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2. 发明申请

WO2006077553A1 MAGNETIC MEMORY SYSTEM USING MRAM-SENSOR 审中-公开
标题翻译：使用MRAM传感器的磁记录系统
公开(公告)号：WO2006077553A1
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/IB2006/050208
申请日：2006-01-19
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , JEDEMA, Friso, J. , BOEVE, Hans, M., B. , RUIGROK, Jaap
发明人： JEDEMA, Friso, J. , BOEVE, Hans, M., B. , RUIGROK, Jaap
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C17/02 , G11C11/1673
摘要： The invention relates to a Magnetic memory system (1, 20) which comprises an information layer (13) and a sensor (2, 22) for cooperating with the information layer (13). The information layer (13) comprises a pattern of magnetic bits (4a, 4b, 4c, 4d, 24a, 24c, 24d) which constitutes an array of bit locations. A bit magnetic field (3a, 3b, 3c, 3d) at a bit location represents a logical value (LO, Ll/2, Ll). The sensor (2, 22) comprises a magnetoresistive element (6, 26) comprising a fixed magnetic layer (7) and a free magnetic layer (8). The free magnetic layer (8) has a magnetization axis (10) along which the free magnetic layer retains a free magnetization direction (1 Ib, 1 Ic, 21b, 21c). A first bit magnetic field (3b, 3c) at one of the bit locations represents a first logical value (LO, Ll/2, Ll) by providing a first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (1 Ic, 1 Ib, 21a, 21c) being substantially parallel to the magnetization axis (10). A second bit magnetic field (3a, 3d) at one of the bit locations represents a second logical value (LO, Ll/2, Ll) by providing a second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (Ha, 1 Id, 21a, 2Id) having an angle (12a, 12d, 27) with the magnetization axis (10). The second bit magnetic field (3a, 3d) which provides the second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) is not one of the two stable magnetization directions of the free magnetic layer (8) and thus is different from the first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin). The magnetization direction of the free magnetic layer (8) of the sensor (2, 22) no longer needs to be set before read-out.
摘要翻译：本发明涉及一种磁存储器系统（1,20），其包括信息层（13）和用于与信息层（13）配合的传感器（2,22）。信息层（13）包括构成比特位置阵列的磁头（4a，4b，4c，4d，24a，24c，24d）的图案。位位置处的位磁场（3a，3b，3c，3d）表示逻辑值（LO，L1 / 2，L1）。传感器（2,22）包括包括固定磁性层（7）和自由磁性层（8）的磁阻元件（6,26）。自由磁性层（8）具有磁化轴（10），自由磁性层沿着磁化轴保持自由磁化方向（11b，1c，21b，21c）。其中一个比特位置处的第一比特磁场（3b，3c）通过在磁阻元件（6）中提供第一电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来表示第一逻辑值（LO，L1 / 2，L1）由于自由磁化方向（1c，11b，21a，21c）与磁化轴线（10）基本平行。其中一个比特位置处的第二位磁场（3a，3d）通过在磁阻元件（6）中提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来代表第二逻辑值（LO，L1 / 2，由于具有与磁化轴线（10）的角度（12a，12d，27）的自由磁化方向（Ha，11d，21a，2Id）。提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）的第二位磁场（3a，3d）不是自由磁性层（8）的两个稳定磁化方向之一，因此与第一电阻值（ Rmax，Rmid，Rmin）。传感器（2,22）的自由磁性层（8）的磁化方向不再需要在读出之前被设定。

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