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1. 发明申请

WO2013046525A1 貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于计算粘结SOI波形的加热的方法和制造粘结的SOI波形的方法
公开(公告)号：WO2013046525A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/005214
申请日：2012-08-21
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 水澤康
发明人：横川　功 , 阿賀　浩司 , 水澤　康
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L22/12 , G01B11/306 , G01B21/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L22/20
摘要：　本発明は、ボンドウェーハ及びベースウェーハのうちのいずれか一方の表面、あるいはその両方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなる構造のエピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハを作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りＡを算出し、前記エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハの前記ＢＯＸ層の厚さに起因する反りＢを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りＣとし、これらの反りの総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を、前記貼り合わせＳＯＩウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法である。これにより、貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを予め算出する方法、更に、その算出方法を用いることによって、所望の反りを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种用于计算接合的SOI晶片的翘曲的方法。通过在接合晶片表面或基底晶片表面或其两个表面上形成热氧化膜来制造具有由基底晶片上的BOX层和BOX层上的SOI层构成的结构的SOI外延晶片，并将所述接合晶片和所述基底晶片，然后使所述接合晶片变薄。通过生长外延层来制造键合的SOI晶片。用于计算接合SOI晶片的翘曲的方法包括：在假设所述SOI外延晶片是具有与所述硅单晶晶体相同的掺杂剂浓度的硅单晶晶片的情况下，计算对于假定的硅单晶晶片进行外延生长时产生的翘曲（A）所述接合晶片，由于所述SOI外延晶片的BOX层的厚度而计算翘曲（B），将所述基底晶片的翘曲的实际测量值设定为翘曲（C），并计算所述SOI外延片的总和翘曲（A + B + C）作为键合SOI晶片的翘曲。因此，提供了一种通过使用该计算方法预先计算接合的SOI晶片的翘曲的方法和具有期望的翘曲的接合的SOI晶片的制造方法。

2. 发明申请

WO2003079447A1 貼り合わせウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产粘合剂的方法
公开(公告)号：WO2003079447A1
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/JP2003/003354
申请日：2003-03-19
申请人：信越半導体株式会社 , 中里泰章 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：中里泰章 , 阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：　少なくとも、イオン注入工程（ｃ）と、ウェーハ密着工程（ｄ）と、剥離熱処理工程（ｅ）とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、前記剥離熱処理を、急速加熱・急速冷却装置を用いて５℃／秒以上の昇温速度で行なう条件と、前記密着させたウェーハを横向き方向に配置して行なう条件のうち、少なくとも一方の条件で行う。これにより、イオン注入剥離法による貼り合わせウェーハの剥離後のダメージや表面粗さを低減させ、その後の平坦化処理を容易に行うことができ、ひいては、貼り合わせウェーハの製造工程を簡略化することができる貼り合わせウエーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种用于制造至少包括离子注入步骤（c），晶片结合步骤（d）和脱离热处理步骤（e））的接合晶片的方法，其中所述脱离热处理在至少一个条件使得使用快速加热/快速冷却单元和条件使温度以5℃/秒或更高的速率升高，使得粘合的晶片被横向排列。在用于制造接合晶片的方法中，可以减少根据离子注入分离工艺的接合晶片分离后的损伤和表面粗糙度，从而可以促进随后的平坦化，并且可以简化用于接合晶片生产的操作。

3. 发明申请

WO2012086122A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2012086122A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/JP2011/006430
申请日：2011-11-18
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 横川功 , 岡哲史
发明人：阿賀　浩司 , 横川　功 , 岡　哲史
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/31111 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の外周端が、埋め込み酸化膜の外周端よりも外側に位置した構造となるように、該埋め込み酸化膜の外周部を除去する処理を行い、その後、ＳＯＩウェーハに水素を含む還元性雰囲気もしくは塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理を行った後、ＳＯＩ層の表面にエピタキシャル層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法である。これによって、イオン注入剥離法により作製されたテラス部にシリコン酸化膜のないＳＯＩウェーハに、渓谷状の段差を発生させることなくエピタキシャル成長を行い、所望のＳＯＩ層厚を有するＳＯＩウェーハを製造できる方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种制造SOI晶片的方法，以便制造其中SOI晶片的SOI层的外周边缘位于嵌入的氧化膜的外周边缘外侧的结构。这是通过进行处理以去除嵌入的氧化物膜的外周，然后在含有氢或含有氯化氢气体的气氛的还原性气氛中对SOI晶片进行热处理，然后在其表面上形成外延层 SOI层。以这种方式，提供了一种方法，通过在不包括在平台部分中的氧化硅膜的SOI晶片上进行外延生长而不产生谷状步骤，可以制造具有期望的SOI层厚度的SOI晶片通过离子注入/分离方法制造。

4. 发明申请

WO2006051730A1 半導体ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2006051730A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020185
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/76254 , Y10S117/915
摘要：　本発明は少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉ１－ＸＧｅＸ層（０＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成長させ、該Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離する剥離処理を行い、少なくとも前記剥離処理を行う際の温度以上の温度で前記貼り合わせ面を結合させる結合熱処理を行なった後、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のＳｉ層を除去する半導体ウェーハの製造方法である。これによりＳＧＯＩウェーハやＧＯＩウェーハにおいて、歪みを有するＳｉＧｅ層に格子緩和が発生せず、格子が十分に歪んでおり、高速の半導体デバイスの作製に適する半導体ウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：在硅单晶晶片的表面上外延生长其中Si 1-X Ge x X层（0 层，Si 1-X＆lt; X＆gt; X＆gt;层的表面和基底晶片通过绝缘膜紧密地接合，在离子注入层中进行带状加工，加热在不低于进行剥离处理的温度的温度下进行用于接合粘合表面的处理，然后通过剥离从移动到基底晶片侧的带层去除Si层。因此，提供了适用于制造高性能半导体器件的半导体晶片的方法，其中在具有应变的SiGe层和晶格中不发生晶格弛豫，在SGOI晶片或GOI晶片中被充分地应变。

5. 发明申请

WO2004012268A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2004012268A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009007
申请日：2003-07-16
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/76224 , H01L21/76254
摘要：　得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。そして、剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。ドーズ量が小さくなれば、剥離面の面粗さも小さくなり、平坦化工程における結合シリコン単結晶薄膜の剥離面の研磨代を小さく設定することができる。その結果、薄いＳＯＩ層を形成する場合に、該ＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させることができる。これにより、ＳＯＩ層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
摘要翻译：为了根据要形成的SOI层（5）的厚度控制接合硅单晶薄膜（15）的厚度，从分离离子注入层的第一主表面（J）的深度d1 + tx （4）在分离离子注入层形成步骤中由离子注入的能量控制。随着分离离子注入层（4）的第一主表面（J）的深度较小，离子注入的剂量设定得较小。如果剂量小，则分离面的表面粗糙度小。因此，在平坦化工序中，可以使接合硅单晶薄膜的分离面的研磨余量小。结果，可以提高薄SOI层的厚度均匀性。因此，SOI晶片的制造方法即使SOI层的厚度要求很低，晶片的厚度均匀性和晶片之间的厚度均匀性也提高到足够低的水平。

6. 发明申请

WO2011151968A1 貼り合わせウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造粘结波的方法
公开(公告)号：WO2011151968A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/JP2011/002329
申请日：2011-04-21
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 岡哲史 , 能登宣彦
发明人：阿賀　浩司 , 岡　哲史 , 能登　宣彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3247 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハとベースウェーハの表面とを貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させた後、剥離面の平坦化処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハとして、イオン注入層を形成する領域の抵抗率が０．２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶ウェーハを用い、イオン注入層を形成するイオンのドーズ量を、４×１０１６／ｃｍ２以下としてイオン注入層を形成し、剥離面の平坦化処理をＨＣｌガスを含む雰囲気中で熱処理することによって行う貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、イオン注入剥離法により、ボロンなどのドーパントを高濃度に含む低抵抗率の薄膜を有する貼り合わせウェーハの製造方法において、ドーパントの外方拡散や酸化による吸出しを抑えて低抵抗率を維持できる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：公开了一种接合晶片的制造方法，其中在接合晶片中形成离子注入层，接合晶片和基底晶片的表面接合在一起，并且在接合晶片之后进行分离表面的平坦化处理在离子注入层分离，其中在形成离子注入层的区域中具有0.2Ocm以下的电阻率的硅单晶晶片用作接合晶片，形成离子注入层，其中剂量形成离子注入层的离子为4×10 16 / cm 2以下，通过在含有HCl气体的气氛中的热处理进行剥离面的平坦化处理。结果，在通过使用离子注入/分离方法制造具有含有高浓度硼等掺杂剂的低电阻薄膜的接合晶片的方法中，可以通过抑制掺杂剂的损失来维持低电阻率由于外部扩散和氧化等

7. 发明申请

WO2003009386A1 貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产粘结波的方法
公开(公告)号：WO2003009386A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/006965
申请日：2002-07-09
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 富澤進一 , 三谷清
发明人：阿賀浩司 , 富澤進一 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： A method for producing a bonding wafer by ion implantation stripping method comprising a step for bonding a bond wafer having a micro bubble layer formed by gas ion implantation and a base wafer becoming a supporting substrate, and a step for stripping the bond wafer with the micro bubble layer as a boundary and forming a thin film on the base wafer, wherein the pasted wafer from which the bond wafer is stripped is heat treated in the atmosphere of an inert gas, hydrogen gas or their mixture gas, a thermal oxide film is formed on the surface of the thin film by thermally oxidizing the pasted wafer, and then the thickness of the thin film is reduced by removing the thermal oxide film. Damages and defects on the surface of a pasted wafer produced by ion implantation stripping method can be removed surely while sustaining uniformity in the thickness of a thin film on the wafer, and a method for producing a bonding wafer sufficiently applicable as a mass production technology is provided.
摘要翻译：一种用于通过离子注入剥离方法制造接合晶片的方法，包括用于结合具有由气体离子注入形成的微气泡层的接合晶片和成为支撑衬底的基底晶片的步骤，以及用于将微结晶晶片剥离的步骤气泡层作为边界并在基底晶片上形成薄膜，其中将剥离接合晶片的粘贴晶片在惰性气体，氢气或其混合气体的气氛中进行热处理，形成热氧化膜通过热氧化粘贴的晶片在薄膜的表面上，然后通过去除热氧化膜来减小薄膜的厚度。通过离子注入剥离法生产的粘贴晶片的表面上的损伤和缺陷可以在保持晶片上薄膜厚度的均匀性的同时被去除，并且作为批量生产技术充分适用的制造接合晶片的方法是提供。

8. 发明申请

WO2012164822A1 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ审中-公开
标题翻译：制造粘结波形和粘结SOI波形的方法
公开(公告)号：WO2012164822A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/JP2012/002835
申请日：2012-04-25
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 横川功 , 能登宣彦
发明人：阿賀　浩司 , 横川　功 , 能登　宣彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/02 , H01L21/265 , H01L21/26586 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要：　本発明は、バッチ式イオン注入機を使用したイオン注入工程と、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する剥離工程を有する貼り合わせウェーハの製造方法において、イオン注入工程におけるボンドウェーハへのイオン注入を複数回に分けて行うものとし、各回のイオン注入後に、ボンドウェーハを所定の回転角度だけ自転させ、自転させた配置位置で次のイオン注入を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、ベースウェーハ上の薄膜、特にはＳＯＩ層の膜厚均一性が向上された貼り合わせウェーハを量産レベルで製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种用于制造接合晶片的方法，具有：使用间歇型离子注入机的离子注入步骤; 用于将接合晶片的离子注入表面和基底晶片的表面直接接合或其间插入绝缘膜的接合步骤; 以及用于剥离离子注入层的接合晶片的剥离步骤，由此在基底晶片上形成具有薄膜的接合晶片，其特征在于：离子注入到接合晶片中多个循环中的离子注入步骤; 并且在离子注入的每个循环之后，接合晶片转动预定的旋转角度，并且在转动位置执行下一个离子注入循环。因此，提供了一种用于制造接合晶片的方法，其中可以批量生产基底晶片上的薄膜，特别是SOI膜，具有改善的膜厚度均匀性的接合晶片。

9. 发明申请

WO2004075298A1 ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ审中-公开
标题翻译： SOI WAFER和SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2004075298A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001557
申请日：2004-02-13
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26533
摘要：　本発明は、少なくとも、シリコンウエーハの一方の主表面から酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコンウエーハに前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変える酸化膜形成熱処理を行って、埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造する方法において、前記シリコンウエーハに埋め込み酸化膜を形成する際に、前記製造されるＳＯＩウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして埋め込み酸化膜の形成を行い、その後、該埋め込み酸化膜を形成したシリコンウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法である。これにより、ＳＩＭＯＸ法を用いて、膜厚が薄くかつ完全性の高い埋め込み酸化膜を有し、またＳＯＩ層の結晶性及び表面品質が極めて良好な高品質のＳＯＩウエーハを製造できるＳＯＩウエーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种用于制造在掩埋氧化膜上具有SOI层的SOI晶片的方法，其中至少通过从其一个主表面将氧离子注入到硅晶片中而形成氧离子注入层，然后对硅晶片进行氧化将氧离子注入层转化为掩埋氧化膜的成膜热处理的特征在于，首先在硅晶片中形成掩埋氧化膜，使其厚度大于目标的最终掩埋氧化膜的厚度并且在具有用于减小掩埋氧化膜的厚度的掩埋氧化膜的硅晶片上进行热处理。通过这种方法，可以通过SIMOX工艺制造包括具有高完整性的薄掩埋氧化物膜和具有非常好的结晶度和表面质量的SOI层的高品质SOI晶片。

10. 发明申请

WO2002084738A1 ＳＯＩウエーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI波浪及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084738A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/JP2002/003162
申请日：2002-03-29
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： An SOI wafer manufactured by an ion implantation separation method wherein the width of an SOI island area of a terrace area which is formed at an SOI wafer edge and in which a base wafer surface is exposed is less than 1 mm and the density of pit-like defects detected by an LPD inspection, present on the surface of an SOI layer, and having a size of 0.19 mu m or more is less than 1 count/cm . No SOI islands are produced in separation and the density of LPD defects present on the surface of the SOI wafer is lowered. Its manufacturing method is also disclosed. Defective devices are reduced.
摘要翻译：通过离子注入分离方法制造的SOI晶片，其中形成在SOI晶片边缘并且基底晶片表面暴露的露台区域的SOI岛区域的宽度小于1mm，存在于SOI层的表面上并且具有0.19μm或更大的尺寸的LPD检查所检测到的类似缺陷小于1个/ cm 2。在分离中不产生SOI岛，并且SOI晶片表面上存在的LPD缺陷的密度降低。还公开了其制造方法。缺陷设备减少。

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