专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200303293A 高純度鈮化合物及/或鉭化合物之精製方法(一) 失效
简体标题：高纯度铌化合物及/或钽化合物之精制方法(一)
公开(公告)号：TW200303293A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW092104179
申请日：2003-02-27
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 雅秀 , 泉浩人 , 矢崎洋史 , 青木謙治 , 橋口慎二 , 川理謁 , 村上祐子
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C22B3/0005 , C01G33/00 , C01G33/003 , C01G35/00 , C01G35/003 , C22B34/24 , Y02P10/234
摘要：提供一種能夠以更簡便且低成本的技術來進行高純度鈮化合物及／或鉭化合物的精製之高純度鈮化合物及／或鉭化合物的精製方法。其特徵在於：將有機溶劑添加於含有不純物之鈮化合物及／或鉭化合物所溶解的水溶液之後，再進行萃取。另一特徵在於：將溶解液加以晶析後，使用所得到的結晶以調配成前述水溶液。
简体摘要：提供一种能够以更简便且低成本的技术来进行高纯度铌化合物及／或钽化合物的精制之高纯度铌化合物及／或钽化合物的精制方法。其特征在于：将有机溶剂添加于含有不纯物之铌化合物及／或钽化合物所溶解的水溶液之后，再进行萃取。另一特征在于：将溶解液加以晶析后，使用所得到的结晶以调配成前述水溶液。

2. 发明专利

TW200303292A 高純度鈮化合物及/或鉭化合物之精製方法(二) 失效
简体标题：高纯度铌化合物及/或钽化合物之精制方法(二)
公开(公告)号：TW200303292A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW092104178
申请日：2003-02-27
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 雅秀 , 泉浩人 , 矢崎洋史 , 青木謙治 , 橋口慎二 , 川理謁 , 村上祐子
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G33/003 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G35/003 , C01P2006/80 , C22B3/20 , C22B3/22 , C22B3/44 , C22B34/24 , Y02P10/234
摘要：提供一種能夠以更簡便且低成本的技術來進行高純度鈮化合物及／或鉭化合物的精製之高純度鈮化合物及／或鉭化合物的精製方法。其特微在於：從含有鈮及／或鉭的溶液，使用藉由晶析所得到的結晶．溶液或濾液以生成鈮化合物及／或鉭化合物，並利用該溶解度之差以進行高純度的鈮化合物及／或鉭化合物的分離。
简体摘要：提供一种能够以更简便且低成本的技术来进行高纯度铌化合物及／或钽化合物的精制之高纯度铌化合物及／或钽化合物的精制方法。其特微在于：从含有铌及／或钽的溶液，使用借由晶析所得到的结晶．溶液或滤液以生成铌化合物及／或钽化合物，并利用该溶解度之差以进行高纯度的铌化合物及／或钽化合物的分离。

3. 发明专利

TW200409831A 具有多成分之玻璃基板用的微細加工表面處理方法审中-公开
简体标题：具有多成分之玻璃基板用的微细加工表面处理方法
公开(公告)号：TW200409831A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW093102745
申请日：2002-08-23
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C03C15/00
摘要：提供可使具有多成分之例如液晶與有機EL等的平面顯示器用之玻璃基板本身不析出結晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微細加工表面處理方法。其特徵在於：在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。係在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸之藥劑，該比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸的含有量為x，蝕刻玻璃基板之液溫中該藥水之對熱矽氧化膜之蝕刻速率為f(x)〔／min〕時，該藥水，在x＝x1時有極大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)時有極小值f(x2)，其特徵在於：在x＞x1的範圍中，含有比該氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。
简体摘要：提供可使具有多成分之例如液晶与有机EL等的平面显示器用之玻璃基板本身不析出结晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微细加工表面处理方法。其特征在于：在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。系在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸之药剂，该比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸的含有量为x，蚀刻玻璃基板之液温中该药水之对热硅氧化膜之蚀刻速率为f(x)〔／min〕时，该药水，在x＝x1时有极大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)时有极小值f(x2)，其特征在于：在x＞x1的范围中，含有比该氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。

4. 发明专利

TW585935B 微細加工表面處理劑失效
简体标题：微细加工表面处理剂
公开(公告)号：TW585935B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW086111449
申请日：1997-08-11
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要：【目的】提供一種微細加工表面處理劑，其可針對各種成膜方法及條件所形成的氧化層，或是含P、B、 As等各種不純物濃度的氧化層，使各種不同的氧化層之蝕刻速度差異變小，而且，具有實用的蝕刻速度。
【解決方法】使處理劑含有0.1~8wt%的氫氟酸(HF)，以及介於40wt%至47wt%之間的氟化銨(NH4F)。並且，含有0.001~1wt%的界面活性劑更佳。
简体摘要：【目的】提供一种微细加工表面处理剂，其可针对各种成膜方法及条件所形成的氧化层，或是含P、B、 As等各种不纯物浓度的氧化层，使各种不同的氧化层之蚀刻速度差异变小，而且，具有实用的蚀刻速度。【解决方法】使处理剂含有0.1~8wt%的氢氟酸(HF)，以及介于40wt%至47wt%之间的氟化铵(NH4F)。并且，含有0.001~1wt%的界面活性剂更佳。

5. 发明专利

TW200303294A 鈮化合物及/或鉭化合物之精製方法失效
简体标题：铌化合物及/或钽化合物之精制方法
公开(公告)号：TW200303294A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW092104180
申请日：2003-02-27
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 雅秀 , 泉浩人 , 矢崎洋史 , 青木謙治 , 橋口慎二 , 川理謁 , 村上祐子
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G35/00 , C01G33/00 , C01G35/02 , C01P2006/80 , C22B3/10 , C22B3/44 , C22B34/20 , C22B34/24 , Y02P10/234
摘要：提供一種更為簡便且低成本的鈮化合物及／或鉭化合物的精製方法。此種鈮化合物及／或鉭化合物的精製方法，其特徵在於：從鈮化合物及／或鉭化合物的溶解液，利用晶析操作來加以精製。
简体摘要：提供一种更为简便且低成本的铌化合物及／或钽化合物的精制方法。此种铌化合物及／或钽化合物的精制方法，其特征在于：从铌化合物及／或钽化合物的溶解液，利用晶析操作来加以精制。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式