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1. 发明专利

JP2019083295A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019083295A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2017211336
申请日：2017-10-31
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：武直矢 , 児玉幸雄 , 大島正範
IPC分类号： H01L23/28 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
摘要：【課題】粗面区間を有するリードとボンディングワイヤとの間の接合強度の低下を防止する。【解決手段】半導体装置は、信号パッドを有する半導体素子と、半導体素子を封止する封止体と、信号パッドに接続されたリードとを備える。リードは、封止体の外部に位置する第1端から、封止体の内部に位置する第2端まで延びており、封止体の内部でボンディングワイヤを介して信号パッドに接続されている。リードの第1端から第2端まで延びる上面は、ボンディングワイヤが接合された接合区間と、封止体の内部に位置するとともに接合区間よりも表面粗さの大きい粗面区間とを有する。そして、粗面区間の少なくとも一部は、接合区間よりも下方に位置している。【選択図】図3

2. 发明专利

JP2018182195A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018182195A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017083034
申请日：2017-04-19
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：武直矢
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/0612 , H01L2224/08059 , H01L2224/0807 , H01L2224/45147 , H01L2224/4845 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/0483 , H01L2924/386 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】ボンディングパッド間の短絡を抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられており、アルミニウムを含有する金属によって構成されている第1ボンディングパッドと、前記半導体基板の前記上面に設けられている第2ボンディングパッド、を有している。前記第1ボンディングパッドの上面は、前記第2ボンディングパッドに近づくにつれて上方に位置するように傾斜している。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018120929A 半導体装置とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018120929A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017010629
申请日：2017-01-24
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：武直矢
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/48 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/45147 , H01L2224/48453 , H01L2224/48855 , H01L2224/49175 , H01L2224/85205 , H01L2224/85236 , H01L2224/85801 , H01L2924/0483 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/01014
摘要：【課題】半導体基板のダメージを抑制するとともに、ボンディング後の銅ワイヤーの先端の直径が大きくなることを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、銅を含有するワイヤーを、半導体基板の表面に設けられた電極パッドにボンディングする工程を有している。前記電極パッドが、その表層部に、前記ワイヤーよりも硬い硬質金属層を有している。前記硬質金属層の表面に、凹部が設けられている。ボンディング前の前記ワイヤーが、線状部と、前記線状部の先端に配置されているとともに前記線状部よりも直径が大きい球状部を有している。ボンディングする前記工程では、前記球状部を、前記凹部内にボンディングする。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2020188163A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020188163A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019092425
申请日：2019-05-15
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：武直矢 , 満永智明 , 大島正範 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/40
摘要：【課題】半導体装置の大型化を招くことなく、導体板と導体スペーサとの間のはんだ層における電流密度を低下させ得る技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、電極を有する半導体素子と、半導体素子を封止する封止体と、封止体の内部において電極に導体スペーサを介して接合された導体板を備える。導体スペーサは、導体板に対向する接合面と、接合面の周縁から半導体素子に向けて延びる側面を有している。導体スペーサの接合面は、導体板にはんだ層を介して接合されている。導体スペーサの側面は、導体板側に位置する第1範囲と、当該第1範囲よりも半導体素子側に位置する第2範囲を有している。第1範囲は、第2範囲よりもはんだ濡れ性が高く、はんだ層に接触しており、第2範囲は、第1範囲よりも表面粗さが大きく、封止体に接触している。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2018182196A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018182196A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017083043
申请日：2017-04-19
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：武直矢
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/09 , H01L24/06 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45147
摘要：【課題】ボンディングパッド間の短絡を抑制するとともに、ワイヤのボンディングの制御を簡易とする技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられており、アルミニウムを含有する金属によって構成されている第1ボンディングパッドと、前記半導体基板の前記上面に設けられている第2ボンディングパッドと、前記第1ボンディングパッドの上面から突出する第1凸部、を有している。前記第1凸部が、前記第1ボンディングパッドの前記上面のうちの、前記第1ボンディングパッドの前記第2ボンディングパッドに対向する外周縁に隣接する位置のみに設けられている。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2018129366A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018129366A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017020523
申请日：2017-02-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：武直矢 , 大野裕孝
IPC分类号： H01L21/60
摘要：【課題】幅が広い信号端子を用いる場合において、半導体装置の大型化を抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、上面と、第1側面と、第1側面に隣接する第2側面を有し、上面に、複数の第1電極パッドと、第2電極パッドが設けられた半導体チップを有する。半導体チップを上から見たときに、第1側面に沿う方向を第1方向とし、第2側面に沿う方向を第2方向とする。半導体チップの第2側面側に配置されており、第1方向に沿って伸びており、第2方向に沿って間隔を空けて配列されており、対応する第1電極パッドにワイヤを介して接続されている複数の第1信号端子と、半導体チップの第2側面側に配置されており、第1方向に沿って伸びており、第2電極パッドに複数のワイヤを介して接続されており、第1信号端子よりも第2方向における幅が広く、半導体チップの厚み方向において第1信号端子とは異なる位置に配置されている第2信号端子、を備える。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2019145573A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2019145573A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018026057
申请日：2018-02-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：児玉幸雄 , 武直矢 , 宮崎智弘
IPC分类号： H01L23/34
摘要：【課題】温度検出ダイオードと上部電極の外周縁に加わる熱応力を抑制することが可能な半導体モジュールを提案する。【解決手段】半導体モジュールは、半導体チップ、第1導体板、第2導体板、はんだ層、放熱板を有している。半導体チップは、半導体基板、半導体基板の上面に設けられた温度検出ダイオード、温度検出ダイオードを覆うように半導体基板の上面に設けられた上部電極を備えている。第1導体板は、温度検出ダイオードを覆うように上部電極上に配置されている。第2導体板は、第1導体板の上面に接続されている第1部分と、第1導体板に覆われていない範囲の上部電極に対向している第2部分とを備えている。はんだ層は、上部電極を、第1導体板の下面及び第2部分の下面に接続している。放熱板は、第2導体板の上面に接続されている。第2部分が上部電極の外周縁に対向している。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018125345A 半導体装置とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018125345A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017014502
申请日：2017-01-30
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：渡辺健雅 , 武直矢 , 児玉幸雄
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05015 , H01L2224/05076 , H01L2224/05124 , H01L2224/05184 , H01L2224/05188 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05556 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05624 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/4502 , H01L2224/45147 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/35121 , H01L2924/01014 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要：【課題】アルミスプラッシュを抑制する。【解決手段】半導体基板の上部に配置された電極パッドと、前記電極パッドにボンディングされており、銅を含有するワイヤーを有する半導体装置。前記電極パッドが、アルミニウムを含有する電極層と、前記ワイヤー及び前記電極層よりも硬い支持層を有する。前記ワイヤーが、前記電極層と前記支持層に接触している。前記支持層によって前記ワイヤーが支持され、前記電極層の変形が抑制される。これによって、アルミスプラッシュが抑制される。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2017103434A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017103434A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015237931
申请日：2015-12-04
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：門口卓矢 , 武直矢
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/52
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/3121 , H01L23/4951 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83909 , H01L24/29 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H02M7/003
摘要：【課題】半導体素子の電極とはんだ接合層との界面における金属間化合物の生成を抑制する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子と導電性部材を備える。半導体素子は、第1電極と第2電極とを有し、第1電極から第2電極へ電流が流れることを許容するとともに、第2電極から第1電極へ電流が流れることを禁止する。導電性部材は、半導体素子の第2電極にはんだ接合層を介して接合されている。はんだ接合層に接触する第2電極の表面は、ニッケルを主成分とする金属材料で構成されており、はんだ接合層に接触する導電性部材の表面は、銅を主成分とする金属材料で構成されている。そして、はんだ接合層は、第2電極との界面に位置するとともにニッケル—錫系の金属間化合物で構成された第1化合物層と、前記導電性部材との界面に位置するとともに銅−錫系の金属間化合物で構成された第2化合物層とを有する。【選択図】図5

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