专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015060841A 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015060841A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013191276
申请日：2013-09-17
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： FURUHASHI AKIYUKI , OKABE HIROAKI , TANAKA TAKANORI , WATANABE TOMOKATSU , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】炭化珪素半導体装置において、イオン注入した不純物の活性化率のばらつきに起因した電気的特性のばらつきを抑制する。【解決手段】炭化珪素半導体装置10のベース領域3は、炭化珪素からなるドリフト層2に不純物をイオン注入して形成され、レトログレードプロファイルの不純物濃度分布を有する。ベース領域3にイオン注入した不純物を電気的に活性化させるための熱処理を行った後、熱処理によりダメージを受けた半導体層の表面層を除去する。このときドリフト層2を除去する厚さは、不純物の活性化率の算出結果に基づいて決定される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制由于离子注入杂质的活化速率的波动引起的碳化硅半导体器件的电特性的变动。解决方案：碳化硅半导体器件10包括：形成的基极区域3 通过将杂质离子注入到由碳化硅构成的漂移层2中，并且具有回归曲线的杂质浓度分布。在进行用于电激活注入到基底区域3中的杂质离子的热处理之后，去除被热处理损坏的半导体层的表面层。此时，基于杂质的活化率的计算结果来确定要去除的漂移层2的厚度。

2. 发明专利

JP2014110362A Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014110362A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2012264901
申请日：2012-12-04
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE , YOSHIDA MOTOI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SiC semiconductor device which inhibits film peeling of a Cu electrode and has a high diffusion prevention effect of Cu on an element structure part; and provide a manufacturing method of the SiC semiconductor device.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method of the present embodiment comprises: (a) a process of forming a barrier metal 13 on a silicon carbide semiconductor element; (b) a process of forming on the barrier metal 13, a Cu electrode 12 in which an end of a contact surface with the barrier metal 13 is retracted behind an end of the barrier metal 13; and (c) a process of performing anisotropic etching on the barrier metal 13 in a vertical direction by using a Cu electrode 12 as a mask. The process (b) is a process of forming the Cu electrode 12 in a manner such that a width of at least a part other than a bottom which contacts the barrier metal 13 becomes wider than a width of the bottom.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制Cu电极的膜剥离并且对元件结构部分具有高扩散防止效果的SiC半导体器件; 并提供SiC半导体器件的制造方法。本实施例的碳化硅半导体器件制造方法包括：（a）在碳化硅半导体元件上形成阻挡金属13的工艺; （b）在阻挡金属13上形成有与阻挡金属13的接触表面的端部缩回阻挡金属13的端部后方的Cu电极12的工序; 以及（c）通过使用Cu电极12作为掩模在垂直方向上对阻挡金属13进行各向异性蚀刻的工序。方法（b）是以使得与阻挡金属13接触的底部以外的至少一部分的宽度比底部的宽度变宽的方式形成Cu电极12的工序。

3. 发明专利

JP2015032678A 炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造工程の管理方法有权
标题翻译：用于制造碳化硅半导体器件的方法和用于管理碳化硅半导体器件的制造步骤的方法
公开(公告)号：JP2015032678A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013160909
申请日：2013-08-02
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： OKABE HIROAKI , FURUHASHI AKIYUKI
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】本発明は、高精度の温度管理をすることで、炭化珪素半導体装置の品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造工程の管理方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、(a)炭化珪素の下地を準備する工程と、(b)下地上にカーボン保護膜20を形成する工程と、(c)下地およびカーボン保護膜に対し、熱処理を行う工程と、(d)工程(c)の後、カーボン保護膜をラマン分光法を用いて分析することで、下地上の温度を測定する工程とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过高精度地管理温度来实现碳化硅半导体器件的稳定质量和提高的产率的制造碳化硅半导体器件的方法，以及用于管理碳化硅半导体器件的制造步骤的方法解决方案：制造碳化硅半导体器件的方法包括以下步骤：（a）制备碳化硅基底; （b）在基体上形成碳保护膜20; （c）对基底和碳保护膜进行热处理; 和（d）通过在步骤（c）之后通过拉曼光谱分析碳保护膜来测量基底上的温度。

4. 发明专利

JP2009260115A Producing method of silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：生产碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2009260115A
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：JP2008108780
申请日：2008-04-18
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SAWADA TAKAO , HAMANO KENICHI , OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a producing method of silicon carbide semiconductor device for continuously performing steps up to annealing from carbon protecting film formation within one producing apparatus by reducing impurity mixture into the carbon protecting film for preventing step bunching and defects on the carbon protecting film and a silicon carbide wafer in view of obtaining a producing method of silicon carbide semiconductor device for realizing stability in quality, improvement in producing yield, and reduction in producing cost of the silicon carbide semiconductor device. SOLUTION: A step of forming the carbon protecting film 6 on the entire surface of the silicon carbide wafer 24 by supplying hydrogen carbide gas including oxygen for thermal decomposition of the hydrogen carbide gas including oxygen under the evacuated condition and a step of conducting an annealing process to the silicon carbide wafer 24 with the carbon protecting film 6 formed thereon under the evacuated condition by stopping supply of the hydrogen carbide gas including oxygen and supplying an inactive gas are performed continuously within one film forming and annealing apparatus. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件的制造方法，用于通过将杂质混合物减少到用于防止步骤聚集的碳保护膜和缺陷的连续进行到一个制造装置内的碳保护膜形成退火的步骤考虑到获得碳化硅半导体器件的制造方法，用于实现质量的稳定性，提高生产率，降低碳化硅半导体器件的成本，从而确保了碳保护膜和碳化硅晶片。解决方案：通过在抽真空条件下提供包括氧在内的包含氧的碳氢化合物气体的包含氧的碳氢化合物，在碳化硅晶片24的整个表面上形成碳保护膜6的步骤，在一个成膜和退火装置内连续地进行通过停止包括氧气的碳氢化合物供应和供给惰性气体在抽真空条件下形成的碳保护膜6的碳化硅晶片24的退火处理。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2015015395A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015015395A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013141890
申请日：2013-07-05
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/28
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：【課題】表面電極において発生する応力集中を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】表面電極12を有する半導体素子1と、開口を有し表面電極12上に形成された第一の保護層17と、第一の保護層17が有する開口内の表面電極12上に形成され、かつ、第一の保護層17の開口内から第一の保護層17に乗り上げるように形成された付加電極16と、付加電極16に電気的に接続する外部端子6と、付加電極16上に形成され付加電極16と外部端子6とを接合する接合材4とを備えた半導体装置100とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以减少表面电极上产生的应力集中的半导体器件。解决方案：半导体器件100包括：具有表面电极12的半导体元件1; 具有开口并形成在表面电极12上的第一保护层17; 在第一保护层17的开口部的表面电极12上形成有从第一保护层17的开口内侧位于第一保护层17上的附加电极16，电连接到附加电极16的外部端子6; 以及形成在附加电极16上的用于接合附加电极16和外部端子6的接合材料4。

6. 发明专利

JP2014146762A Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014146762A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013015885
申请日：2013-01-30
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YOSHIDA MOTOI , OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which has a Cu wiring electrode and is improved in reliability by suppressing a filling failure of a surface protective film made of an organic resin of the semiconductor device with a configuration manufacturable by a simple process, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: The Cu wiring electrode on a semiconductor element comprises a first metal layer 10 and a second metal layer 11 which contain Cu as a main component. A side surface of the first metal layer 10 protrudes more than a side surface 18 of a bottom part of the second metal layer 11. A protrusion 15 of the first metal layer 10 is provided at a skirt part 17 of the Cu wiring electrode to obtain a structure for suppressing a filling failure of a surface protective film 12 made of an organic resin at the skirt part 17 of the Cu wiring electrode by a simple manufacturing process, thereby obtaining the highly reliable semiconductor device.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有Cu布线电极并通过抑制由半导体器件的有机树脂制成的表面保护膜的填充故障而具有通过简单工艺制造的构造而提高可靠性的半导体器件，以及以提供其制造方法。解决方案：半导体元件上的Cu布线电极包括含有Cu作为主要成分的第一金属层10和第二金属层11。第一金属层10的侧表面比第二金属层11的底部的侧面18突出。第一金属层10的突起15设置在Cu布线电极的裙部17处，以获得通过简单的制造工艺在Cu布线电极的裙部17处抑制由有机树脂制成的表面保护膜12的填充故障的结构，从而获得高可靠性的半导体器件。

7. 发明专利

JP2014116365A Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法和硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014116365A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012267503
申请日：2012-12-06
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTOI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device manufacturing method which can suppress increase in the number of manufacturing processes and inhibit deterioration in ohmic characteristics of an alloy layer to a semiconductor substrate.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device manufacturing method comprises: a process of forming a metal layer 30 composed of a first metal on a semiconductor substrate 11 composed of a silicon carbide; a process of forming on the metal layer 30, a metal nitride film 40 obtained by nitriding of a second metal; a process of irradiating laser beams to form an alloy layer 31 of the silicon carbide of the semiconductor substrate 11 and the first metal of the metal layer 30 via the metal nitride film 40; and a process of forming an electrode 20 on the metal nitride film 40.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件的制造方法，其可以抑制制造工艺数量的增加并且抑制合金层对半导体衬底的欧姆特性的劣化。解决方案：一种碳化硅半导体器件制造方法，包括：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序; 在金属层30上形成通过氮化第二金属获得的金属氮化物膜40的工艺; 照射激光束的方法，通过金属氮化物膜40形成半导体衬底11的碳化硅的合金层31和金属层30的第一金属; 以及在金属氮化物膜40上形成电极20的工序。

8. 发明专利

JP2010245260A Method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device 有权
标题翻译：制造硅碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2010245260A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2009091973
申请日：2009-04-06
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a silicon-carbide semiconductor device suppressing degradation of current leakage characteristics and contributing to stabilization of quality and improvement of yield by improving adhesiveness between a silicon-carbide wafer and a carbon protective film formed on a surface of the silicon-carbide wafer and preventing step bunching. SOLUTION: The method includes the steps of: forming an oxidized film (6) on surfaces of silicon-carbide wafers (1, 2) in an oxidizing gas atmosphere or in an oxidizing solution; removing the oxidized film (6) in a reducing gas atmosphere; and forming the carbon protective film 7 on the surfaces of the silicon-carbide wafers (1, 2) from which the oxidized film (6) is removed in a silicon-carbide gas atmosphere. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决方案：提供一种制造碳化硅半导体器件的方法，该方法通过提高碳化硅晶片和碳保护膜之间的粘附性来抑制电流泄漏特性的劣化并有助于质量的稳定和产量的提高形成在碳化硅晶片的表面上并防止步骤聚束。解决方案：该方法包括以下步骤：在氧化气体气氛或氧化溶液中在碳化硅晶片（1,2）的表面上形成氧化膜（6）; 在还原气体气氛中除去氧化膜（6）; 并在碳化硅气氛中除去氧化膜（6）的碳化硅晶片（1,2）的表面上形成碳保护膜7。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2014107345A Silicon carbide schottky barrier diode manufacturing method 审中-公开
标题翻译：碳化硅肖特彼勒二极管制造方法
公开(公告)号：JP2014107345A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012257678
申请日：2012-11-26
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YOSHIDA MOTOI , OKABE HIROAKI , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide Schottky barrier diode without using dry etching which causes plasma damage on a silicon carbide semiconductor element.SOLUTION: A silicon carbide Schottky barrier diode of the present embodiment comprises: a process of forming an epitaxial layer 4 on a principal surface of a silicon carbide substrate 1 having the principal surface and a rear face; a process of forming a Schottky electrode layer 5 on a top face of the epitaxial layer 4; a process of forming a barrier metal layer 6 on the Schottky electrode layer 5; a process of forming an ohmic electrode layer 7 on the rear face of the silicon carbide substrate 1; a process of forming a rear face protection layer 8 in an underlayer of the ohmic electrode layer 7; a process of patterning a resist on the barrier metal layer 6 after forming the Schottky electrode layer 5, the barrier metal layer 6, the ohmic electrode layer 7 and the rear face protection layer 8 and patterning the Schottky electrode layer 5 and the barrier metal layer 6 by wet etching; and a process of forming a surface external output electrode 10 above the barrier metal layer 6.
摘要翻译：要解决的问题：提供碳化硅肖特基势垒二极管而不使用在碳化硅半导体元件上造成等离子体损伤的干蚀刻。本实施例的碳化硅肖特基势垒二极管包括：形成外延层4的工艺在具有主表面和后表面的碳化硅衬底1的主表面上; 在外延层4的顶面上形成肖特基电极层5的工序; 在肖特基电极层5上形成阻挡金属层6的工序; 在碳化硅基板1的背面形成欧姆电极层7的工序; 在欧姆电极层7的底层形成背面保护层8的工序; 在形成肖特基电极层5，阻挡金属层6，欧姆电极层7和背面保护层8之后，在阻挡金属层6上形成抗蚀剂的工艺，并将肖特基电极层5和阻挡金属层 6通过湿蚀刻; 以及在阻挡金属层6上方形成表面外部输出电极10的工序。

10. 发明专利

JP2013055214A Semiconductor device and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013055214A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2011192360
申请日：2011-09-05
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SUGAHARA KAZUYUKI , HINO SHIRO , OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which the resistance of a gate electrode and a gate contact is reduced while reducing the manufacturing cost, and to provide a manufacturing method therefor.SOLUTION: In the semiconductor device, at least the upper layer of a gate electrode 7 consists of a WSix film 72 as a second metal silicide film, the binding energy of a first metal (Ni) contained in an NiSifilm 18 as a first metal silicide film and silicon is smaller than that of a second metal (W) contained in the WSix film 72 and silicon, and x is 1.5 or more and less than 2.0 in the composition MSix (M represents the second metal) of the WSix film 72.
摘要翻译：解决的问题：提供一种在降低制造成本的同时降低栅极电极和栅极接触电阻的半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：在半导体器件中，栅电极7的至少上层由作为第二金属硅化物膜的WSix膜72构成，NiSi 2 膜18，作为第一金属硅化物膜，硅比WSix膜72和硅中所含的第二金属（W）小，并且x为1.5以上且小于2.0 在WSix薄膜72的组成物MSix（M代表第二金属）中。（C）2013，JPO和INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式