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    • 8. 发明申请
    • SELECTIVE PROVISION OF ERROR CORRECTION FOR MEMORY
    • 选择性提供存储器的错误校正
    • US20140258805A1
    • 2014-09-11
    • US13792117
    • 2013-03-10
    • Javier Carretero CasadoXavier VeraDaniel SanchezTanausu RamirezEnric Herrero AbellanasNicholas Axelos
    • Javier Carretero CasadoXavier VeraDaniel SanchezTanausu RamirezEnric Herrero AbellanasNicholas Axelos
    • H03M13/35
    • H03M13/35G06F11/1012
    • Embodiments of apparatuses, methods, and storage medium associated with selectively providing error correction to memory are disclosed herein. In one instance, an apparatus may include a memory controller configured to control access to a non-volatile memory having storage locations. The controller may be configured to provide a first error correction arrangement to provide a first level of error correction capability for data stored in the non-volatile memory. The memory controller may include a control/error correction block configured to provide a second error correction arrangement with a second level of error correction capability for data stored in the non-volatile memory. The second level of error correction capability enables correction of at least one bit error more than the first level. The memory controller may be configured to selectively employ the second error correction arrangement to complement the first error correction arrangement. Other embodiments may be described and claimed.
    • 本文公开了与选择性地向存储器提供错误校正相关联的装置,方法和存储介质的实施例。 在一种情况下,装置可以包括被配置为控制对具有存储位置的非易失性存储器的访问的存储器控​​制器。 控制器可以被配置为提供第一纠错装置,以便为存储在非易失性存储器中的数据提供第一级的纠错能力。 存储器控制器可以包括控制/错误校正块,其被配置为向存储在非易失性存储器中的数据提供具有第二级纠错能力的第二纠错装置。 第二级的纠错能力能够比第一级别更正至少一位误差。 存储器控制器可以被配置为选择性地使用第二纠错装置来补充第一纠错装置。 可以描述和要求保护其他实施例。