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1. 发明专利

TWI485186B 新穎之含矽伸苯架構的聚矽氧型高分子化合物及其製造方法有权
简体标题：新颖之含硅伸苯架构的聚硅氧型高分子化合物及其制造方法
公开(公告)号：TWI485186B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW100115963
申请日：2011-05-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 櫻井孝冬 , SAKURAI, TAKATO , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： C08G77/52
CPC分类号： C08G77/52 , C08K5/1515 , C08K5/18 , C09D183/14

2. 发明专利

TWI465847B 光罩空白基板、光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法有权
简体标题：光罩空白基板、光阻图型之形成方法及光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI465847B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097120937
申请日：2008-06-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F1/26 , H01L21/027 , G03F7/004 , C08F16/14 , C08F20/10
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392

3. 发明专利

TWI375118B 光阻底層膜材料及圖型之形成方法 BOTTOM RESIST LAYER COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 有权
简体标题：光阻底层膜材料及图型之形成方法 BOTTOM RESIST LAYER COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI375118B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW096129429
申请日：2007-08-09
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：畠山潤 , 藤井俊彥 , 武田隆信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/091
摘要：本發明之課題係提供一種於短波長之曝光中，具有最適合的n值、k值，且在基板蝕刻條件下蝕刻耐性優異，例如作為含矽之2層光阻製程、或藉由含矽之中間層的3層光阻製程的多層光阻製程用光阻底層膜有用的光阻底層膜材料。
本發明係提供一種光阻底層膜材料，其係為在微影術中使用的多層光阻膜之光阻底層膜材料，其特徵為至少含有具以下述一般式(1)所示之重複單位的聚合物。
【化35】
(1)
简体摘要：本发明之课题系提供一种于短波长之曝光中，具有最适合的n值、k值，且在基板蚀刻条件下蚀刻耐性优异，例如作为含硅之2层光阻制程、或借由含硅之中间层的3层光阻制程的多层光阻制程用光阻底层膜有用的光阻底层膜材料。本发明系提供一种光阻底层膜材料，其系为在微影术中使用的多层光阻膜之光阻底层膜材料，其特征为至少含有具以下述一般式(1)所示之重复单位的聚合物。【化35】 (1)

4. 发明专利

TW201035686A 化學增幅正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增幅正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201035686A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098144770
申请日：2009-12-24
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：田中啟順 , 武田隆信 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F , C08F , C08K , H01L
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：本發明係提供在微影時,抑制膜厚為10~100nm時之化學增幅光阻膜因薄膜化所造成LER之惡化,具有高解像性之化學增幅正型光阻組成物、及使用其之光阻圖型的形成方法。本發明之化學增幅正型光阻組成物,其係形成微影所用之化學增幅光阻膜用的化學增幅正型光阻組成物,其特徵係至少含有:(A)具有藉由三級烷基保護酚性羥基之重複單位之鹼不溶性或難溶性的樹脂,前述三級烷基脫離時,成為鹼可溶性的基底樹脂、(B)酸產生劑、(C)鹼性成分、(D)有機溶劑,調整固形分濃度,藉由旋轉塗佈可得到具有10~100nm之膜厚的前述化學增幅光阻膜者。
简体摘要：本发明系提供在微影时,抑制膜厚为10~100nm时之化学增幅光阻膜因薄膜化所造成LER之恶化,具有高解像性之化学增幅正型光阻组成物、及使用其之光阻图型的形成方法。本发明之化学增幅正型光阻组成物,其系形成微影所用之化学增幅光阻膜用的化学增幅正型光阻组成物,其特征系至少含有:(A)具有借由三级烷基保护酚性羟基之重复单位之碱不溶性或难溶性的树脂,前述三级烷基脱离时,成为碱可溶性的基底树脂、(B)酸产生剂、(C)碱性成分、(D)有机溶剂,调整固形分浓度,借由旋转涂布可得到具有10~100nm之膜厚的前述化学增幅光阻膜者。

5. 发明专利

TWI470007B 含環氧基之高分子化合物，使用此化合物之光硬化性樹脂組成物，圖型之形成方法及電氣．電子零件保護用皮膜有权
简体标题：含环氧基之高分子化合物，使用此化合物之光硬化性树脂组成物，图型之形成方法及电气．电子零件保护用皮膜
公开(公告)号：TWI470007B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099133314
申请日：2010-09-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： C08G77/52 , G03F7/004 , H05K3/28 , H01L21/027
CPC分类号： C08L83/06 , C08G77/14 , C08G77/80 , C08L83/14 , C09D183/06 , C09D183/14 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , H01L21/02118 , H01L21/312 , Y10T428/24802 , C08L2666/14

6. 发明专利

TWI456003B 新穎之聚醯亞胺聚矽氧及含其之感光性樹脂組成物以及圖型之形成方法有权
简体标题：新颖之聚酰亚胺聚硅氧及含其之感光性树脂组成物以及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI456003B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW099107150
申请日：2010-03-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田上昭平 , TAGAMI, SHOHEI , 武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： C08L79/08 , C08L83/10 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C08G77/455 , C08G73/106 , C08K5/34922 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L83/10 , G03F7/0382 , G03F7/0387

7. 发明专利

TWI435175B 光阻組成物用高分子化合物的合成方法有权
简体标题：光阻组成物用高分子化合物的合成方法
公开(公告)号：TWI435175B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW097127796
申请日：2008-07-22
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 , TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 , WATANABE, TAMOTSU
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , C08F6/04
CPC分类号： C08F6/04

8. 发明专利

TWI375865B 負型光阻材料及圖型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：负型光阻材料及图型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI375865B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW095102321
申请日：2006-01-20
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：小板橋龍二 , 渡邊保 , 武田隆信 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
摘要：本發明提供一種曝光前後之鹼溶解速度對比高，具有高感度、高解像性、顯示優異之蝕刻耐性的負型光阻材料。其特徵為含有：含式(1)所示之重覆單位的高分子化合物、與光酸產生劑、及交聯劑。
〔化1〕
(1)
(X為烷基或烷氧基；R1、R2為H、OH、烷基、可取代之烷氧基或鹵原子；R3、R4為H或CH3；n為1~4之正整數；m、k為1~5之正整數；p、q、r為正數)。
简体摘要：本发明提供一种曝光前后之碱溶解速度对比高，具有高感度、高解像性、显示优异之蚀刻耐性的负型光阻材料。其特征为含有：含式(1)所示之重复单位的高分子化合物、与光酸产生剂、及交联剂。〔化1〕 (1) (X为烷基或烷氧基；R1、R2为H、OH、烷基、可取代之烷氧基或卤原子；R3、R4为H或CH3；n为1~4之正整数；m、k为1~5之正整数；p、q、r为正数)。

9. 发明专利

TW201241090A 光硬化性樹脂組成物、其乾膜、圖型之形成方法以及電／電子零件保護用皮膜审中-公开
简体标题：光硬化性树脂组成物、其干膜、图型之形成方法以及电／电子零件保护用皮膜
公开(公告)号：TW201241090A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100136976
申请日：2011-10-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：曾我恭子 , 加藤英人 , 武田隆信
IPC分类号： C08L , C08J , G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0757 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明的解決手段在於一種光硬化性樹脂組成物，其含有：(A)具有下述通式(1)所示的重複單位之含環氧基的高分子化合物100質量份，
[R 1 ～R 4 係烴基，m為1～100之整數，a、b、c、d為0或正數，0
简体摘要：本发明的解决手段在于一种光硬化性树脂组成物，其含有：(A)具有下述通式(1)所示的重复单位之含环氧基的高分子化合物100质量份， [R 1 ～R 4 系烃基，m为1～100之整数，a、b、c、d为0或正数，0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0，X、Y系式(2)或(3)，但具有至少一个式(3)]； (B)下述式(8)所示的光酸发生剂0.05～20质量份， (C)溶剂。效果为借由使用本发明之含有含环氧基的高分子化合物及光酸产生剂之光硬化性树脂组成物或光硬化性干膜，而在平坦的基板上及具有凹凸的基板中，上述含环氧基的高分子化合物之环氧基彼此系交联，可借由宽广的波长范围之光，在宽广的膜厚进行微细的图型形成。而且，本发明的光硬化性树脂组成物特别若含有少量的环氧化合物当作交联剂，则可进一步促进交联而较佳。

10. 发明专利

TWI371658B 高分子化合物及正型光阻材料及使用其形成圖型之方法 POLYMERS, POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：高分子化合物及正型光阻材料及使用其形成图型之方法 POLYMERS, POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI371658B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW096107677
申请日：2007-03-06
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：畠山潤 , 金生剛 , 武田隆信
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F222/20 , C08F224/00 , C08F232/00 , C08F232/08 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供高能量線曝光下，高感度且具有高解像性，可抑制顯像時之膨潤，因此線邊緣粗糙度較小，顯像後之殘渣較少的正型光阻材料。
本發明係一種高分子化合物，其特徵係具有下述一般式(1a)及(1b)表示之重複單位，
(1a) (1b)
(式中，R1係表示相同或不同之氫原子或甲基，R2係氫原子、醯基或酸不安定基，R3係氫原子、甲基或－CO2R8，R4係氫原子、甲基、或－CH2CO2R8，R8係表示氫原子或烷基，X係－CH2－、－O－或－S－，但是R5~R7之全部為氫原子時，X不為－CH2－，R5~R7係氫原子、甲基、三氟甲基、或－CO2R9，R9係氫原子、烷基或氟化之烷基、或酸不安定基，n係1~3的整數，a1、b1係0
简体摘要：本发明系提供高能量线曝光下，高感度且具有高解像性，可抑制显像时之膨润，因此线边缘粗糙度较小，显像后之残渣较少的正型光阻材料。本发明系一种高分子化合物，其特征系具有下述一般式(1a)及(1b)表示之重复单位， (1a) (1b) (式中，R1系表示相同或不同之氢原子或甲基，R2系氢原子、酰基或酸不安定基，R3系氢原子、甲基或－CO2R8，R4系氢原子、甲基、或－CH2CO2R8，R8系表示氢原子或烷基，X系－CH2－、－O－或－S－，但是R5~R7之全部为氢原子时，X不为－CH2－，R5~R7系氢原子、甲基、三氟甲基、或－CO2R9，R9系氢原子、烷基或氟化之烷基、或酸不安定基，n系1~3的整数，a1、b1系0

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