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1. 发明专利

TW202018895A 表面聲波濾波器封裝結構及其製作方法审中-公开
简体标题：表面声波滤波器封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TW202018895A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107139798
申请日：2018-11-09
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/31
摘要：一種表面聲波濾波器封裝結構，其包括一介電基板，具有一介電層、一第一圖案化導電層、一第二圖案化導電層及一導電連接層，其中導電連接層係設於介電層內，並且電性連接分設於介電層二側之第一圖案化導電層及第二圖案化導電層，且第二圖案化導電層至少具有一指叉電極部；一晶片，係以主動面面對於指叉電極部而設置；一高分子密封框體，係設置於晶片與介電基板之間，並圍設於晶片周緣，以與晶片及介電基板共同形成一密閉腔體；模封層係設置於介電基板之上，並且覆蓋晶片及高分子密封框體。本發明復提供表面聲波濾波器封裝結構之製法。
简体摘要：一种表面声波滤波器封装结构，其包括一介电基板，具有一介电层、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层及一导电连接层，其中导电连接层系设于介电层内，并且电性连接分设于介电层二侧之第一图案化导电层及第二图案化导电层，且第二图案化导电层至少具有一指叉电极部；一芯片，系以主动面面对于指叉电极部而设置；一高分子密封框体，系设置于芯片与介电基板之间，并围设于芯片周缘，以与芯片及介电基板共同形成一密闭腔体；模封层系设置于介电基板之上，并且覆盖芯片及高分子密封框体。本发明复提供表面声波滤波器封装结构之制法。

2. 发明专利

TW201810458A 封裝基板及其製法审中-公开
简体标题：封装基板及其制法
公开(公告)号：TW201810458A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105115936
申请日：2016-05-23
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 劉晉銘 , LIU, CHIN MING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：一種封裝基板，係包括：一絕緣層、複數嵌設於該絕緣層上且包含有柱體與電性連接墊之導電凸塊、以及嵌埋於該絕緣層中並電性連接該些導電凸塊之複數導電柱，各該柱體係外露該絕緣層，且該些電性連接墊係嵌埋於該絕緣層中，其中，該柱體之寬度係小於該電性連接墊之寬度，以藉由將該些導電凸塊形成於該封裝基板上而有利於後續與半導體晶片之結合。本發明復提供該封裝基板之製法。
简体摘要：一种封装基板，系包括：一绝缘层、复数嵌设于该绝缘层上且包含有柱体与电性连接垫之导电凸块、以及嵌埋于该绝缘层中并电性连接该些导电凸块之复数导电柱，各该柱体系外露该绝缘层，且该些电性连接垫系嵌埋于该绝缘层中，其中，该柱体之宽度系小于该电性连接垫之宽度，以借由将该些导电凸块形成于该封装基板上而有利于后续与半导体芯片之结合。本发明复提供该封装基板之制法。

3. 发明专利

TWI618213B 嵌埋式封裝結構有权
简体标题：嵌埋式封装结构
公开(公告)号：TWI618213B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105140346
申请日：2015-08-05
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/552 , H05K1/18
CPC分类号： H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/73259 , H01L2224/82 , H01L2924/19105

4. 发明专利

TWI611544B 電子封裝結構有权
简体标题：电子封装结构
公开(公告)号：TWI611544B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104101444
申请日：2015-01-16
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/73259

5. 发明专利

TWI601460B 基板結構有权
简体标题：基板结构
公开(公告)号：TWI601460B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104102065
申请日：2015-01-22
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：周保宏 , CHOU, PAOHUNG , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H05K1/18 , H01L23/12 , H01L23/13

6. 发明专利

TW201714268A 嵌埋式封裝結構审中-公开
简体标题：嵌埋式封装结构
公开(公告)号：TW201714268A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105140346
申请日：2015-08-05
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/552 , H05K1/18
CPC分类号： H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/73259 , H01L2224/82 , H01L2924/19105
摘要：一種嵌埋式封裝結構包括一第一介電層、一第一導電圖案層、一第一導電柱層、一電子元件、一第二介電層、一第二導電圖案層以及一第二導電柱層。第一導電圖案層、第一導電柱層及電子元件係設置於第一介電層中。第一導電圖案層之一表面係露出於第一介電層之一第一表面。第一導電柱層之一表面係露出於第一介電層之一第二表面。第二導電圖案層及第二導電柱層係設置於第二介電層中。第二導電圖案層之一表面係露出於第二介電層之一第三表面，而與露出於第二表面之第一導電柱層電性連接。第二導電柱層之一表面係露出於該第二介電層之該第四表面。
简体摘要：一种嵌埋式封装结构包括一第一介电层、一第一导电图案层、一第一导电柱层、一电子组件、一第二介电层、一第二导电图案层以及一第二导电柱层。第一导电图案层、第一导电柱层及电子组件系设置于第一介电层中。第一导电图案层之一表面系露出于第一介电层之一第一表面。第一导电柱层之一表面系露出于第一介电层之一第二表面。第二导电图案层及第二导电柱层系设置于第二介电层中。第二导电图案层之一表面系露出于第二介电层之一第三表面，而与露出于第二表面之第一导电柱层电性连接。第二导电柱层之一表面系露出于该第二介电层之该第四表面。

7. 发明专利

TWI569368B 封裝基板、包含該封裝基板的封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装基板、包含该封装基板的封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI569368B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104107240
申请日：2015-03-06
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：余俊賢 , YU, CHUN HSIEN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/4985 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49861

8. 发明专利

TWI559464B 封裝模組及其基板結構有权
简体标题：封装模块及其基板结构
公开(公告)号：TWI559464B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104107867
申请日：2015-03-12
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：余俊賢 , YU, CHUN HSIEN , 胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

9. 发明专利

TWI558288B 中介基板及其製法有权
简体标题：中介基板及其制法
公开(公告)号：TWI558288B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103131118
申请日：2014-09-10
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：周保宏 , CHOU, PAOHUNG , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： H05K3/10 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/4846 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201633455A 封裝基板、包含該封裝基板的封裝結構及其製作方法审中-公开
简体标题：封装基板、包含该封装基板的封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201633455A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107240
申请日：2015-03-06
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：余俊賢 , YU, CHUN HSIEN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/4985 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49861
摘要：本發明揭示一種封裝基板、包含該封裝基板的封裝結構及其製作方法。該封裝基板包括：一第一導線層，包含一第一金屬走線及圍繞該第一金屬走線的一第一介電材料層；一導電柱層，形成於該第一導線層上，並包含連接該第一金屬走線的一第一金屬柱狀物及圍繞該第一金屬柱狀物的一鑄模化合物層；一柔性材料層，形成於該導電柱層上，並包含形成於該第一金屬柱狀物上以露出該第一金屬柱狀物的一第一開口；以及一第二導線層，形成於該導電柱層上，並包含透過該第一開口而連接該第一金屬柱狀物的一第二金屬走線、形成於該第二金屬走線上的一第二金屬柱狀物、及圍繞該第二金屬走線與該第二金屬柱狀物的一保護層。
简体摘要：本发明揭示一种封装基板、包含该封装基板的封装结构及其制作方法。该封装基板包括：一第一导线层，包含一第一金属走线及围绕该第一金属走线的一第一介电材料层；一导电柱层，形成于该第一导线层上，并包含连接该第一金属走线的一第一金属柱状物及围绕该第一金属柱状物的一铸模化合物层；一柔性材料层，形成于该导电柱层上，并包含形成于该第一金属柱状物上以露出该第一金属柱状物的一第一开口；以及一第二导线层，形成于该导电柱层上，并包含透过该第一开口而连接该第一金属柱状物的一第二金属走线、形成于该第二金属走在线的一第二金属柱状物、及围绕该第二金属走线与该第二金属柱状物的一保护层。

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