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1. 发明申请

WO2011113638A1 LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：激光二极管及其制造方法的激光二极管组件，
公开(公告)号：WO2011113638A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2011/051282
申请日：2011-01-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
发明人： LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/042 , H01S5/323 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/2059 , H01S5/3013 , H01S5/3095 , H01S5/323 , H01S5/32341 , H01S5/34313 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01S5/4093 , H01S2301/173
摘要： Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58). Die Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32) angeordnet. Die aktive Zone (6) des ersten Laserstapel (30) ist von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar. Die Zwischenschicht kann als Tunneldiode (9, 15) aufweisen, die insbesondere einen elektrischen Durchlassbereich innerhalb einer Stromblende (55, 57) darstellen kann. Alternativ kann die Zwischenschicht (4009, 4015) einen Isolator aufweisen. Die aktiven Zonen (6, 12, 18) sind insbesondere so ausgelegt, dass Laserdioden aus verschiedenen Laserstapeln (30, 31, 32) elektromagnetische Strahlung in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.
摘要翻译：有一个激光二极管阵列与至少一个半导体衬底（2; 2X，2Y），具有至少两个激光叠层（30，31，32），每个具有有源区（6,12，18）和至少一个中间层（9，15 ; 56，58）。激光堆（30，31，32）和中间层（9，15; 56，58）是整体地在半导体基板上（2; 2X，2Y）生长。布置在所述激光叠层（30，31，32）之间;所述中间层（56，58 9，15）。从所述至少一个另外的激光堆（31，32）的有源区（12，18）与第一激光叠层（30）的有源区（6）可分别控制。该中间层可以被用作隧道二极管（9，15），其尤其可以是一个当前的光圈（55，57）内的电通带。可替换地，中间层（4009，4015）有一个绝缘体。有源区（6,12，18）是特别设计了不同的激光叠层（30，31，32）在相互不同的波长范围发射的电磁辐射，使得激光二极管。

2. 发明申请

WO2011069769A2 LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：激光二极管及其制造方法的激光二极管组件，
公开(公告)号：WO2011069769A2
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/067271
申请日：2010-11-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , LELL, Alfred
发明人： STRASSBURG, Martin , LELL, Alfred
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/2068 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/32341 , H01S5/405 , H01S5/4087
摘要： Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit - einem Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72), - mindestens zwei Laserstapeln (17, 18;117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) und - mindestens einem lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) und der lichtdurchlässige ohmsche Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72) aufgewachsen. Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) sind durch den lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) elektrisch leitend miteinander verbunden. Die aus den Laserstapeln (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) gebildeten Laserdioden (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) weisen eine zwei-dimensionale Struktur auf.
摘要翻译：它是一种激光二极管组件，包括： - 一个半导体基片（2; 101; 201; 301; 72）， - 至少两个激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99 ），每个有源区（6,12; 105，109，113; 207，213; 307，311; 76，82，88），以及 - 至少一个透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304 ，309; 79，85）。激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）和所述透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304，309; 79，85 ）是单片的半导体衬底（2; 72生长）; 101; 201;第三百〇一激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98,99）（通过透光欧姆接触9; 107,111; 204，210; 304，309; 79， 85）电连接到彼此。从激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）形成的激光二极管（26A，26B，27A，27B; 36A，36B，37A，37B; 46A， 46B，47A，47B; 66A，66B，67A，67B; 94A，94B，95A，95B，96A，96B）具有一个二维结构。

3. 发明申请

WO2010069282A2 LEUCHTMITTEL UND PROJEKTOR MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：灯和投影机，至少一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A2
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/DE2009/001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
发明人： LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H04N9/31 , G02F1/35
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 μm beträgt.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个半导体激光器（2），其适合于接收一个初级辐射（P）为360纳米和485纳米之间的波长发射。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换波长更长。通过在这种情况下，光源（1）辐射（R）发射的光示出了光学相干长度为至多50微米。

4. 发明申请

WO2003030221A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS AUF DER BASIS EINES NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERS 审中-公开
标题翻译：生产基于氮化物化合物半导体的半导体组分的方法
公开(公告)号：WO2003030221A2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003667
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2081 , H01S5/32341
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters. In einem ersten Schritt des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der mindestens einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält. Auf die Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird in einem zweiten Schritt eine Metallschicht (7) aufgebracht. Nachfolgend wird in einem dritten Schritt der Halbleiterkörper (1) strukturiert, wobei ein Teil der Metallschicht (7) und Teile des darunterliegenden Halbleiterkörpers (1) abgetragen werden.
摘要翻译：本发明描述了一种用于制造基于氮化物化合物半导体的半导体组件的方法。在该方法的第一步骤中，提供半导体本体（1），其包含至少一个氮化物化合物半导体。在半导体本体（1）的表面（6）上，在第二步骤中施加金属层（7）。随后，在第三步骤中，半导体本体（1）被图案化，由此去除部分金属层（7）和下面的半导体本体（1）的一部分

5. 发明申请

WO2011073027A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011073027A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/068548
申请日：2010-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
发明人： LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das zumindest ein anorganisches optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement (10) mit einem aktiven Bereich (3), der geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (7) ein mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachtes Versiegelungsmaterial (6), das den Oberflächenbereich (7) hermetisch dicht bedeckt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括具有有源区（3），这是适合于在操作发射光或接收，并通过原子层沉积在至少一个表面区域（7）施加的密封材料的至少一个无机光电子有源半导体器件（10）（6）的表面区域（7）气密地覆盖了。此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

6. 发明申请

WO2010108767A1 HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2010108767A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/052714
申请日：2010-03-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/20 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
摘要翻译：在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3）所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。

7. 发明申请

WO2009036730A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009036730A3
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.

8. 发明申请

WO2008000222A1 ANORDNUNG MIT EINEM LICHTLEITER 审中-公开
标题翻译：具有光导向装置
公开(公告)号：WO2008000222A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/DE2007/001060
申请日：2007-06-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： G01M11/00 , G01M11/08
CPC分类号： G01M11/088 , B60Q1/0011 , B60Q11/005 , F21S8/06 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21V7/005 , F21V7/045 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2103/00 , G01M11/30
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Anordnung mit einem Lichtleiter (10) und einer Detektionsvorrichtung (25) vor, wobei der Lichtleiter (10) einen Kernbereich (10E), und einen, den Kernbereich (10E) umgebenden Mantelbereich (10C) umfasst, wobei der Kernbereich einen höheren Brechungsindex aufweist als der Mantelbereich, und bei der die Detektionsvorrichtung (25) eine Beschädigung des Lichtleiters (10) detektieren kann.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出了与之前的光导（10）和检测装置（25）的布置，包括：光导（10）具有一个芯部区域（10E），以及包围包层区域（10C）的核心区（10E），其中，所述芯区域具有比所述包层区域具有更高的折射率，并且，在所述检测装置（25）检测到所述光导（10）的损坏。

9. 发明申请

WO2013026655A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2013026655A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/EP2012/064894
申请日：2012-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOPP, Fabian , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , VIERHEILIG, Clemens , TAUTZ, Sönke
发明人： KOPP, Fabian , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , VIERHEILIG, Clemens , TAUTZ, Sönke
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/026
CPC分类号： G02B6/125 , H01L33/0045 , H01S5/0264 , H01S5/1017 , H01S5/1085 , H01S2301/166
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist. Das Halbleiterbauelement weist einen Wellenleiter (5) auf, der für eine laterale Führung der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen ist und der sich zwischen einer Spiegelfläche (3) und einer Auskoppelfläche (4) erstreckt. Der Wellenleiter trifft senkrecht auf die Spiegelfläche und schließt mit einer Normalen der Auskoppelfläche einen spitzen Winkel ein.
摘要翻译：提供了一种包括一个半导体主体（2）发射辐射的半导体器件（1），其中，所述半导体本体具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列。该半导体器件包括一个波导（5），其被设置用于在有源区域中产生的辐射的侧向引导和反射镜表面（3）和输出表面（4）之间延伸。波导垂直地撞击到镜面表面上并与一个垂直于输出表面形成锐角包括。

10. 发明申请

WO2012045685A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2012045685A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/EP2011/067160
申请日：2011-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
发明人： LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/204 , H01S5/2202
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserangegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der zumindest zwei in Querrichtung (101) nebeneinander angeordnete Streifenemitter (10) umfasst, wobei jeder Streifenemitter (10) zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Zone (2) umfasst; - zumindest zwei Facetten (11) an den aktiven Zonen (2), die zumindest einen Resonator (33) für zumindest einen der Streifenemitter (10) bilden; - zumindest zwei in der Querrichtung (101) voneinander beabstandete Kontaktflächen (3), die auf einer Außenfläche (12) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind, wobei - jedem Streifenemitter (10) eine Kontaktfläche (3) eindeutig zugeordnet ist, - über die Kontaktflächen (3) während des Betriebs des Halbleiterlasers (100) Strom in zumindest einen der Streifenemitter (10) eingeprägt wird, und - zumindest zwei der Streifenemitter (10) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind.
摘要翻译：有一个边发射半导体激光器指示，具有 - 包括半导体主体（1），在横向方向上，所述至少两个（101）布置成通过侧条带发射极侧（10），每个带发射器（10）包括至少一个指定的用于将电磁辐射活性区的产生（2） ; - 至少两个刻面（11）上的有源区（2），形成至少一个用于带发射器中的至少一个（10）谐振器（33）; - 在横向方向的至少两个（101）间隔开，其安装在所述半导体主体（1），的外表面（12）的接触面（3） - 的接触面（3）被唯一地分配给每个条发射器（10）， - 在半导体激光器的发射器条带中的至少一个（10）（100）的电流的操作期间接触表面（3）是深刻的印象，以及 - 从所述条带发射极彼此电操作的至少两个（10）隔开。

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