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1. 发明专利

TW201508422A 具去耦合塗布的鏡表面修正审中-公开
简体标题：具去耦合涂布的镜表面修正
公开(公告)号：TW201508422A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103121680
申请日：2014-06-24
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER , 哈克爾托拜斯 , HACKL, TOBIAS , 史帝可法蘭茲喬瑟夫 , STICKEL, FRANZ-JOSEF , 羅瑞尤瑞奇 , 艾默斯提爾曼 , 穆勒喬根 , 凱曼諾夫夫拉迪密爾 , KAMENOV, VLADIMIR , 瑞儂賽吉費德 , RENNON, SIEGFRIED
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08 , G02B1/10
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B27/0025 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/706 , G03F7/70975 , G21K1/062 , H05G2/005
摘要：本發明說明揭示一種用於EUV微影的反射鏡(1)，其包含一基板(2)及一反射塗布(3、4)，其中該反射塗布包含一第一群組(3)的層(3a、3b)及一第二群組(4)的層(4a、4b)，其中該等第一群組(3)及第二群組(4)的層(3a、3b；4a、4b)各設計用於反射具有一使用波長在5nm及30nm之間的範圍中的輻射，其中該第一群組(3)的層(3a、3b)配置在該基板(2)及該第二群組(4)的層(4a、4b)之間，及其中一去耦合塗布(6)配置在該等第一群組(3)及第二群組(4)的層(3a、3b、4a、4b)之間，該去耦合塗布係設計用於藉由防止具有該使用波長的輻射到達該第一群組(3)的層(3a、3b)，光學去耦合該第二群組(4)的層(4a、4b)與該第一群組(3)的層(3a、3b)。該反射塗布(3、4)較佳具有一修正層(5)，其具有用於修正該反射鏡(1)之表面形狀的層厚度變化。本發明亦揭示一種用於EUV微影之包含至少一個此反射鏡的投影光學單元及光學系統、一種用於修正此反射鏡之表面形狀的方法、及用於修正此投影光學單元之成像性質的方法。
简体摘要：本发明说明揭示一种用于EUV微影的反射镜(1)，其包含一基板(2)及一反射涂布(3、4)，其中该反射涂布包含一第一群组(3)的层(3a、3b)及一第二群组(4)的层(4a、4b)，其中该等第一群组(3)及第二群组(4)的层(3a、3b；4a、4b)各设计用于反射具有一使用波长在5nm及30nm之间的范围中的辐射，其中该第一群组(3)的层(3a、3b)配置在该基板(2)及该第二群组(4)的层(4a、4b)之间，及其中一去耦合涂布(6)配置在该等第一群组(3)及第二群组(4)的层(3a、3b、4a、4b)之间，该去耦合涂布系设计用于借由防止具有该使用波长的辐射到达该第一群组(3)的层(3a、3b)，光学去耦合该第二群组(4)的层(4a、4b)与该第一群组(3)的层(3a、3b)。该反射涂布(3、4)较佳具有一修正层(5)，其具有用于修正该反射镜(1)之表面形状的层厚度变化。本发明亦揭示一种用于EUV微影之包含至少一个此反射镜的投影光学单元及光学系统、一种用于修正此反射镜之表面形状的方法、及用于修正此投影光学单元之成像性质的方法。

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