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1. 发明申请

WO2012086122A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2012086122A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/JP2011/006430
申请日：2011-11-18
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 横川功 , 岡哲史
发明人：阿賀　浩司 , 横川　功 , 岡　哲史
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/31111 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の外周端が、埋め込み酸化膜の外周端よりも外側に位置した構造となるように、該埋め込み酸化膜の外周部を除去する処理を行い、その後、ＳＯＩウェーハに水素を含む還元性雰囲気もしくは塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理を行った後、ＳＯＩ層の表面にエピタキシャル層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法である。これによって、イオン注入剥離法により作製されたテラス部にシリコン酸化膜のないＳＯＩウェーハに、渓谷状の段差を発生させることなくエピタキシャル成長を行い、所望のＳＯＩ層厚を有するＳＯＩウェーハを製造できる方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种制造SOI晶片的方法，以便制造其中SOI晶片的SOI层的外周边缘位于嵌入的氧化膜的外周边缘外侧的结构。这是通过进行处理以去除嵌入的氧化物膜的外周，然后在含有氢或含有氯化氢气体的气氛的还原性气氛中对SOI晶片进行热处理，然后在其表面上形成外延层 SOI层。以这种方式，提供了一种方法，通过在不包括在平台部分中的氧化硅膜的SOI晶片上进行外延生长而不产生谷状步骤，可以制造具有期望的SOI层厚度的SOI晶片通过离子注入/分离方法制造。

2. 发明申请

WO2006051730A1 半導体ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2006051730A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020185
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/76254 , Y10S117/915
摘要：　本発明は少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉ１－ＸＧｅＸ層（０＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成長させ、該Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離する剥離処理を行い、少なくとも前記剥離処理を行う際の温度以上の温度で前記貼り合わせ面を結合させる結合熱処理を行なった後、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のＳｉ層を除去する半導体ウェーハの製造方法である。これによりＳＧＯＩウェーハやＧＯＩウェーハにおいて、歪みを有するＳｉＧｅ層に格子緩和が発生せず、格子が十分に歪んでおり、高速の半導体デバイスの作製に適する半導体ウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：在硅单晶晶片的表面上外延生长其中Si 1-X Ge x X层（0 层，Si 1-X＆lt; X＆gt; X＆gt;层的表面和基底晶片通过绝缘膜紧密地接合，在离子注入层中进行带状加工，加热在不低于进行剥离处理的温度的温度下进行用于接合粘合表面的处理，然后通过剥离从移动到基底晶片侧的带层去除Si层。因此，提供了适用于制造高性能半导体器件的半导体晶片的方法，其中在具有应变的SiGe层和晶格中不发生晶格弛豫，在SGOI晶片或GOI晶片中被充分地应变。

3. 发明申请

WO2005069374A1 貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法审中-公开
标题翻译：用于测量粘结应变片的应变量的方法
公开(公告)号：WO2005069374A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000165
申请日：2005-01-11
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功
发明人：横川功
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G01N23/207 , G01N2223/607 , G01N2223/6116 , H01L21/76251
摘要：　本発明は、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法である。これにより、貼り合せ歪みウェーハにおいて、Ｘ線回折法により、歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量をより短時間で簡便に測定することを可能にする歪み量測定方法が提供される。
摘要翻译：一种用于通过接合方法测量在单晶衬底上形成至少一个应变层的粘结应变晶片的应变量的方法。用于测量应变量的方法的特征在于，通过X射线衍射法测量至少具有结合应变晶片的衍射平面指数（XYZ）和（-X-YZ）的两个不对称衍射面，倒数从测量数据生成晶格空间图，并根据来自单晶基板的峰值位置和出现在互晶格空间图上的应变层的衍射面计算应变层的应变量。由此，可以通过X射线衍射法在短时间内容易地测定接合应变晶片的应变层的水平方向和垂直方向的应变量。

4. 发明申请

WO2005027214A1 積層基板の洗浄方法及び基板の貼り合わせ方法並びに貼り合せウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：多层基板清洗方法，基板接合方法和粘结方法制造方法
公开(公告)号：WO2005027214A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/012960
申请日：2004-09-07
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 三谷清
发明人：横川功 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、積層基板最表層のＳｉＧｅ層表面に保護膜を形成し、その後保護膜をエッチング可能な洗浄液により保護膜が残存するよう洗浄する積層基板の洗浄方法及び該方法で洗浄した積層基板の最表層と他基板の表面とを貼り合わせる基板の貼り合わせ方法並びにＳｉ単結晶ボンドウェーハの表面にＳｉ１−ＸＧｅＸ層、保護層を順次形成し、保護層を通してイオン注入してイオン注入層を形成し、ボンドウェーハを洗浄し、保護層表面とベースウェーハとを密着させ、イオン注入層で剥離を行い、剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層の表面に熱酸化膜を形成、除去して濃縮ＳｉＧｅ層を露出させ、その表面にＳｉ単結晶層をエピタキシャル成長させる貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより積層基板最表層のＳｉＧｅ層の面荒れを防止する洗浄方法及び貼り合わせ方法並びにイオン注入に伴う貼り合わせ不良を防止する貼り合せウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种清洗多层基板的方法，该清洗液能够以保护膜被留下的方式蚀刻形成在多层基板的最外层的SiGe层的表面上的保护膜。一种通过上述方法清洁的多层基板的结合方法，使得多层基板的最外层与另一基板的表面接合。在Si单晶接合晶片上依次形成Si1-xGex层和保护层的接合晶片制造方法，通过保护膜注入离子以形成离子注入层，清洗接合晶片，保护层的表面与基底晶片紧密接触，在离子注入层进行分离，在通过分离转移到基底晶片的分离层的表面上形成热氧化层，热去除氧化物层以露出浓度SiGe层，并且在浓度SiGe层的表面上外延生长Si单晶层。通过这些，提供了不会使作为多层基板的最外层的SiGe层的表面的粗糙化的清洗方法，可以防止由于离子注入导致的不良接合的接合方法和接合晶片制造方法。

5. 发明申请

WO2006092886A1 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ审中-公开
标题翻译：制造粘结波形和粘结波形的方法
公开(公告)号：WO2006092886A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2005/020202
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 武井時男 , 吉澤重幸 , 宮崎進 , 横川功 , 能登宣彦
发明人：武井時男 , 吉澤重幸 , 宮崎進 , 横川功 , 能登宣彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/31111
摘要：　本発明は、少なくともベースウエーハとボンドウエーハとを貼り合わせて作製した、貼り合わせウエーハの外周部のテラス部の酸化膜をエッチングする工程を有する貼り合わせウエーハを製造する方法であって、前記テラス部の酸化膜のエッチングは、前記貼り合わせウエーハを保持して回転させながら、スピンエッチングにより行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法である。これにより、ベースウエーハ裏面の酸化膜をエッチングすることなく、ベースウエーハのテラス部に形成された酸化膜を効率的にエッチングする貼り合わせウエーハの製造方法を提供する。
摘要翻译：公开了一种用于制造接合晶片的方法，该方法包括：通过至少接合基底晶片和接合晶片而形成的接合晶片边缘的平台部分中的氧化膜蚀刻步骤。这种接合晶片的制造方法的特征在于，在保持和旋转接合的晶片的同时，通过旋转蚀刻来进行露台部分中的氧化膜的蚀刻。通过这种方法，可以有效地蚀刻形成在基底晶片的平台部分中的氧化膜，而不会蚀刻基底晶片背面的氧化膜。

6. 发明申请

WO2003049189A1 貼り合わせウエーハおよび貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光砂浆和生产抛光砂浆的方法
公开(公告)号：WO2003049189A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012277
申请日：2002-11-25
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
发明人：三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
摘要： A pasted wafer having a silicon single crystal layer stacked on a silicon single crystal wafer, characterized in that the silicon single crystal layer has a crystal face orientation {110} and the silicon single crystal wafer has a crystal face orientation {100}. A method for producing a pasted wafer characterized in that a first silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {110} and a second silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {100} are pasted together directly or through an insulating film and then the first silicon single crystal wafer is made thin. According to the method, a wafer that can provide an MIS device having excellent characteristics utilizing a silicon single crystal wafer of {110} can be provided.
摘要翻译：在硅单晶晶片上堆积硅单晶层的粘贴晶片，其特征在于，所述硅单晶层具有晶面取向{110}，所述硅单晶晶片具有晶面取向{100}。一种粘贴晶片的制造方法，其特征在于，具有晶面取向{110}的第一硅单晶晶片和具有晶面取向{100}的第二硅单晶晶片直接或通过绝缘膜粘贴在一起，然后使第一硅单晶晶片变薄。根据该方法，可以提供利用{110}的硅单晶晶片提供具有优异特性的MIS器件的晶片。

7. 发明申请

WO2013046525A1 貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于计算粘结SOI波形的加热的方法和制造粘结的SOI波形的方法
公开(公告)号：WO2013046525A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/005214
申请日：2012-08-21
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 水澤康
发明人：横川　功 , 阿賀　浩司 , 水澤　康
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L22/12 , G01B11/306 , G01B21/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L22/20
摘要：　本発明は、ボンドウェーハ及びベースウェーハのうちのいずれか一方の表面、あるいはその両方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなる構造のエピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハを作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りＡを算出し、前記エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハの前記ＢＯＸ層の厚さに起因する反りＢを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りＣとし、これらの反りの総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を、前記貼り合わせＳＯＩウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法である。これにより、貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを予め算出する方法、更に、その算出方法を用いることによって、所望の反りを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种用于计算接合的SOI晶片的翘曲的方法。通过在接合晶片表面或基底晶片表面或其两个表面上形成热氧化膜来制造具有由基底晶片上的BOX层和BOX层上的SOI层构成的结构的SOI外延晶片，并将所述接合晶片和所述基底晶片，然后使所述接合晶片变薄。通过生长外延层来制造键合的SOI晶片。用于计算接合SOI晶片的翘曲的方法包括：在假设所述SOI外延晶片是具有与所述硅单晶晶体相同的掺杂剂浓度的硅单晶晶片的情况下，计算对于假定的硅单晶晶片进行外延生长时产生的翘曲（A）所述接合晶片，由于所述SOI外延晶片的BOX层的厚度而计算翘曲（B），将所述基底晶片的翘曲的实际测量值设定为翘曲（C），并计算所述SOI外延片的总和翘曲（A + B + C）作为键合SOI晶片的翘曲。因此，提供了一种通过使用该计算方法预先计算接合的SOI晶片的翘曲的方法和具有期望的翘曲的接合的SOI晶片的制造方法。

8. 发明申请

WO2012081164A1 貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造粘结SOI波形的方法
公开(公告)号：WO2012081164A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/JP2011/006164
申请日：2011-11-04
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 加藤正弘 , 岡哲史
发明人：横川　功 , 加藤　正弘 , 岡　哲史
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：　本発明は、貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法であって、前記結合熱処理として、９５０℃未満の温度で前記ＳＯＩ層表面に酸化膜を形成するための酸化熱処理を行った後に、５％以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で熱処理を行い、該酸化膜を除去した後、前記ＳＯＩ層の減厚を伴う平坦化処理を行い、その後、該平坦化処理を行った前記ＳＯＩ層の表面にエピタキシャル成長を行うことを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法である。これにより、イオン注入剥離法を用いて作製した貼り合わせウエーハのＳＯＩ層の表面上にエピタキシャル成長を行った場合に該エピタキシャル層の欠陥密度が少ない貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种接合SOI晶片的制造方法，其特征在于，在进行氧化热处理后，作为结合热处理，在低于950℃的SOI层的表面上形成氧化膜，在含有5％以下的氧的惰性气体气氛中，在1000℃以上的温度下进行热处理，在除去氧化膜之后，进行SOI层的厚度减小的平坦化，然后在如此平坦化的SOI层的表面上进行外延生长。因此，提供了用于制造接合SOI晶片的方法，所述接合SOI晶片在外延生长中在外延生长的情况下具有较低的缺陷密度，所述外延生长在使用离子注入剥离法。

9. 发明申请

WO2011027545A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产SOI WAFER的方法
公开(公告)号：WO2011027545A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/JP2010/005371
申请日：2010-09-01
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 加藤正弘 , 今井正幸
发明人：横川　功 , 加藤　正弘 , 今井　正幸
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L29/78603
摘要：　本発明は、ＳＯＩウェーハに対してアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法において、前記平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の厚さがＢＯＸ層の厚さの１．４倍以上になるように、前記ＳＯＩウェーハの作製条件を設定し、かつ、前記平坦化熱処理を行ったＳＯＩウェーハの前記ＳＯＩ層に対して犠牲酸化処理を行って前記ＳＯＩ層の厚さを前記ＢＯＸ層の厚さの１．４倍未満にまで減ずるＳＯＩウェーハの製造方法である。これにより、ＳＯＩウェーハの製造において、平坦化熱処理によるボイドの巨大化を防止しながら高平坦度で膜厚均一性が高いＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを歩留まり良く製造できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
摘要翻译：公开了一种用于制造SOI晶片的方法，其中在含氩气的气氛中对SOI晶片进行平面化热处理。 SOI晶片的制造方法的特征在于，SOI晶片的制造条件被设定为使得SOI层的厚度为要进行平坦化热的SOI水中BOX层的厚度的1.4倍以上处理，并且通过在平坦化热处理之后对SOI晶片的SOI层进行牺牲氧化处理，将SOI层的厚度减小到BOX层的厚度的1.4倍以下。因此，通过SOI晶片的制造方法，可以高产率地制造具有高平坦度和高均匀度的具有SOI层的SOI晶片，同时防止由于在平坦化热处理期间的空隙变得非常大生产SOI晶圆。

10. 发明申请

WO2004010505A1 ＳＯＩウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER及其生产方法
公开(公告)号：WO2004010505A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/009006
申请日：2003-07-16
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 横川功
发明人：三谷清 , 横川功
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26533
摘要：　ＳＯＩ層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。具体的には、ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６'までエッチバックする。
摘要翻译：即使SOI层的所需膜厚度非常低，SOI晶片的制造方法也能够将晶片间膜厚均匀性和晶片间膜厚均匀性均匀化到足够低的水平。具体地，在接合晶片（1）中形成剥离离子注入层（4），并且在比剥离离子注入层（4）更浅的位置形成蚀刻停止离子注入层（6）。然后，在形成有两个离子注入层（4,6）的接合晶片（1）与基底晶片（7）连接之后，将接合硅单晶薄膜（5）从接合晶片（1）上剥离，通过剥离离子注入层（4）。并且，通过该剥离将粘合在基底晶片（7）上的键合硅单晶薄膜（5）的前层蚀刻回到基于蚀刻停止离子注入层形成的蚀刻停止层（6'）（6）。

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