专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004075298A1 ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ审中-公开
标题翻译： SOI WAFER和SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2004075298A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001557
申请日：2004-02-13
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26533
摘要：　本発明は、少なくとも、シリコンウエーハの一方の主表面から酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコンウエーハに前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変える酸化膜形成熱処理を行って、埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造する方法において、前記シリコンウエーハに埋め込み酸化膜を形成する際に、前記製造されるＳＯＩウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして埋め込み酸化膜の形成を行い、その後、該埋め込み酸化膜を形成したシリコンウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法である。これにより、ＳＩＭＯＸ法を用いて、膜厚が薄くかつ完全性の高い埋め込み酸化膜を有し、またＳＯＩ層の結晶性及び表面品質が極めて良好な高品質のＳＯＩウエーハを製造できるＳＯＩウエーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种用于制造在掩埋氧化膜上具有SOI层的SOI晶片的方法，其中至少通过从其一个主表面将氧离子注入到硅晶片中而形成氧离子注入层，然后对硅晶片进行氧化将氧离子注入层转化为掩埋氧化膜的成膜热处理的特征在于，首先在硅晶片中形成掩埋氧化膜，使其厚度大于目标的最终掩埋氧化膜的厚度并且在具有用于减小掩埋氧化膜的厚度的掩埋氧化膜的硅晶片上进行热处理。通过这种方法，可以通过SIMOX工艺制造包括具有高完整性的薄掩埋氧化物膜和具有非常好的结晶度和表面质量的SOI层的高品质SOI晶片。

2. 发明申请

WO2006092886A1 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ审中-公开
标题翻译：制造粘结波形和粘结波形的方法
公开(公告)号：WO2006092886A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2005/020202
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 武井時男 , 吉澤重幸 , 宮崎進 , 横川功 , 能登宣彦
发明人：武井時男 , 吉澤重幸 , 宮崎進 , 横川功 , 能登宣彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/31111
摘要：　本発明は、少なくともベースウエーハとボンドウエーハとを貼り合わせて作製した、貼り合わせウエーハの外周部のテラス部の酸化膜をエッチングする工程を有する貼り合わせウエーハを製造する方法であって、前記テラス部の酸化膜のエッチングは、前記貼り合わせウエーハを保持して回転させながら、スピンエッチングにより行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法である。これにより、ベースウエーハ裏面の酸化膜をエッチングすることなく、ベースウエーハのテラス部に形成された酸化膜を効率的にエッチングする貼り合わせウエーハの製造方法を提供する。
摘要翻译：公开了一种用于制造接合晶片的方法，该方法包括：通过至少接合基底晶片和接合晶片而形成的接合晶片边缘的平台部分中的氧化膜蚀刻步骤。这种接合晶片的制造方法的特征在于，在保持和旋转接合的晶片的同时，通过旋转蚀刻来进行露台部分中的氧化膜的蚀刻。通过这种方法，可以有效地蚀刻形成在基底晶片的平台部分中的氧化膜，而不会蚀刻基底晶片背面的氧化膜。

3. 发明申请

WO2003049189A1 貼り合わせウエーハおよび貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光砂浆和生产抛光砂浆的方法
公开(公告)号：WO2003049189A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012277
申请日：2002-11-25
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
发明人：三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
摘要： A pasted wafer having a silicon single crystal layer stacked on a silicon single crystal wafer, characterized in that the silicon single crystal layer has a crystal face orientation {110} and the silicon single crystal wafer has a crystal face orientation {100}. A method for producing a pasted wafer characterized in that a first silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {110} and a second silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {100} are pasted together directly or through an insulating film and then the first silicon single crystal wafer is made thin. According to the method, a wafer that can provide an MIS device having excellent characteristics utilizing a silicon single crystal wafer of {110} can be provided.
摘要翻译：在硅单晶晶片上堆积硅单晶层的粘贴晶片，其特征在于，所述硅单晶层具有晶面取向{110}，所述硅单晶晶片具有晶面取向{100}。一种粘贴晶片的制造方法，其特征在于，具有晶面取向{110}的第一硅单晶晶片和具有晶面取向{100}的第二硅单晶晶片直接或通过绝缘膜粘贴在一起，然后使第一硅单晶晶片变薄。根据该方法，可以提供利用{110}的硅单晶晶片提供具有优异特性的MIS器件的晶片。

4. 发明申请

WO2004010505A1 ＳＯＩウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER及其生产方法
公开(公告)号：WO2004010505A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/009006
申请日：2003-07-16
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 横川功
发明人：三谷清 , 横川功
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26533
摘要：　ＳＯＩ層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。具体的には、ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６'までエッチバックする。
摘要翻译：即使SOI层的所需膜厚度非常低，SOI晶片的制造方法也能够将晶片间膜厚均匀性和晶片间膜厚均匀性均匀化到足够低的水平。具体地，在接合晶片（1）中形成剥离离子注入层（4），并且在比剥离离子注入层（4）更浅的位置形成蚀刻停止离子注入层（6）。然后，在形成有两个离子注入层（4,6）的接合晶片（1）与基底晶片（7）连接之后，将接合硅单晶薄膜（5）从接合晶片（1）上剥离，通过剥离离子注入层（4）。并且，通过该剥离将粘合在基底晶片（7）上的键合硅单晶薄膜（5）的前层蚀刻回到基于蚀刻停止离子注入层形成的蚀刻停止层（6'）（6）。

5. 发明申请

WO2003003434A1 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体薄膜的方法和生产太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2003003434A1
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/JP2002/005718
申请日：2002-06-10
申请人：信越半導体株式会社 , 阿部孝夫 , 横川功
发明人：阿部孝夫 , 横川功
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： After a hydrogen high−concentration layer having a concentration peak at a position at least 5 μm deep from a main surface is formed in a depth−direction hydrogen concentration profile by implanting hydrogen minus ions into a semiconductor crystal substrate from the main surface thereof, a semiconductor thin film is separated from the semiconductor crystal substrate in the hydrogen high−concentration layer. Accordingly, a method of producing a semiconductor thin film is provided that can produce with high yield and efficiency a semiconductor thin film which is thicker than a lower−limit value by a conventional smart−cut method and therefore is suitable for a solar cell or the like.
摘要翻译：通过从其主表面向氢氧离子注入半导体晶体基板中，在深度方向的氢浓度分布形成从主表面至少5μm深的位置处具有浓度峰的氢高浓度层，半导体薄膜与氢高浓度层中的半导体晶体基板分离。因此，提供一种制造半导体薄膜的方法，其可以通过常规的智能切割方法以高产率和高效率产生比下限值更厚的半导体薄膜，因此适用于太阳能电池或喜欢。

6. 发明申请

WO2006051730A1 半導体ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2006051730A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020185
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/76254 , Y10S117/915
摘要：　本発明は少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉ１－ＸＧｅＸ層（０＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成長させ、該Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記Ｓｉ１－ＸＧｅＸ層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離する剥離処理を行い、少なくとも前記剥離処理を行う際の温度以上の温度で前記貼り合わせ面を結合させる結合熱処理を行なった後、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のＳｉ層を除去する半導体ウェーハの製造方法である。これによりＳＧＯＩウェーハやＧＯＩウェーハにおいて、歪みを有するＳｉＧｅ層に格子緩和が発生せず、格子が十分に歪んでおり、高速の半導体デバイスの作製に適する半導体ウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：在硅单晶晶片的表面上外延生长其中Si 1-X Ge x X层（0 层，Si 1-X＆lt; X＆gt; X＆gt;层的表面和基底晶片通过绝缘膜紧密地接合，在离子注入层中进行带状加工，加热在不低于进行剥离处理的温度的温度下进行用于接合粘合表面的处理，然后通过剥离从移动到基底晶片侧的带层去除Si层。因此，提供了适用于制造高性能半导体器件的半导体晶片的方法，其中在具有应变的SiGe层和晶格中不发生晶格弛豫，在SGOI晶片或GOI晶片中被充分地应变。

7. 发明申请

WO2005069374A1 貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法审中-公开
标题翻译：用于测量粘结应变片的应变量的方法
公开(公告)号：WO2005069374A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000165
申请日：2005-01-11
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功
发明人：横川功
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G01N23/207 , G01N2223/607 , G01N2223/6116 , H01L21/76251
摘要：　本発明は、貼り合わせ法により単結晶基板上に少なくとも一層の歪み層が形成された貼り合せ歪みウェーハの歪み量測定方法であって、少なくとも、前記貼り合わせ歪みウェーハをＸ線回折法により回折面指数（ＸＹＺ）、（−Ｘ−ＹＺ）の２つの非対称回折面について測定し、前記測定データから逆格子空間マップを作成し、前記逆格子空間マップ上に現れる前記単結晶基板及び前記歪み層の前記各回折面からのピーク位置から、前記歪み層の歪み量を算出することを特徴とする歪み量測定方法である。これにより、貼り合せ歪みウェーハにおいて、Ｘ線回折法により、歪み層の水平方向、垂直方向の歪み量をより短時間で簡便に測定することを可能にする歪み量測定方法が提供される。
摘要翻译：一种用于通过接合方法测量在单晶衬底上形成至少一个应变层的粘结应变晶片的应变量的方法。用于测量应变量的方法的特征在于，通过X射线衍射法测量至少具有结合应变晶片的衍射平面指数（XYZ）和（-X-YZ）的两个不对称衍射面，倒数从测量数据生成晶格空间图，并根据来自单晶基板的峰值位置和出现在互晶格空间图上的应变层的衍射面计算应变层的应变量。由此，可以通过X射线衍射法在短时间内容易地测定接合应变晶片的应变层的水平方向和垂直方向的应变量。

8. 发明申请

WO2005027214A1 積層基板の洗浄方法及び基板の貼り合わせ方法並びに貼り合せウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：多层基板清洗方法，基板接合方法和粘结方法制造方法
公开(公告)号：WO2005027214A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/012960
申请日：2004-09-07
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 三谷清
发明人：横川功 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、積層基板最表層のＳｉＧｅ層表面に保護膜を形成し、その後保護膜をエッチング可能な洗浄液により保護膜が残存するよう洗浄する積層基板の洗浄方法及び該方法で洗浄した積層基板の最表層と他基板の表面とを貼り合わせる基板の貼り合わせ方法並びにＳｉ単結晶ボンドウェーハの表面にＳｉ１−ＸＧｅＸ層、保護層を順次形成し、保護層を通してイオン注入してイオン注入層を形成し、ボンドウェーハを洗浄し、保護層表面とベースウェーハとを密着させ、イオン注入層で剥離を行い、剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層の表面に熱酸化膜を形成、除去して濃縮ＳｉＧｅ層を露出させ、その表面にＳｉ単結晶層をエピタキシャル成長させる貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより積層基板最表層のＳｉＧｅ層の面荒れを防止する洗浄方法及び貼り合わせ方法並びにイオン注入に伴う貼り合わせ不良を防止する貼り合せウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种清洗多层基板的方法，该清洗液能够以保护膜被留下的方式蚀刻形成在多层基板的最外层的SiGe层的表面上的保护膜。一种通过上述方法清洁的多层基板的结合方法，使得多层基板的最外层与另一基板的表面接合。在Si单晶接合晶片上依次形成Si1-xGex层和保护层的接合晶片制造方法，通过保护膜注入离子以形成离子注入层，清洗接合晶片，保护层的表面与基底晶片紧密接触，在离子注入层进行分离，在通过分离转移到基底晶片的分离层的表面上形成热氧化层，热去除氧化物层以露出浓度SiGe层，并且在浓度SiGe层的表面上外延生长Si单晶层。通过这些，提供了不会使作为多层基板的最外层的SiGe层的表面的粗糙化的清洗方法，可以防止由于离子注入导致的不良接合的接合方法和接合晶片制造方法。

9. 发明申请

WO2006043471A1 半導体ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体制造方法
公开(公告)号：WO2006043471A1
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：PCT/JP2005/018929
申请日：2005-10-14
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 能登宣彦
发明人：横川功 , 能登宣彦
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02664
摘要：　本発明は半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させ、該ＳｉＧｅ層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ＳｉＧｅ層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のＳｉ層を除去することによりＳｉＧｅ層を露出させ、その後該露出したＳｉＧｅ層に対して、酸化性雰囲気下でＧｅを濃縮する熱処理及び／又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。これにより格子緩和が十分に行なわれ、表面の面粗れが抑制され、かつ結晶性のよいＳｉＧｅ層を有する半導体ウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：在作为接合晶片的硅单晶晶片的表面上至少外延生长SiGe层，至少通过SiGe层注入氢离子或稀有气体离子，在接合晶片。 SiGe层的表面和基底晶片的表面通过绝缘膜紧密接触并接合，然后通过离子注入层进行剥离，并将剥离层的Si层转移到基底晶片上一边通过剥离被去除以露出SiGe层。然后，对暴露的SiGe层进行在氧化气氛下使Ge浓缩和/或热处理的热处理，以改善非氧化性气氛下的晶格畸变。因此，提供一种具有SiGe层的半导体晶片的制造方法，该SiGe层充分进行晶格变形并且具有抑制表面粗糙度和优异结晶度的方法。

10. 发明申请

WO2006033292A1 半導体ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2006033292A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/JP2005/017120
申请日：2005-09-16
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 能登宣彦 , 三谷清
发明人：横川功 , 能登宣彦 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： C30B33/06 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02694
摘要：　本発明は半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ＳＯＩウェーハ上にＳｉ１－ＸＧｅＸ層（０＜Ｘ＜１）をエピタキシャル成長し、該エピタキシャル成長したＳｉ１－ＸＧｅＸ層上にＳｉ１－ＹＧｅＹ層（０≦Ｙ＜Ｘ）を形成した後、酸化熱処理により前記エピタキシャル成長したＳｉ１－ＸＧｅＸ層のＧｅを濃縮して濃縮ＳｉＧｅ層とする工程を含み、前記酸化熱処理は、少なくとも、酸化性雰囲気下で９５０°C以下から開始し、９５０°Cまで昇温する間は、前記形成したＳｉ１－ＹＧｅＹ層を残存させるように酸化させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。これによりＳＧＯＩウェーハのＳｉＧｅ層の格子緩和を短時間の熱処理で十分に行なうことができ、製造コストを下げることができる半導体ウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，其包括外延生长Si <

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式