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1. 发明授权

US08790851B2 Mask and method for fabricating semiconductor device 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模和方法
公开(公告)号：US08790851B2
公开(公告)日：2014-07-29
申请号：US13569860
申请日：2012-08-08
申请人： Yosuke Okamoto , Kazutaka Ishigo , Taketo Kuriyama
发明人： Yosuke Okamoto , Kazutaka Ishigo , Taketo Kuriyama
IPC分类号： G03F1/42
CPC分类号： G03F1/42
摘要： A photo mask for exposing according to an embodiment includes a mark pattern arranged in a mark region that is different from an effective region to form a semiconductor device; and a regular pattern arranged in the mark region and around the mark pattern and smaller than the mark pattern in size and pitch.
摘要翻译：根据实施例的用于曝光的光掩模包括布置在与有效区域不同以形成半导体器件的标记区域中的标记图案; 以及布置在标记区域和标记图案周围的规则图案，并且尺寸和间距小于标记图案。

2. 发明申请

US20130252429A1 MASK AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模和方法
公开(公告)号：US20130252429A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：US13569860
申请日：2012-08-08
申请人： Yosuke OKAMOTO , Kazutaka ISHIGO , Taketo KURIYAMA
发明人： Yosuke OKAMOTO , Kazutaka ISHIGO , Taketo KURIYAMA
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/302
CPC分类号： G03F1/42
摘要： A photo mask for exposing according to an embodiment includes a mark pattern arranged in a mark region that is different from an effective region to form a semiconductor device; and a regular pattern arranged in the mark region and around the mark pattern and smaller than the mark pattern in size and pitch.
摘要翻译：根据实施例的用于曝光的光掩模包括布置在与有效区域不同以形成半导体器件的标记区域中的标记图案; 以及布置在标记区域和标记图案周围的规则图案，并且尺寸和间距小于标记图案。

3. 发明申请

US20130148120A1 OVERLAY MEASURING METHOD 审中-公开
标题翻译：覆盖测量方法
公开(公告)号：US20130148120A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：US13566248
申请日：2012-08-03
申请人： Yosuke OKAMOTO , Taketo KURIYAMA
发明人： Yosuke OKAMOTO , Taketo KURIYAMA
IPC分类号： G01B11/14
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： According to one embodiment, an overlay measuring method includes calculating a first symmetry center coordinate on a basis of reflected light from first and second overlay measurement marks formed by using a first layer, calculating a second symmetry center coordinate on a basis of reflected light from third and fourth overlay measurement marks by using a second layer, and calculating an overlay displacement amount in a predetermined direction between the first layer and the second layer on a basis of the first and second symmetry center coordinates, in which the first to fourth overlay measurement marks have a plurality of space widths or pattern widths in the predetermined direction.
摘要翻译：根据一个实施例，覆盖测量方法包括基于通过使用第一层形成的来自第一和第二覆盖测量标记的反射光来计算第一对称中心坐标，基于来自第三层的反射光计算第二对称中心坐标和第四重叠测量标记，并且基于所述第一和第二对称中心坐标计算所述第一层和所述第二层之间的预定方向上的覆盖位移量，其中所述第一至第四覆盖测量标记在预定方向上具有多个空间宽度或图案宽度。

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