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1. 发明申请

WO2009026915A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEN SILIZIUMSTÄBEN UND POLYKRISTALLINER SILIZIUMSTAB 审中-公开
公开(公告)号：WO2009026915A3
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/DE2008/001459
申请日：2008-08-28
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PRODUKTIONS GMBH , AULICH, Hubert , SCHULZE, Friedrich-Wilhelm
发明人： AULICH, Hubert , SCHULZE, Friedrich-Wilhelm
IPC分类号： C01B33/035
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silizium, insbesondere für Solaranwendungen und mit diesem Verfahren hergestellte Siliziumstäbe. Bisher wurden vorwiegend Reste der Reinstsiliziumherstellung für die Gewinnung von Solarsilizium verwendet. Die beim Siemens-Verfahren verwendeten Si-Dünnstäbe zum Starten des Prozesses sind üblicherweise aus Reinstsilizium und müssen extern vorgeheizt werden, damit ein Stromfluss ermöglicht wird. Erfindungsgemäß wird nach dem Siemensverfahren Silizium an dotierten Si-Dünnstäben abgeschieden. Diese Si-Dünnstäbe sind derart mit Bor und gegebenenfalls mit anderen dotierenden Stoffen dotiert, dass sie eine solche elektrische Leitfähigkeit aufweisen, die bei Anlegen einer Spannung von

2. 发明申请

WO2010083818A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUMDÜNNSTÄBEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备硅薄膜条的生产
公开(公告)号：WO2010083818A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/DE2010/000070
申请日：2010-01-19
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PRODUKTIONS GMBH , RIEMANN, Helge , SCHULZE, Friedrich-Wilhelm , FISCHER, Jörg , RENNER, Matthias
发明人： RIEMANN, Helge , SCHULZE, Friedrich-Wilhelm , FISCHER, Jörg , RENNER, Matthias
IPC分类号： C30B13/00 , C30B13/10 , C30B13/20 , C30B15/00 , C30B15/04
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/20 , C30B15/005 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben, wie sie beim herkömmlichen Siemens-Verfahren für die Siliziumabscheidung verwendet werden. Durch den stark steigenden Bedarf an Silizium für Halbleiter und Solarzellen steigt auch der Bedarf an Siliziumdünnstäben. Das erfindungsgemäße Verfahren entspricht grundsätzlich dem klassischen Pedestal-Verfahren. Erfindungsgemäß weist die verwendete Induktionsspule (1) um die stromumflossene Zentralöffnung (4) herum weitere Ziehöffnungen (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) auf. Im Vorratsstab unter der Induktionsspule (1) wird ein ausreichend gleichmäßiges Temperaturprofil erzeugt, dass die Kuppe des Vorratsstabes schmilzt und ein Schmelzensee entsteht (6.1) auf (6). Durch die weiteren Ziehöffnungen in der Induktionsspule kann jeweils ein Siliziumdünnstab (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) aus dem Schmelzensee nach oben gezogen werden. Im Gegensatz zum bekannten Stand der Technik wird durch die stromumflossene Zentralöffnung kein Stab nach oben gezogen. Die weiteren zusätzlichen Ziehöffnungen sind vorzugsweise konzentrisch zur Zentralöffnung und mit einem ausreichenden Abstand zum Außenrand des Vorratsstabes (6) angeordnet. Ihr Abstand zueinander ist so gewählt, dass die wachsenden Siliziumdünnstäbe sich gegenseitig thermisch nicht zu stark beeinflussen, damit die einzelnen Siliziumdünnstäbe möglichst gleich wachsen. Je größer der Durchmesser des verwendeten Si-Rohstabes ist, desto größer kann auch der Durchmesser der Induktionsspule gewählt werden und es können somit auch eine entsprechend größere Anzahl zusätzlicher Ziehöffnungen vorgesehen werden.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和用于制造硅细棒，例如在传统的西门子法的硅沉积中使用的装置。由于对硅半导体和太阳能电池的需求迅速增加，对于薄硅的需求杆增加。根据本发明在原理上的方法，对应于经典方法基座。根据本发明，感应线圈（1）在stromumflossene中心开口用于（4）周围进一步拉伸的开口（5.1，5.2，5.3，5.4）。在股票杆在感应线圈（1）的，产生足够均匀的温度分布，使供给杆熔体的尖端和Schmelzensee产生（6.1）至（6）。通过在感应线圈进一步拉伸开口可以在每种情况下的薄的硅棒（9.1，9.2，9.3，9.4）被向上拉出Schmelzensee的。在与已知的现有技术中，没有锭通过中央开口stromumflossene向上拉。其它附加拉动开口优选设置在同心圆的中心开口，并且与来自供给杆（6）的外边缘一段足够的距离。彼此的距离被选择为使得所述生长薄的硅棒的热不强烈地相互影响，使得各个细硅棒生长尽可能相等。使用Si Rohstabes的直径越大，该感应线圈的直径可被选择并且可以由此提供的附加图纸开口相应更大的数。

3. 发明申请

WO2009026915A2 METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON RODS AND POLYCRYSTALLINE SILICON ROD 审中-公开
标题翻译：工艺制备多晶硅的棒和多晶硅ブ
公开(公告)号：WO2009026915A2
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/DE2008001459
申请日：2008-08-28
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD , AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
发明人： AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要： The invention relates to a method for producing polycrystalline silicon, particularly for solar applications, and to silicon rods produced using said method. Until now, primarily residue from ultrapure silicon production was used to obtain solar silicon. The thin Si rods used in the Siemens method for starting the process are typically made of ultrapure silicon and must be externally preheated to enable power flow. According to the invention, silicon is deposited on doped thin Si rods using the Siemens method. Said thin Si rods are doped with boron and optionally with other doping agents such that they exhibit electric conductivity, which when applying a voltage of
摘要翻译：本发明涉及一种制备多晶硅的，特别是用于太阳能应用的方法，以及用这种方法生产的硅棒。到目前为止，被主要用于生产太阳能硅的Reinstsiliziumherstellung的残余。在西门子法用于启动过程中的Si细棒通常预热由超纯硅的和必须在外部，使得电流流动是可能的。根据西门子方法根据本发明的硅沉积在Si掺杂的细棒。该Si细棒是这样的有硼和任选的掺杂有，他们有这样的导电性，这允许其他的掺杂材料，当<1400V的电流流过这些硅细棒，它加热到所需的沉积温度的电压。有利的是，所述Si细棒被掺杂，使得硅棒具有这样的“整体掺杂”，这是需要用于生产晶片的太阳能电池。因此，根据本发明中的Si-杆可被直接用作用于多晶硅或单晶硅的结晶的制备后续工艺的原料。

4. 发明申请

WO1998007196A1 DEVICE FOR AFFIXING A FLAT PLATE-SHAPED BODY ONTO A SUPPORT 审中-公开
标题翻译：固定元件用于固定平板状体上的PAD
公开(公告)号：WO1998007196A1
公开(公告)日：1998-02-19
申请号：PCT/EP1997004358
申请日：1997-08-11
申请人： SIEMENS SOLAR GMBH , BAUER, Ernst , SCHULZE, Friedrich, Wilhelm
发明人： SIEMENS SOLAR GMBH
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： E04F13/0841 , F24S25/40 , F24S25/61 , H02S20/22 , Y02B10/10 , Y02E10/47
摘要： For simply affixing flat bodies, including solar modules, onto a support, it is suggested that Z-shaped metal profiles be glued on said bodies, thus acting at the same time as a protective device for the body edges during transport.
摘要翻译：平整，便于安装体诸如在基底上的太阳能电池板，提出了胶合在主体Z形金属型材，其在运输过程中同时提供对所述主体的边缘的保护。

5. 发明申请

WO2010127669A1 VERFAHREN ZUR AUFBEREITUNG VON SÄGEABFÄLLEN ZUR RÜCKGEWINNUNG VON SILIZIUM FÜR DIE HERSTELLUNG VON SOLARSILIZIUM 审中-公开
标题翻译：一种用于处理锯木厂下脚料用于回收硅芯片硅太阳能生产
公开(公告)号：WO2010127669A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/DE2010/000513
申请日：2010-05-02
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PRODUKTIONS GMBH , SCHULZE, Friedrich-Wilhelm , SCHAAFF, Friedrich
发明人： SCHULZE, Friedrich-Wilhelm , SCHAAFF, Friedrich
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbereitung von Sägeabfällen zur Rückgewinnung von Solarsilizium für die Herstellung von Solarzellen. Zur Herstellung von Siliziumwafern werden die Siliziumblöcke mit Drahtsägen in Wafer mit einer durchschnittlichen Dicke von ca. 180 Mikrometern geschnitten. Dabei werden ca. 45 % des teuren Ausgangsmaterials zerspant und in der Slurry davon geschwemmt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die festen Bestandteile der Sägeabfälle, die Siliziumanteile mit der geforderten Reinheit aufweisen zu Granulat geeigneter Größe geformt und anschließend in einem Reaktionsgefäß mit Chlorwasserstoff in Reaktion gebracht, so dass dabei Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid entstehen und die Eisenbestandteile der Sägeabfälle in Eisenchlorid umgewandelt werden, während sich die enthaltenen SiC-Anteile unverändert im unteren Teil des Reaktionsgefäßes als Staub ansammeln. Die in dem Reaktionsgefäß entstehenden Reaktionsgase Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid werden in nachfolgenden Destillationsschritten getrennt und dem Silizium-Herstellungsprozess wieder zugeführt. Das Verfahren kann als Wirbelschichtverfahren in einem Wirbelschichtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich von einigen hundert Mikrometern liegt und der Umwandlungsprozess bei Temperaturen von ca. 350 °C erfolgt. Das Verfahren kann alternativ in einem Schachtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich von einigen Millimetern bis einigen Zentimetern liegt und der Umwandlungsprozess bei Temperaturen von 650 °C erfolgt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于锯切废物分散用于太阳能级硅的生产太阳能电池的恢复处理的方法。用于生产硅晶片，该硅块被切成与线锯成具有约180微米的平均厚度的晶片。这里，昂贵的原料的约45％至待加工并清洗到它的浆料。在本发明方法中，具有所需纯度的硅的水平在与氯化氢的反应容器中已经形成入适当大小的颗粒，然后使其反应，从而存在产生三氯硅烷和四氯化硅和锯切废物的铁组分转化成氯化铁锯切废物的固体组分而所包含的SiC股堆积在反应容器中的灰尘的下部不变。在反应容器中的三氯硅烷和四氯化硅将所得的反应气体在随后的蒸馏步骤中分离，并再次供给到硅制造工艺。该过程可以进行如在流化床炉的流化床方法，其中所述颗粒的粒径为的范围内的几百微米，并且所述转换处理是在约350℃的温度下进行该方法可以可选地在一个竖炉，其中，所述颗粒的粒径位于和在几厘米的范围内几毫米的情况下进行中进行，在650℃的温度下的转换处理

6. 发明专利

GB189323849A Improvements in Type-composing Machines. 未知
公开(公告)号：GB189323849A
公开(公告)日：1894-01-27
申请号：GB189323849D
申请日：1893-12-11
申请人： SCHULZE FRIEDRICH WILHELM
发明人： SCHULZE FRIEDRICH WILHELM

7. 发明专利

GB190111073A Improvements in and relating to Guards or Catchers of Tramway Cars and the like. 未知
公开(公告)号：GB190111073A
公开(公告)日：1901-08-10
申请号：GB190111073D
申请日：1901-05-29
申请人： SCHULZE FRIEDRICH WILHELM KARL
发明人： SCHULZE FRIEDRICH WILHELM KARL
摘要： 11,073. Schulze, F. W. K. May 29. Obstruction-removers for tramcars. Fig. 1 shows a side elevation, and Fig. 2 a plan. The frames b, lined with elastic material or fitted with air cushions and stiffened by the bar a, are adapted to slide in the slotted tubes d on the sides of the platform. The whole is normally held elevated by the nut f, rigid with the frame, engaging the screwthreaded brake rod e, which is constructed so that a quarter turn of the handle h releases the nut f and allows the frame to fall to the ground. The guard is raised by the two-armed lever shown in Fig. 2. In a modification, bevel gearing is substituted for the nut and screw, and the act of releasing the brake causes levers to raise the guard automatically.

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