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1. 发明专利

TWI390345B 光阻材料及使用其之圖型形成方法有权
简体标题：光阻材料及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TWI390345B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW096138881
申请日：2007-10-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 吉原隆夫 , YOSHIHARA, TAKAO , 原田裕次 , HARADA, YUJI , 草木涉 , KUSAKI, WATARU
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , C08F220/10 , C08F212/14 , C08F216/12
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/10 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/143

2. 发明专利

TWI470016B 正型抗蝕材料及圖型之形成方法有权
简体标题：正型抗蚀材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI470016B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100102640
申请日：2011-01-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：草木涉 , KUSAKI, WATARU , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C08K5/29 , C08K5/3492 , C08K5/05 , C08K5/37 , C08K5/17 , C08K5/20 , C08K5/205 , C08F20/26 , C08K5/375 , C08K5/42 , C08K5/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/2041

3. 发明专利

TWI382994B 高分子化合物、光阻材料、及圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料、及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI382994B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW096137144
申请日：2007-10-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 , HARADA, YUJI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 吉原隆夫 , YOSHIHARA, TAKAO , 草木涉 , KUSAKI, WATARU , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： C08F220/32 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F24/00 , C08F220/32 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111

4. 发明专利

TW200302953A 負型光阻材料及使用其形成圖型之方法审中-公开
简体标题：负型光阻材料及使用其形成图型之方法
公开(公告)号：TW200302953A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW092102578
申请日：2003-02-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , 渡邊修 , 草木涉 , 小板橋龍二
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/143
摘要：提供一種負型光阻材料，特別是化學增幅負型光阻材料；其特點為高感度以及高解像度、曝光充裕度，具製程(Process)適應性，曝光後之圖型形狀良好，顯示優異的耐浸蝕(Etching)性。負型光阻材料，其特徵為含有至少具有式(1)所示的重覆單位、重量平均分子量為1,000～500,000的高分子化合物。092102578p01.bmp
简体摘要：提供一种负型光阻材料，特别是化学增幅负型光阻材料；其特点为高感度以及高解像度、曝光充裕度，具制程(Process)适应性，曝光后之图型形状良好，显示优异的耐浸蚀(Etching)性。负型光阻材料，其特征为含有至少具有式(1)所示的重复单位、重量平均分子量为1,000～500,000的高分子化合物。092102578p01.bmp

5. 发明专利

TWI377444B 含氮有機化合物，光阻材料及圖型之形成方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：含氮有机化合物，光阻材料及图型之形成方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI377444B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW096139871
申请日：2007-10-24
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊武 , 大澤洋一 , 大橋正樹 , 草木涉 , 小林知洋
IPC分类号： G03F , H01L , C07D
CPC分类号： G03F7/0392 , C07D233/60 , C07D235/06 , C07D295/088 , G03F7/0045 , G03F7/0382
摘要：一種光阻材料，其為含有通式(1)所表示之具有含氮雜環之分子量380以上的含氮有機化合物作為抑制劑(Quencher)。
(1)
(式中，R1為與兩端所鍵結之氮原子同時形成含氮雜脂肪族環或含氮雜芳香族環之碳數2~20的2價之取代基，其可含有氧原子、氮原子、硫原子或鹵素原子。R2為碳數2~10之可含有羰基之伸烷基。R3為碳數22~50之可含有羥基、羰基、酯基、醚基或氰基之烷基或醯基)。
含有本發明之含氮有機化合物的光阻材料，可提供高解析性與良好之光罩被覆率依賴性，而適合利用於使用電子線或遠紫外線之微細加工，並適合作為超LSI製造用之微細圖型形成材料。
简体摘要：一种光阻材料，其为含有通式(1)所表示之具有含氮杂环之分子量380以上的含氮有机化合物作为抑制剂(Quencher)。 (1) (式中，R1为与两端所键结之氮原子同时形成含氮杂脂肪族环或含氮杂芳香族环之碳数2~20的2价之取代基，其可含有氧原子、氮原子、硫原子或卤素原子。R2为碳数2~10之可含有羰基之伸烷基。R3为碳数22~50之可含有羟基、羰基、酯基、醚基或氰基之烷基或酰基)。含有本发明之含氮有机化合物的光阻材料，可提供高解析性与良好之光罩被覆率依赖性，而适合利用于使用电子线或远紫外线之微细加工，并适合作为超LSI制造用之微细图型形成材料。

6. 发明专利

TWI377443B 光阻材料及使用其之圖型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：光阻材料及使用其之图型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI377443B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW096139683
申请日：2007-10-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：畠山潤 , 草木涉 , 原田裕次 , 吉原隆夫
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：一種於光阻(photoresist)上使用之保護膜，其於保護膜與投影透鏡之間插入水之浸液微影蝕刻步驟中，(1)防止保護膜層與光阻膜層產生混合(intermixing)，及，(2)防止顯影後因光阻表面更親水性化所造成之缺陷的發生。
其為一種光阻材料，為含有由經由酸而提高鹼溶解性之基礎樹脂所構成之高分子化合物，與，作為高分子添加劑之具有磺酸胺鹽之重複單位與至少具有1個氟原子之重複單位經共聚所得之高分子化合物為特徵。
简体摘要：一种于光阻(photoresist)上使用之保护膜，其于保护膜与投影透镜之间插入水之浸液微影蚀刻步骤中，(1)防止保护膜层与光阻膜层产生混合(intermixing)，及，(2)防止显影后因光阻表面更亲水性化所造成之缺陷的发生。其为一种光阻材料，为含有由经由酸而提高碱溶解性之基础树脂所构成之高分子化合物，与，作为高分子添加剂之具有磺酸胺盐之重复单位与至少具有1个氟原子之重复单位经共聚所得之高分子化合物为特征。

7. 发明专利

TW201202324A 正型抗蝕材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型抗蚀材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201202324A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100102640
申请日：2011-01-25
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：草木涉 , 金生剛 , 渡邊武
IPC分类号： C08K , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：本發明為一種正型抗蝕材料，其係含有感應活性光線或放射線而產生酸之化合物，與因酸之作用而於鹼顯像液中成為可溶之樹脂成分，其樹脂成分中之因酸之作用而產生之樹脂可溶化基之至少一部份為羧基，其特徵為含有將羧基活性化或縮合之化合物。藉由本發明之抗蝕材料，於微細加工技術中，即所謂的微影術技術中可得到具有極高解像性，且具良好遮罩忠實性之抗蝕圖型，對於精密之微細加工係極為有用者。
简体摘要：本发明为一种正型抗蚀材料，其系含有感应活性光线或放射线而产生酸之化合物，与因酸之作用而于碱显像液中成为可溶之树脂成分，其树脂成分中之因酸之作用而产生之树脂可溶化基之至少一部份为羧基，其特征为含有将羧基活性化或缩合之化合物。借由本发明之抗蚀材料，于微细加工技术中，即所谓的微影术技术中可得到具有极高解像性，且具良好遮罩忠实性之抗蚀图型，对于精密之微细加工系极为有用者。

8. 发明专利

TW546546B 光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW546546B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090119812
申请日：2001-08-13
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊修 , 平原和弘 , 前田和規 , 草木涉 , 名蒼茂廣
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F220/30 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：一種光阻材料，其係含有下記式(1)所示重複單位之重量平均分子量為l,000至500,000之高分子化合物者；(式中，R1、R2與R3為氫原子或甲基；Z為碳數2至10之直鏈狀支鏈狀或環狀伸烷基；R4為氫原子、碳數1至10之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基，或含有氧原子之碳數1至l0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基；R5為碳數5至20之3級烷基；p、q、r為正數，且為滿足p+q+r=1之數)。本發明之光阻材料，可大幅提高曝光前後之鹼溶解速度之反差，具有高感度與高解像性，曝光後之圖型具有良好形狀，且具有優良耐蝕刻性與製程適應性，故極適合作為增幅性正型光阻材料。
简体摘要：一种光阻材料，其系含有下记式(1)所示重复单位之重量平均分子量为l,000至500,000之高分子化合物者；(式中，R1、R2与R3为氢原子或甲基；Z为碳数2至10之直链状支链状或环状伸烷基；R4为氢原子、碳数1至10之直链状、支链状或环状烷基，或含有氧原子之碳数1至l0之直链状、支链状或环状烷基；R5为碳数5至20之3级烷基；p、q、r为正数，且为满足p+q+r=1之数)。本发明之光阻材料，可大幅提高曝光前后之碱溶解速度之反差，具有高感度与高解像性，曝光后之图型具有良好形状，且具有优良耐蚀刻性与制程适应性，故极适合作为增幅性正型光阻材料。

9. 发明专利

TW536549B 新穎之及光阻材料用光酸發生劑、以及光阻材料及形成圖型之方法有权
简体标题：新颖之及光阻材料用光酸发生剂、以及光阻材料及形成图型之方法
公开(公告)号：TW536549B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW089116464
申请日：2000-08-15
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 渡邊淳 , 草木涉 , 渡邊聰 , 永田岳志 , 名倉茂廣
IPC分类号： C08L
CPC分类号： C07C309/73 , C07C309/71 , C07C381/12 , C07C2602/42 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/115 , Y10S430/122
摘要：本發明係有關一種用於可感應紫外線、遠紫外線、電子線、X線、激元激光、γ線、同步加速放射線等放射線集積迴路之增強化學性光阻材料之鹽及，光阻材料用光酸發生劑及含有此鹽之光阻材料及圖型之形成方法。
(式中，R1為碳數1～10之直鏈、支鏈或環狀之取代或末取代之烷基或碳數6～14之取代或未取代之芳基；R2可為相同或不同之氫原子或碳數1～6之直鏈、支鏈或環狀之取代或未取代之烷基；p為1～5，q為0～4之整數，且p+q=5；R3可為相同或不同之碳數1～10之直鏈、支鏈或環狀之取代或未取代之烷基，或碳數6～14之取代或未取代之芳基；M為硫原子或碘原子， M為硫原子時，a為3，M為碘原子時，a為2)。
简体摘要：本发明系有关一种用于可感应紫外线、远紫外线、电子线、X线、激元激光、γ线、同步加速放射线等放射线集积回路之增强化学性光阻材料之盐及，光阻材料用光酸发生剂及含有此盐之光阻材料及图型之形成方法。 (式中，R1为碳数1～10之直链、支链或环状之取代或末取代之烷基或碳数6～14之取代或未取代之芳基；R2可为相同或不同之氢原子或碳数1～6之直链、支链或环状之取代或未取代之烷基；p为1～5，q为0～4之整数，且p+q=5；R3可为相同或不同之碳数1～10之直链、支链或环状之取代或未取代之烷基，或碳数6～14之取代或未取代之芳基；M为硫原子或碘原子， M为硫原子时，a为3，M为碘原子时，a为2)。

10. 发明专利

TW538088B 增强化學型光阻材料有权
简体标题：增强化学型光阻材料
公开(公告)号：TW538088B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW090105442
申请日：2001-03-08
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊修 , 平原和弘 , 竹村勝也 , 草木涉 , 關明寬
IPC分类号： C08L , G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：一種增強化學型光阻材料，其係含有由下式(1)所示重複單位之Mw為1,000至500,000之高分子化合物與，式(2)所示重複單位之Mw為1,000至500,000之高分子化合物所得之高分子混合物者。
本發明之增強化學型光阻材料，因係由聚羥基苯乙烯衍生物與，聚羥基苯乙烯與(甲基)丙烯酸酯之共聚物，特別是使用三成分共聚物中二者作為光阻材料之基礎樹脂時，可較以往光阻材料具有更佳之性能，除具有乾蝕刻耐性、高感度與高解像度、製程適應性以外，亦可改善於鹼水溶液中顯像後膜厚度減少之缺點，故極適合作為增強化學型光阻材料使用。
简体摘要：一种增强化学型光阻材料，其系含有由下式(1)所示重复单位之Mw为1,000至500,000之高分子化合物与，式(2)所示重复单位之Mw为1,000至500,000之高分子化合物所得之高分子混合物者。本发明之增强化学型光阻材料，因系由聚羟基苯乙烯衍生物与，聚羟基苯乙烯与(甲基)丙烯酸酯之共聚物，特别是使用三成分共聚物中二者作为光阻材料之基础树脂时，可较以往光阻材料具有更佳之性能，除具有干蚀刻耐性、高感度与高解像度、制程适应性以外，亦可改善于碱水溶液中显像后膜厚度减少之缺点，故极适合作为增强化学型光阻材料使用。

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