会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明专利
    • 具去耦合塗布的鏡表面修正
    • 具去耦合涂布的镜表面修正
    • TW201508422A
    • 2015-03-01
    • TW103121680
    • 2014-06-24
    • 卡爾蔡司SMT有限公司CARL ZEISS SMT GMBH
    • 迪爾 奧立弗DIER, OLIVER哈克爾 托拜斯HACKL, TOBIAS史帝可 法蘭茲 喬瑟夫STICKEL, FRANZ-JOSEF羅瑞 尤瑞奇艾默斯 提爾曼穆勒 喬根凱曼諾夫 夫拉迪密爾KAMENOV, VLADIMIR瑞儂 賽吉費德RENNON, SIEGFRIED
    • G03F7/20G02B5/08G02B1/10
    • G03F7/702G02B5/0816G02B5/0891G02B27/0025G03F7/70308G03F7/70316G03F7/706G03F7/70975G21K1/062H05G2/005
    • 本發明說明揭示一種用於EUV微影的反射鏡(1),其包含一基板(2)及一反射塗布(3、4),其中該反射塗布包含一第一群組(3)的層(3a、3b)及一第二群組(4)的層(4a、4b),其中該等第一群組(3)及第二群組(4)的層(3a、3b;4a、4b)各設計用於反射具有一使用波長在5nm及30nm之間的範圍中的輻射,其中該第一群組(3)的層(3a、3b)配置在該基板(2)及該第二群組(4)的層(4a、4b)之間,及其中一去耦合塗布(6)配置在該等第一群組(3)及第二群組(4)的層(3a、3b、4a、4b)之間,該去耦合塗布係設計用於藉由防止具有該使用波長的輻射到達該第一群組(3)的層(3a、3b),光學去耦合該第二群組(4)的層(4a、4b)與該第一群組(3)的層(3a、3b)。該反射塗布(3、4)較佳具有一修正層(5),其具有用於修正該反射鏡(1)之表面形狀的層厚度變化。本發明亦揭示一種用於EUV微影之包含至少一個此反射鏡的投影光學單元及光學系統、一種用於修正此反射鏡之表面形狀的方法、及用於修正此投影光學單元之成像性質的方法。
    • 本发明说明揭示一种用于EUV微影的反射镜(1),其包含一基板(2)及一反射涂布(3、4),其中该反射涂布包含一第一群组(3)的层(3a、3b)及一第二群组(4)的层(4a、4b),其中该等第一群组(3)及第二群组(4)的层(3a、3b;4a、4b)各设计用于反射具有一使用波长在5nm及30nm之间的范围中的辐射,其中该第一群组(3)的层(3a、3b)配置在该基板(2)及该第二群组(4)的层(4a、4b)之间,及其中一去耦合涂布(6)配置在该等第一群组(3)及第二群组(4)的层(3a、3b、4a、4b)之间,该去耦合涂布系设计用于借由防止具有该使用波长的辐射到达该第一群组(3)的层(3a、3b),光学去耦合该第二群组(4)的层(4a、4b)与该第一群组(3)的层(3a、3b)。该反射涂布(3、4)较佳具有一修正层(5),其具有用于修正该反射镜(1)之表面形状的层厚度变化。本发明亦揭示一种用于EUV微影之包含至少一个此反射镜的投影光学单元及光学系统、一种用于修正此反射镜之表面形状的方法、及用于修正此投影光学单元之成像性质的方法。
    • 7. 发明专利
    • 照射光學單元
    • 照射光学单元
    • TW201312282A
    • 2013-03-16
    • TW101117146
    • 2012-05-14
    • 卡爾蔡司SMT有限公司CARL ZEISS SMT GMBH
    • 斯圖卓 勞夫STUETZLE, RALF貝林 史汀BIELING, STIG史帝可 法蘭茲 喬瑟夫STICKEL, FRANZ-JOSEF
    • G03F7/20
    • G03F7/70116G03F7/70075
    • 本發明揭示一種用於EUV微影的照射光學單元,其包含具有複數個第一反射琢面元件的一第一光學元件。此外,該照射光學單元包含具有複數個第二反射琢面元件(423)的一第二光學元件(421),其中該複數個第一反射琢面元件包含該第一光學元件之所有該等反射琢面元件的至少75%。在此例中,該複數個第一反射琢面元件的每個第一反射琢面元件被體現為致使在該照射光學單元操作期間,該每個第一反射琢面元件在該複數個第二反射琢面元件之一指派之第二琢面元件的位置處產生一被照射區域。該等第二反射琢面元件(423)各具有一反射表面,及各該被照射區域小於對應之指派之第二反射琢面元件(423)的反射表面。另外,所有該等被照射區域位在最多六個連續成對不相交區帶(459)內。此外,具有最小直徑的一圓圈(457)圍起所有該等區帶(459),其中該等第一及/或第二反射琢面元件被體現為致使該圓圈(457)之面積容量與該等區帶(459)之面積容量的比率大於2.5,尤其大於4。
    • 本发明揭示一种用于EUV微影的照射光学单元,其包含具有复数个第一反射琢面组件的一第一光学组件。此外,该照射光学单元包含具有复数个第二反射琢面组件(423)的一第二光学组件(421),其中该复数个第一反射琢面组件包含该第一光学组件之所有该等反射琢面组件的至少75%。在此例中,该复数个第一反射琢面组件的每个第一反射琢面组件被体现为致使在该照射光学单元操作期间,该每个第一反射琢面组件在该复数个第二反射琢面组件之一指派之第二琢面组件的位置处产生一被照射区域。该等第二反射琢面组件(423)各具有一反射表面,及各该被照射区域小于对应之指派之第二反射琢面组件(423)的反射表面。另外,所有该等被照射区域位在最多六个连续成对不相交区带(459)内。此外,具有最小直径的一圆圈(457)围起所有该等区带(459),其中该等第一及/或第二反射琢面组件被体现为致使该圆圈(457)之面积容量与该等区带(459)之面积容量的比率大于2.5,尤其大于4。