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1. 发明专利

TWI543245B 半導體裝置之製造方法及半導體基板之清洗方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体基板之清洗方法
公开(公告)号：TWI543245B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW098112518
申请日：2009-04-15
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 史鐵勒傑米華股份有限公司 , STELLA CHEMIFA CORPORATION
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 長谷部類 , HASEBE, RUI , 宮下雅之 , MIYASHITA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02054 , H01L21/0206 , Y10S438/906

3. 发明专利

TW201003753A 半導體裝置之製造方法及半導體基板之清洗方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体基板之清洗方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201003753A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098112518
申请日：2009-04-15
申请人：國立大學法人東北大學 , 史鐵勒傑米華股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 長谷部類 , 宮下雅之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02054 , H01L21/0206 , Y10S438/906
摘要：半導體基板等基板之清洗，以往至少需要進行由5個步驟構成之清洗。本發明得到一種清洗方法，包含：第1步驟，以含有臭氧之超純水清洗；第2步驟，以含有界面活性劑之超純水清洗；及第3步驟，以含有超純水及2－丙醇之清洗液除去界面活性劑由來之有機物。第3步驟後，照射氪氣等稀有氣體之電漿，進一步將界面活性劑由來之有機物除去。
简体摘要：半导体基板等基板之清洗，以往至少需要进行由5个步骤构成之清洗。本发明得到一种清洗方法，包含：第1步骤，以含有臭氧之超纯水清洗；第2步骤，以含有界面活性剂之超纯水清洗；及第3步骤，以含有超纯水及2－丙醇之清洗液除去界面活性剂由来之有机物。第3步骤后，照射氪气等稀有气体之等离子，进一步将界面活性剂由来之有机物除去。

4. 发明专利

TW200700424A 磺醯亞胺酸銀的製造方法 STELLA CHEMIFA CORPORATION 失效
简体标题：磺酰亚胺酸银的制造方法 STELLA CHEMIFA CORPORATION
公开(公告)号：TW200700424A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095123760
申请日：2006-06-30
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 STELLA CHEMIFA CORPORATION
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 雅秀 , 里永知彥 , 村上祐子 , 正神和彥
IPC分类号： C07F , C07C
摘要： [課題]提供磺醯亞胺酸銀的製造方法,其在工業上可容易且高救地製造作為有機合成催化劑有用的磺醯亞胺酸銀。[解決手段]該磺醯亞胺酸銀的製造方法的特徵在於通過在氫氟酸溶液中使M[N(Rf1SO2)(Rf2SO2)]x(式中,Rf1和Rf2相同或不同,表示碳原子數1-12的直鏈狀或分枝狀的全氟烷基、氟烷基、氟烯基、或氟烯丙基中的任一個,M表示H或元素週期表第Ia族的鹼金屬中的Li、Na、K、Cs和第IIa族的堿土類金屬中的Mg、Ca、Sr、Ba,x表示自然數中的1、2)所示的磺醯亞胺化合物和無機銀化合物反應,或者混合在水溶液中反應而得到的溶液和氫氟酸溶液,製造AgN(Rf1SO2)(Rf2SO2)所示的磺醯亞胺酸銀。
简体摘要： [课题]提供磺酰亚胺酸银的制造方法,其在工业上可容易且高救地制造作为有机合成催化剂有用的磺酰亚胺酸银。[解决手段]该磺酰亚胺酸银的制造方法的特征在于通过在氢氟酸溶液中使M[N(Rf1SO2)(Rf2SO2)]x(式中,Rf1和Rf2相同或不同,表示碳原子数1-12的直链状或分枝状的全氟烷基、氟烷基、氟烯基、或氟烯丙基中的任一个,M表示H或元素周期表第Ia族的碱金属中的Li、Na、K、Cs和第IIa族的碱土类金属中的Mg、Ca、Sr、Ba,x表示自然数中的1、2)所示的磺酰亚胺化合物和无机银化合物反应,或者混合在水溶液中反应而得到的溶液和氢氟酸溶液,制造AgN(Rf1SO2)(Rf2SO2)所示的磺酰亚胺酸银。

5. 发明专利

TWI298748B 具有多成分之玻璃基板用的微細加工表面處理液失效
简体标题：具有多成分之玻璃基板用的微细加工表面处理液
公开(公告)号：TWI298748B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW091119297
申请日：2002-08-23
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 KIKUYAMA, HIROHISA , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C03C15/00
摘要：提供可使具有多成分之例如液晶與有機EL等的平面顯
示器用之玻璃基板本身不析出結晶以及不使表面粗糙而加
工之具有多成分之基板用之具有均一組成之微細加工表面
處理液。其特徵在於:在含有氟化氫酸以及氟化銨之同
時,含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。係
在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時,含有至少一種比氟化
氫酸之酸解離常數還大之酸之藥劑,該比氟化氫酸之酸解
離常數還大之酸的含有量為x,蝕刻玻璃基板之液溫中該
藥水之對熱矽氧化膜之蝕刻速率為f(x)[/min]時,該
藥水,在x=x1時有極大値f(x1),在x=x2(但是,x1
x1的範圍中,含有

比該氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。
简体摘要：提供可使具有多成分之例如液晶与有机EL等的平面显示器用之玻璃基板本身不析出结晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板用之具有均一组成之微细加工表面处理液。其特征在于:在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时,含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。系在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时,含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸之药剂,该比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸的含有量为x,蚀刻玻璃基板之液温中该药水之对热硅氧化膜之蚀刻速率为f(x)[/min]时,该药水,在x=x1时有极大値f(x1),在x=x2(但是,x1

6. 发明专利

TWI237015B R1R2R3R4N+‧BF4-所表示之四級烷基銨鹽之製造方法失效
简体标题： R1R2R3R4N+‧BF4-所表示之四级烷基铵盐之制造方法
公开(公告)号：TWI237015B
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW090106223
申请日：2001-03-16
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 KIKUYAMA, HIROHISA , 泉浩人 IZUMI, HIROTO , 菊永芳弘 , 宮下雅之
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C209/00 , C07C211/63
摘要：課題：
本發明提供一種四級烷基銨鹽之製造方法，此方法係未實施任何再結晶而能夠很容易地製得高純度的以 R1R2R3R4N+．BF4-所表示的四級烷基銨鹽之製造方法。解決手段：
此方法之特徵在於：使以R1R2R3R4N+．X1-(式中R1、R2、 R3與R4表示相同或不同的碳數1-5的烷基，X1表示Cl或Br)所表示的四級烷基鹵化銨，與HBF4(氟硼酸)於醇中產生反應的製程。
简体摘要：课题：本发明提供一种四级烷基铵盐之制造方法，此方法系未实施任何再结晶而能够很容易地制得高纯度的以 R1R2R3R4N+．BF4-所表示的四级烷基铵盐之制造方法。解决手段：此方法之特征在于：使以R1R2R3R4N+．X1-(式中R1、R2、 R3与R4表示相同或不同的碳数1-5的烷基，X1表示Cl或Br)所表示的四级烷基卤化铵，与HBF4(氟硼酸)于醇中产生反应的制程。

7. 发明专利

TW200409831A 具有多成分之玻璃基板用的微細加工表面處理方法审中-公开
简体标题：具有多成分之玻璃基板用的微细加工表面处理方法
公开(公告)号：TW200409831A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW093102745
申请日：2002-08-23
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C03C15/00
摘要：提供可使具有多成分之例如液晶與有機EL等的平面顯示器用之玻璃基板本身不析出結晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微細加工表面處理方法。其特徵在於：在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。係在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸之藥劑，該比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸的含有量為x，蝕刻玻璃基板之液溫中該藥水之對熱矽氧化膜之蝕刻速率為f(x)〔／min〕時，該藥水，在x＝x1時有極大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)時有極小值f(x2)，其特徵在於：在x＞x1的範圍中，含有比該氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。
简体摘要：提供可使具有多成分之例如液晶与有机EL等的平面显示器用之玻璃基板本身不析出结晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微细加工表面处理方法。其特征在于：在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。系在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸之药剂，该比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸的含有量为x，蚀刻玻璃基板之液温中该药水之对热硅氧化膜之蚀刻速率为f(x)〔／min〕时，该药水，在x＝x1时有极大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)时有极小值f(x2)，其特征在于：在x＞x1的范围中，含有比该氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。

8. 发明专利

TW585935B 微細加工表面處理劑失效
简体标题：微细加工表面处理剂
公开(公告)号：TW585935B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW086111449
申请日：1997-08-11
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要：【目的】提供一種微細加工表面處理劑，其可針對各種成膜方法及條件所形成的氧化層，或是含P、B、 As等各種不純物濃度的氧化層，使各種不同的氧化層之蝕刻速度差異變小，而且，具有實用的蝕刻速度。
【解決方法】使處理劑含有0.1~8wt%的氫氟酸(HF)，以及介於40wt%至47wt%之間的氟化銨(NH4F)。並且，含有0.001~1wt%的界面活性劑更佳。
简体摘要：【目的】提供一种微细加工表面处理剂，其可针对各种成膜方法及条件所形成的氧化层，或是含P、B、 As等各种不纯物浓度的氧化层，使各种不同的氧化层之蚀刻速度差异变小，而且，具有实用的蚀刻速度。【解决方法】使处理剂含有0.1~8wt%的氢氟酸(HF)，以及介于40wt%至47wt%之间的氟化铵(NH4F)。并且，含有0.001~1wt%的界面活性剂更佳。

9. 发明专利

TW541356B 微細加工表面處理劑及表面處理方法失效
简体标题：微细加工表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW541356B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW088102968
申请日：1999-02-26
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/76814
摘要：本發明的目的在於提供一種微細加工表面處理劑以及表面處理方法，可去除形成於接觸孔底部的自然氧化膜，並且抑制孔洞的直徑擴大。
其特徵在於包括：小於0.1重量%的氫氟酸，以及47重量%以下，且40重量%以上的氟化銨。再者，包含0.001~1重量%的界面活性劑。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种微细加工表面处理剂以及表面处理方法，可去除形成于接触孔底部的自然氧化膜，并且抑制孔洞的直径扩大。其特征在于包括：小于0.1重量%的氢氟酸，以及47重量%以下，且40重量%以上的氟化铵。再者，包含0.001~1重量%的界面活性剂。

10. 发明专利

TW201235464A 洗淨液及洗淨方法审中-公开
简体标题：洗净液及洗净方法
公开(公告)号：TW201235464A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW101101601
申请日：2012-01-16
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司
发明人：宮下雅之 , 久次米孝信 , 山本雅士 , 伊達和哉
IPC分类号： C11D
摘要：本發明的目的係提供對已於表面附著氧化鈰之被洗淨物，可將該氧化鈰溶解為鈰離子以將其洗淨去除之洗淨液，及使用該洗淨液之洗淨方法。一種洗淨液，其係將殘留於被洗淨物表面之氧化鈰去除之洗淨液，其特徵係含有(1)氟化氫，與(2)至少1種選自由氯化銨、硝酸銨、硫酸銨、氯化四甲銨、硝酸四甲銨、及硫酸四甲銨所構成之群組之銨鹽。
简体摘要：本发明的目的系提供对已于表面附着氧化铈之被洗净物，可将该氧化铈溶解为铈离子以将其洗净去除之洗净液，及使用该洗净液之洗净方法。一种洗净液，其系将残留于被洗净物表面之氧化铈去除之洗净液，其特征系含有(1)氟化氢，与(2)至少1种选自由氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、氯化四甲铵、硝酸四甲铵、及硫酸四甲铵所构成之群组之铵盐。

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