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1. 发明专利

TW201907497A 以大板面製程製作晶粒凸塊結構之方法审中-公开
简体标题：以大板面制程制作晶粒凸块结构之方法
公开(公告)号：TW201907497A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW106122840
申请日：2017-07-07
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 郭同堯 , KUO, TUNG YAO
IPC分类号： H01L21/60
摘要：一種以大板面製程製作晶粒凸塊結構之方法，包括：提供集合載板；於集合載板上固定複數個半導體晶粒，且半導體晶粒上具有金屬電極墊與絕緣保護層，絕緣保護層暴露出金屬電極墊；進行無電電鍍製程，以於金屬電極墊上形成球底金屬層。本發明可簡化半導體晶粒之電性連接加工製程且易於實施，具有產出快且降低製造成本之功效。
简体摘要：一种以大板面制程制作晶粒凸块结构之方法，包括：提供集合载板；于集合载板上固定复数个半导体晶粒，且半导体晶粒上具有金属电极垫与绝缘保护层，绝缘保护层暴露出金属电极垫；进行无电电镀制程，以于金属电极垫上形成球底金属层。本发明可简化半导体晶粒之电性连接加工制程且易于实施，具有产出快且降低制造成本之功效。

2. 发明专利

TWI618206B 半導體封裝結構及其製作方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI618206B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106119241
申请日：2017-06-09
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/50

3. 发明专利

TW201733032A 封裝基板审中-公开
简体标题：封装基板
公开(公告)号：TW201733032A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107072
申请日：2016-03-08
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/12
摘要：本發明揭示一種封裝基板，其包括：一第一電路層，包含至少一第一金屬走線、至少一第一金屬柱狀物、及一圍繞該至少一第一金屬走線與該至少一第一金屬柱狀物的第一介電材料；以及一第二電路層，設置於該第一電路層上，並包含至少一第二金屬走線、至少一第二金屬柱狀物、及一圍繞該至少一第二金屬走線與該至少一第二金屬柱狀物的第二介電材料；其中，該第一介電材料與該第二介電材料皆包含二氧化矽、環氧樹酯、及環氧樹酯以外的高分子材料，且該第二介電材料的二氧化矽含量百分比大於該第一介電材料的二氧化矽含量百分比。
简体摘要：本发明揭示一种封装基板，其包括：一第一电路层，包含至少一第一金属走线、至少一第一金属柱状物、及一围绕该至少一第一金属走线与该至少一第一金属柱状物的第一介电材料；以及一第二电路层，设置于该第一电路层上，并包含至少一第二金属走线、至少一第二金属柱状物、及一围绕该至少一第二金属走线与该至少一第二金属柱状物的第二介电材料；其中，该第一介电材料与该第二介电材料皆包含二氧化硅、环氧树酯、及环氧树酯以外的高分子材料，且该第二介电材料的二氧化硅含量百分比大于该第一介电材料的二氧化硅含量百分比。

4. 发明专利

TW201719807A 封裝裝置及其導線架及導線架之製造方法审中-公开
简体标题：封装设备及其导线架及导线架之制造方法
公开(公告)号：TW201719807A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139311
申请日：2015-11-26
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳玟琳 , CHEN, WEN LIN , 曾昭崇 , TSENG, CHAO TSUNG , 蔡憲銘 , TSAI, HSIEN MING , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/552
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種導線架的製造方法，包括於一載板之一表面形成一第一圖案化光阻層及一圖案化導線層；於第一圖案化光阻層及圖案化導線層上形成一第二圖案化光阻層及一圖案化導電柱層；移除第一圖案化光阻層及第二圖案化光阻層，並於對應位置中形成一介電材料層；移除載板以暴露原與載板接觸之圖案化導線層及介電材料層；於原與載板接觸之圖案化導線層及介電材料層上形成一第三圖案化光阻層；透過第三圖案化光阻層移除部分之圖案化導線層以及部分之圖案化導電柱層，以形成一干擾消除槽；以及移除第三圖案化光阻層。本發明亦揭露一種封裝裝置及其導線架。
简体摘要：一种导线架的制造方法，包括于一载板之一表面形成一第一图案化光阻层及一图案化导线层；于第一图案化光阻层及图案化导线层上形成一第二图案化光阻层及一图案化导电柱层；移除第一图案化光阻层及第二图案化光阻层，并于对应位置中形成一介电材料层；移除载板以暴露原与载板接触之图案化导线层及介电材料层；于原与载板接触之图案化导线层及介电材料层上形成一第三图案化光阻层；透过第三图案化光阻层移除部分之图案化导线层以及部分之图案化导电柱层，以形成一干扰消除槽；以及移除第三图案化光阻层。本发明亦揭露一种封装设备及其导线架。

5. 发明专利

TWI567843B 封裝基板及其製法有权
简体标题：封装基板及其制法
公开(公告)号：TWI567843B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW105115936
申请日：2016-05-23
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 劉晉銘 , LIU, CHIN MING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012

6. 发明专利

TWI552657B 中介基板及其製法有权
简体标题：中介基板及其制法
公开(公告)号：TWI552657B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103141924
申请日：2014-12-03
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H05K3/10

7. 发明专利

TWI550745B 封裝基板及其製作方法有权
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI550745B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104124564
申请日：2015-07-29
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHEWEI , 許詩濱 , HSU, SHIHPING , 周保宏 , CHOU, PAOHUNG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/522

8. 发明专利

TW201601227A 封裝方法审中-公开
简体标题：封装方法
公开(公告)号：TW201601227A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103120749
申请日：2014-06-16
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L23/295 , H01L23/49827 , H01L23/49861 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2224/13147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106
摘要：一種封裝方法，其步驟包括：提供一金屬承載板，其具有相對之一第一表面與一第二表面；形成一第一導線層於金屬承載板之第二表面上；形成一第一導電柱層於第一導線層上；形成一介電材料層包覆第一導線層、第一導電柱層與金屬承載板之第二表面；露出第一導電柱層之一端；形成一第二導線層於露出之第一導電柱層之一端上；形成一防焊層於介電材料層與第二導線層上；移除金屬承載板。
简体摘要：一种封装方法，其步骤包括：提供一金属承载板，其具有相对之一第一表面与一第二表面；形成一第一导线层于金属承载板之第二表面上；形成一第一导电柱层于第一导线层上；形成一介电材料层包覆第一导线层、第一导电柱层与金属承载板之第二表面；露出第一导电柱层之一端；形成一第二导线层于露出之第一导电柱层之一端上；形成一防焊层于介电材料层与第二导线层上；移除金属承载板。

9. 发明专利

TWI682513B 半導體封裝結構及其製造方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI682513B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW108106686
申请日：2019-02-27
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/31

10. 发明专利

TWI680547B 半導體封裝結構及其製作方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI680547B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107140747
申请日：2018-11-16
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 曾昭崇 , TSENG, CHAO TSUNG
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/34

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