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1. 发明专利

TWI431367B 一種簡易低成本擴散膜之製造方法有权
简体标题：一种简易低成本扩散膜之制造方法
公开(公告)号：TWI431367B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096100760
申请日：2007-01-09
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, M.N.D.
发明人：蕭章能 , SHAUO, CHANG NENG , 施修正 , SHY, HSIOU JENG , 吳憲明 , WU, HSIEN MING , 黃宏芳 , HUANG, HUNG FANG , 許文榮 , SHU, WEN YUNG
IPC分类号： G02F1/1335

2. 发明专利

TWI427185B 塑膠粒子披覆金屬之製備方法有权
简体标题：塑胶粒子披覆金属之制备方法
公开(公告)号：TWI427185B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099127838
申请日：2010-08-20
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, M.N.D.
发明人：陳彥仲 , 黃宏芳 , 施修正 , 葉盛旺 , 翁仁斌 , 葛明德
IPC分类号： C23C18/20 , C23C18/48

3. 发明专利

TW201425593A 一種利用超音波萃取及熱處理除去鎵中雜質的方法审中-公开
简体标题：一种利用超音波萃取及热处理除去镓中杂质的方法
公开(公告)号：TW201425593A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148035
申请日：2012-12-18
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS, BUREAU, MINISTRY OF NATIONAL DEFENSE
发明人：陳麗娟 , CHEN, LI JIUAN , 黃宏芳 , HUANG, HONG FANG , 陳彥仲 , CHEN, YEH CHUNG , 施修正 , SHY, HSIOU JENG , 楊先仁 , YANG, SHIEN JEN
IPC分类号： C22B58/00 , C22B9/02 , C22B9/16
CPC分类号： Y02P10/234
摘要：本發明係一種利用超音波萃取及熱處理除去鎵中雜質的方法，係用於提高萃取金屬鎵純度的方法，其方法係利用超音波震盪法及熱處理法以獲得高純度之金屬鎵，在利用酸液做為萃取液進行超音波震盪時，由於超音波所產生的空穴效應讓鎵中的其他金屬雜質能夠較有效率的溶入酸液中，可以達到去雜提純金屬鎵的效果。此外，熱處理程序則可以使得沸點或昇華點較低的金屬在高溫的環境下被帶走，金屬鎵的純度也因而能夠提高。
简体摘要：本发明系一种利用超音波萃取及热处理除去镓中杂质的方法，系用于提高萃取金属镓纯度的方法，其方法系利用超音波震荡法及热处理法以获得高纯度之金属镓，在利用酸液做为萃取液进行超音波震荡时，由于超音波所产生的空穴效应让镓中的其他金属杂质能够较有效率的溶入酸液中，可以达到去杂提纯金属镓的效果。此外，热处理进程则可以使得沸点或升华点较低的金属在高温的环境下被带走，金属镓的纯度也因而能够提高。

4. 发明专利

TWI427088B 一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法有权
简体标题：一种奈米级聚甲基丙烯酸甲酯粒子的制作方法
公开(公告)号：TWI427088B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099143886
申请日：2010-12-15
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, MINISTRY OF NATIONAL DEFENSE
发明人：陳彥仲 , CHEN, YEN CHUNG , 張智凱 , CHANG, CHIH KAI , 施修正 , SHY, HAIOU JENG , 黃宏芳 , HUANG, HUNG FANG , 簡邱堂 , CHIEN, CHIU TANG , 葛明德 , GER, MING DER
IPC分类号： C08F20/14 , C08F2/46 , C08J3/12

5. 发明专利

TW201321559A 非氰系銀電鍍液組成物审中-公开
简体标题：非氰系银电镀液组成物
公开(公告)号：TW201321559A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143211
申请日：2011-11-24
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳麗娟 , 黃宏芳 , 左清宇 , 施修正 , 黃建和
IPC分类号： C25D3/46
摘要：一種非氰系銀電鍍液組成物，其係包括濃度介於2g/l至80g/l之間之可溶性銀鹽(Silver Salt)、濃度介於2g/l至250g/l之間之非氰系配位根、以及濃度介於0.05g/l至1.2g/l之間之陰極表面調整劑，其中該非氰系銀電鍍液組成物之pH值係介於7至11之間，且其操作溫度係介於10至70℃之間。本發明係於非氰系之銀鹽與銀離子之配位根配製之非氰系銀電鍍液中添加適量陰極表面調整劑，除了將改善電鍍溶液之pH值下降問題而能提升銀鍍層之緻密性與其附著性，亦能明顯地提升可用之電流密度，使銀電鍍之電鍍速率也能提升，以快速地獲取較優質銀電鍍層，進而達成快速非氰系銀電鍍之實用目的。
简体摘要：一种非氰系银电镀液组成物，其系包括浓度介于2g/l至80g/l之间之可溶性银盐(Silver Salt)、浓度介于2g/l至250g/l之间之非氰系配位根、以及浓度介于0.05g/l至1.2g/l之间之阴极表面调整剂，其中该非氰系银电镀液组成物之pH值系介于7至11之间，且其操作温度系介于10至70℃之间。本发明系于非氰系之银盐与银离子之配位根配制之非氰系银电镀液中添加适量阴极表面调整剂，除了将改善电镀溶液之pH值下降问题而能提升银镀层之致密性与其附着性，亦能明显地提升可用之电流密度，使银电镀之电镀速率也能提升，以快速地获取较优质银电镀层，进而达成快速非氰系银电镀之实用目的。

6. 发明专利

TWI388603B 聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化矽的製備方法有权
简体标题：聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化硅的制备方法
公开(公告)号：TWI388603B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098122328
申请日：2009-07-01
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, MINISTRY OF NATIONAL DEFENSE
发明人：施修正 , SHY, HSIOU JENG , 葛明德 , GER, MING DER , 黃宏芳 , HUANG, HUNG FANG , 葉盛旺 , YEH, SHANG WANQ , 陳彥仲 , CHEN, YEN CHUNG
IPC分类号： C08K9/06 , C08K3/36 , C08L33/10

7. 发明专利

TW201209221A 塑膠粒子披覆金屬之製備方法审中-公开
简体标题：塑胶粒子披覆金属之制备方法
公开(公告)号：TW201209221A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW099127838
申请日：2010-08-20
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：陳彥仲 , 黃宏芳 , 施修正 , 葉盛旺 , 翁仁斌 , 葛明德
IPC分类号： C23C
摘要：本發明係有關於一種塑膠粒子披覆金屬之製備方法，首先混合複數個塑膠粒子與一錫鈀溶液為一第一混合液；或者，混合複數個塑膠粒子與一氯化亞錫/鹽酸溶液，之後混合吸附複數個亞錫離子之複數個塑膠粒子與一氯化鈀/鹽酸溶液為一第一混合液。之後微波第一混合液，使錫鈀膠體粒子包覆於塑膠粒子為第一金屬粒子，接著與一無電鍍鎳溶液混合為第二混合液，使金屬鎳包覆第一金屬粒子為複數個第二金屬粒子。藉由微波活化塑膠粒子表面上所吸附之錫鈀膠體粒子，使塑膠粒子表面之金屬鍍層的附著力增加，進而減少金屬鍍層粗糙或容易剝落之情形。
简体摘要：本发明系有关于一种塑胶粒子披覆金属之制备方法，首先混合复数个塑胶粒子与一锡钯溶液为一第一混合液；或者，混合复数个塑胶粒子与一氯化亚锡/盐酸溶液，之后混合吸附复数个亚锡离子之复数个塑胶粒子与一氯化钯/盐酸溶液为一第一混合液。之后微波第一混合液，使锡钯胶体粒子包覆于塑胶粒子为第一金属粒子，接着与一无电镀镍溶液混合为第二混合液，使金属镍包覆第一金属粒子为复数个第二金属粒子。借由微波活化塑胶粒子表面上所吸附之锡钯胶体粒子，使塑胶粒子表面之金属镀层的附着力增加，进而减少金属镀层粗糙或容易剥落之情形。

8. 发明专利

TW201102404A 聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化矽的製備方法 PREPARING METHOD FOR COATING SILICON DIOXIDE ON PMMA PARTICLES 审中-公开
简体标题：聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化硅的制备方法 PREPARING METHOD FOR COATING SILICON DIOXIDE ON PMMA PARTICLES
公开(公告)号：TW201102404A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW098122328
申请日：2009-07-01
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：施修正 , 葛明德 , 黃宏芳 , 葉盛旺 , 陳彥仲
IPC分类号： C08K , C08L
摘要：本發明係揭露一種聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化矽的製備方法，包含下列步驟：(a)將二氧化矽粉末與溶劑混合以製備二氧化矽溶液；(b)將分散/界面改質劑加入至二氧化矽溶液中；(c)對包含分散/界面改質劑之二氧化矽溶液進行濕式研磨以得到複數個奈米級二氧化矽粒子使帶負電荷；(d)對複數個聚甲基丙烯酸甲酯粒子進行界面改質使帶正電荷；(e)添加該複數個聚甲基丙烯酸甲酯粒子至二氧化矽溶液中；(f)致使奈米級二氧化矽粒子吸附於聚甲基丙烯酸甲酯粒子上；以及(g)將二氧化矽溶液進行固液分離步驟以得到複數個化學複合粒子。
简体摘要：本发明系揭露一种聚甲基丙烯酸甲酯粒子披覆二氧化硅的制备方法，包含下列步骤：(a)将二氧化硅粉末与溶剂混合以制备二氧化硅溶液；(b)将分散/界面改质剂加入至二氧化硅溶液中；(c)对包含分散/界面改质剂之二氧化硅溶液进行湿式研磨以得到复数个奈米级二氧化硅粒子使带负电荷；(d)对复数个聚甲基丙烯酸甲酯粒子进行界面改质使带正电荷；(e)添加该复数个聚甲基丙烯酸甲酯粒子至二氧化硅溶液中；(f)致使奈米级二氧化硅粒子吸附于聚甲基丙烯酸甲酯粒子上；以及(g)将二氧化硅溶液进行固液分离步骤以得到复数个化学复合粒子。

9. 实用新型

TWM387108U 蝕刻廢銦液回收金屬之裝置有权
简体标题：蚀刻废铟液回收金属之设备
公开(公告)号：TWM387108U
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW098224557
申请日：2009-12-29
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：蕭庭哲臺南市東區大學路1號國立成功大學資源再生及管理研究中心 , 陳偉聖 , 陳麗娟 , 施修正 , 左清宇 , 黃宏芳
IPC分类号： C23F , C09K
摘要：本創作係在提供一種蝕刻廢銦液回收金屬之裝置，其係由蝕刻廢銦液暫存槽、鹼濃集反應槽、固液分離機、酸浸漬反應槽、鋅置換反應槽、鎔鑄爐與電解精煉槽所構成；由線上製程中清洗或廢棄之蝕刻銦液藉由本裝置進行鹼濃集、固液分離、酸浸漬、鋅置換、鎔鑄與電解精煉等步驟處理後，不僅將錫與銦完全分離及回收高價值銦與錫金屬之再生產品，本裝置可將製程上銦錫氧化物廢液經由鹼濃集與分離銦與錫，且氫氧化銦經酸浸漬、鋅置換、鎔鑄與電解精煉等回收程序可製成金屬銦再生產品。另外經鹼濃集分離後之含錫濾液經酸浸漬、固液分離與電解精煉等處理程序可回收金屬錫之再生產物，此裝置不但能回收有價金屬，更可以免除蝕刻廢銦液對環境所造成的污染問題，達到環保要求、資源再生與經濟回收價值等多重效益。
简体摘要：本创作系在提供一种蚀刻废铟液回收金属之设备，其系由蚀刻废铟液暂存槽、碱浓集反应槽、固液分离机、酸浸渍反应槽、锌置换反应槽、镕铸炉与电解精炼槽所构成；由在线制程中清洗或废弃之蚀刻铟液借由本设备进行碱浓集、固液分离、酸浸渍、锌置换、镕铸与电解精炼等步骤处理后，不仅将锡与铟完全分离及回收高价值铟与锡金属之再生产品，本设备可将制程上铟锡氧化物废液经由碱浓集与分离铟与锡，且氢氧化铟经酸浸渍、锌置换、镕铸与电解精炼等回收进程可制成金属铟再生产品。另外经碱浓集分离后之含锡滤液经酸浸渍、固液分离与电解精炼等处理进程可回收金属锡之再生产物，此设备不但能回收有价金属，更可以免除蚀刻废铟液对环境所造成的污染问题，达到环保要求、资源再生与经济回收价值等多重效益。

10. 发明专利

TW201016897A 一種可提高撓性的銅電鍍液 COPPER PLATING SOLUTION CAPABLE OF INCREASING FLEXIBILITY 审中-公开
简体标题：一种可提高挠性的铜电镀液 COPPER PLATING SOLUTION CAPABLE OF INCREASING FLEXIBILITY
公开(公告)号：TW201016897A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141656
申请日：2008-10-29
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：左清宇 , 葉盛旺 , 黃宏芳 , 施修正
IPC分类号： C25D
摘要：本發明係提供一種可提高撓性的銅電鍍液。銅電鍍液可應用於具有導電層之載體。銅電鍍液包含有硫酸銅、硫酸、氯離子以及界面活性劑。硫酸銅之濃度係介於100g/l至240g/l之間。硫酸之濃度係介於100g/l至260g/l之間。氯離子之濃度係介於1ppm至100ppm之間。界面活性劑係包含有磺酸基化合物。磺酸基化合物之濃度係介於0.2g/l至0.3g/l之間。
简体摘要：本发明系提供一种可提高挠性的铜电镀液。铜电镀液可应用于具有导电层之载体。铜电镀液包含有硫酸铜、硫酸、氯离子以及界面活性剂。硫酸铜之浓度系介于100g/l至240g/l之间。硫酸之浓度系介于100g/l至260g/l之间。氯离子之浓度系介于1ppm至100ppm之间。界面活性剂系包含有磺酸基化合物。磺酸基化合物之浓度系介于0.2g/l至0.3g/l之间。

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