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1. 发明专利

TW546546B 光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW546546B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090119812
申请日：2001-08-13
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊修 , 平原和弘 , 前田和規 , 草木涉 , 名蒼茂廣
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F220/30 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：一種光阻材料，其係含有下記式(1)所示重複單位之重量平均分子量為l,000至500,000之高分子化合物者；(式中，R1、R2與R3為氫原子或甲基；Z為碳數2至10之直鏈狀支鏈狀或環狀伸烷基；R4為氫原子、碳數1至10之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基，或含有氧原子之碳數1至l0之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基；R5為碳數5至20之3級烷基；p、q、r為正數，且為滿足p+q+r=1之數)。本發明之光阻材料，可大幅提高曝光前後之鹼溶解速度之反差，具有高感度與高解像性，曝光後之圖型具有良好形狀，且具有優良耐蝕刻性與製程適應性，故極適合作為增幅性正型光阻材料。
简体摘要：一种光阻材料，其系含有下记式(1)所示重复单位之重量平均分子量为l,000至500,000之高分子化合物者；(式中，R1、R2与R3为氢原子或甲基；Z为碳数2至10之直链状支链状或环状伸烷基；R4为氢原子、碳数1至10之直链状、支链状或环状烷基，或含有氧原子之碳数1至l0之直链状、支链状或环状烷基；R5为碳数5至20之3级烷基；p、q、r为正数，且为满足p+q+r=1之数)。本发明之光阻材料，可大幅提高曝光前后之碱溶解速度之反差，具有高感度与高解像性，曝光后之图型具有良好形状，且具有优良耐蚀刻性与制程适应性，故极适合作为增幅性正型光阻材料。

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