会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 1. 发明授权
      US08773923B2 Memory device and method for writing therefor 有权
    • Memory device and method for writing therefor
    • 存储器件及其写入方法
    • US08773923B2
    • 2014-07-08
    • US13562222
    • 2012-07-30
    • Yen-Huei Chen , Li-Wen Wang , Chih-Yu Lin
    • Yen-Huei Chen , Li-Wen Wang , Chih-Yu Lin
    • G11C7/00 , G11C7/22 , G11C7/12
    • G11C7/22 , G11C7/12 , G11C11/419
    • A method for writing a memory cell in a specific write cycle is provided. The method includes the following steps: providing a first signal having a first transition edge in the specific write cycle; providing a second signal having a second transition edge in the specific write cycle, wherein the second transition edge lags behind the first transition edge; providing a first voltage level to the memory cell; and lowering the first voltage level to a second voltage level in the specific write cycle for writing the memory cell in response to the second transition edge. A memory device is also provided.
    • 提供了一种用于在特定写入周期中写入存储器单元的方法。 该方法包括以下步骤：提供在特定写周期中具有第一过渡边缘的第一信号; 提供在所述特定写周期中具有第二过渡边缘的第二信号，其中所述第二过渡边缘滞后于所述第一过渡边缘; 向所述存储器单元提供第一电压电平; 以及在所述特定写入周期中将所述第一电压电平降低到第二电压电平，以响应于所述第二过渡沿来写入所述存储器单元。 还提供存储器件。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 2. 发明申请
      US20120038869A1 TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL 有权
    • TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
    • 转移液晶显示面板
    • US20120038869A1
    • 2012-02-16
    • US12981502
    • 2010-12-30
    • Kai-Hung Huang , Li-Wen Wang
    • Kai-Hung Huang , Li-Wen Wang
    • G02F1/1335
    • G02F1/133555 , G02F1/136227
    • A transflective liquid crystal display panel includes a substrate, a gate electrode, a reflective electrode, a first insulating layer, a patterned semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, a patterned reflective layer, a second insulating layer, and at least a transmissive pixel electrode. The gate electrode and the reflective electrode are both formed by a first patterned conductive layer, and the source electrode, the drain electrode, and the patterned reflective layer are both formed by a second patterned conductive layer. Furthermore, a plurality of contact holes are formed in the first insulating layer and the second insulating layer. Moreover, the transmissive pixel electrode is filled into the contact holes to be electrically connected with the drain electrode, the reflective electrode, and the patterned reflective layer, respectively.
    • 半透射型液晶显示面板包括基板，栅电极，反射电极，第一绝缘层，图案化半导体层，源电极，漏电极，图案化反射层，第二绝缘层，以及至少 透射像素电极。 栅极电极和反射电极都由第一图案化导电层形成，源电极，漏电极和图案化反射层都由第二图案化导电层形成。 此外，在第一绝缘层和第二绝缘层中形成多个接触孔。 此外，将透射像素电极填充到与漏电极，反射电极和图案化反射层电连接的接触孔中。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20110209109A1 HIGH-SPEED SRAM 有权
    • HIGH-SPEED SRAM
    • 高速SRAM
    • US20110209109A1
    • 2011-08-25
    • US12712590
    • 2010-02-25
    • Li-Wen WANG , Jack LIU , Shao-Yu CHOU
    • Li-Wen WANG , Jack LIU , Shao-Yu CHOU
    • G06F17/50
    • G06F17/5045
    • A method includes a) receiving a design for a static random access memory (SRAM) array including an SRAM cell having a read port cell, the read port cell including first and second MOS transistors each having an initial threshold voltage (Vth); b) adjusting one of a gate channel width (Wg) or a gate channel length (Lg) of one of the first and second MOS transistors to modify the Vth of at least one of the first and second MOS transistors; c) simulating a response of the SRAM array, the simulation providing response data for the SRAM array including the Vth for the first and second MOS transistors; and d) iteratively repeating steps b) and c) until a desired Vth is achieved.
    • 一种方法包括：a）接收包括具有读出端口单元的SRAM单元的静态随机存取存储器（SRAM）阵列的设计，所述读出端口单元包括具有初始阈值电压（Vth）的第一和第二MOS晶体管; b）调整第一和第二MOS晶体管之一的栅极沟道宽度（Wg）或栅极沟道长度（Lg）中的一个，以修改第一和第二MOS晶体管中的至少一个的Vth; c）模拟SRAM阵列的响应，该仿真提供包括第一和第二MOS晶体管的Vth的SRAM阵列的响应数据; 和d）重复地重复步骤b）和c），直到达到期望的Vth。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 9. 发明授权
      US08293549B2 Method of fabricating a pixel array substrate 有权
    • Method of fabricating a pixel array substrate
    • 制造像素阵列基板的方法
    • US08293549B2
    • 2012-10-23
    • US12958401
    • 2010-12-02
    • Kai-Hung Huang , Li-Wen Wang
    • Kai-Hung Huang , Li-Wen Wang
    • H01L21/00
    • G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F2203/03
    • A method of fabricating a pixel array substrate is disclosed. The reflective pixel array substrate can be made by utilizing five photo masks only. The reflective pixel array substrate includes a substrate, a thin film transistor, a reflective electrode, an insulating layer and numerous protruding bumps. The step between the protrusion bump and the substrate cause the reflective electrode thereon to have a corrugated structure. The gate electrode of the thin film transistor and the protruding bumps are made of a same conductive layer. The drain electrode connects the reflective electrode, and the drain electrode and the reflective electrode are made of a same conductive layer.
    • 公开了一种制造像素阵列衬底的方法。 反射像素阵列基板可以仅通过利用五个照相掩模制成。 反射像素阵列基板包括基板，薄膜晶体管，反射电极，绝缘层和多个凸出凸块。 突起凸起和基板之间的台阶使其上的反射电极具有波纹状结构。 薄膜晶体管的栅电极和突出凸起由相同的导电层制成。 漏电极连接反射电极，漏电极和反射电极由相同的导电层制成。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 10. 发明申请
      US20120195106A1 SRAM Timing Cell Apparatus and Methods 有权
    • SRAM Timing Cell Apparatus and Methods
    • SRAM定时单元设备和方法
    • US20120195106A1
    • 2012-08-02
    • US13017793
    • 2011-01-31
    • Li-Wen Wang , Shao-Yu Chou , Jihi-Yu Lin , Wei Min Chan , Yen-Huei Chen , Ping Wang
    • Li-Wen Wang , Shao-Yu Chou , Jihi-Yu Lin , Wei Min Chan , Yen-Huei Chen , Ping Wang
    • G11C11/40 , G11C7/06
    • G11C7/227 , G11C11/418
    • Apparatus and methods for providing SRAM timing tracking cell circuits are disclosed. In an embodiment, an apparatus comprises an SRAM array comprising static random access memory cells arranged in rows and columns; a plurality of word lines each coupled to memory cells along one of the rows; a clock generation circuit for outputting clock signals; a word line generation circuit for generating a pulse on the plurality of word lines responsive to one of the clock signals and for ending the pulse responsive to one of the clock signals; and a tracking cell for receiving a clock signal and for outputting a word line pulse end signal to the clock generation circuit, following an SRAM tracking time; wherein the tracking cell further comprises SRAM tracking circuits positioned in the SRAM array and coupled in series to provide a signal indicating the SRAM tracking time. Methods for SRAM timing are disclosed.
    • 公开了用于提供SRAM定时跟踪单元电路的装置和方法。 在一个实施例中，一种装置包括一个SRAM阵列，它包括排列成行和列的静态随机存取存储单元; 多条字线，每条字线都沿着一条行与存储器单元耦合; 用于输出时钟信号的时钟发生电路; 字线生成电路，用于响应于所述时钟信号中的一个生成在所述多个字线上的脉冲，并响应于所述时钟信号之一来终止所述脉冲; 以及跟踪单元，用于接收时钟信号并用于在SRAM跟踪时间之后将时钟产生电路输出字线脉冲结束信号; 其中所述跟踪单元还包括位于所述SRAM阵列中并且串联耦合的SRAM跟踪电路，以提供指示所述SRAM跟踪时间的信号。 公开了SRAM定时的方法。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号