理设备的基板支撑组件揭示于此。该等组件可包括一基座及与该基座链接的一主杆。该基座可被配置以提供多重区域，该多重区域具有独立控制的温度。每一区域可包括一流体信道，借由循环一温度控制流体，以在该区域内提供一实质上均匀的温度控制，该温度控制流体接收自该主杆内之内信道并发送回该内信道。该等流体信道可包括多重部分，该多重部分设置于一平行反向流安设方式中。该基座也可包括流体清洁信道，该等清洁信道可被配置于该基座的该等区域间以提供热隔绝。

8. 发明专利

TWI694749B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI694749B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

9. 发明专利

TW201921490A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201921490A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域與腔室之處理區域分開及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域与腔室之处理区域分开及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

10. 发明专利

TWI650815B 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統有权
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TWI650815B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106136488
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065

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