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1. 发明专利

JP2012512587A Mixed signal transmitting circuit for switching power amplifier 审中-公开
公开(公告)号：JP2012512587A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：JP2011541306
申请日：2009-12-04
申请人：イーハーペーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング−イノヴェイションズフォーハイパフォーマンスマイクロエレクトロニクス/ライプニッツ−インスティトゥートフュアイノヴァティーIHP GmbH − Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz−Institut fuer innovative Mikroelektronik
发明人：クリストフシャイトヨハン
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/217 , H03F3/24 , H04B1/04
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/32 , H03F3/19 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H04L25/4902 , H04L27/361
摘要：本発明は、高周波送信回路（１６）のスイッチング電力増幅器（２）のための前置ユニット（１）に関する。前置ユニット（１）はスイッチング電力増幅器（２）にパルス長変調された信号（２２）を供給する。パルス長変調の線形性ならびに高周波送信回路（１６）の線形性が改善される。本発明による前置ユニット（１）は、高周波の位相変調された第１の入力信号（１８）のための第１の信号入力側（３）と、第１の入力信号（１８）に比べて低い周波数の第２の入力信号のための第２の信号入力側（４）と、制御可能な第１の遅延ユニット（５）と、制御可能な第２の遅延ユニット（７）と、パルス発生器（９）と、制御ユニット（１０）とを有する。

2. 发明申请

WO2022228790A1 INTEGRATED OPTICAL WAVEGUIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022228790A1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：PCT/EP2022/057803
申请日：2022-03-24
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , TECHNISCHE HOCHSCHULE WILDAU
发明人： STEGLICH, Patrick , MAI, Christian , MAI, Andreas , VILLASMUNTA, Francesco , VILLRINGER, Claus , SCHRADER, Sigurd
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/43 , G02B6/132 , G02B6/42 , G02B6/12
摘要： The present invention regards an integrated optical waveguide (1000) formed in a substrate (10). The integrated optical waveguide (1000) includes a hole (12'), a core (14'), and one or more bridges (16'). The hole (12') extends in an axial direction (z) of the substrate (10). The core (14') is made of the same material as the substrate (10), arranged in the hole (12'), and extends in the axial direction (z). The core (14) has a first refractive index and a sidewall (15') which is at least partly surrounded by a surrounding material (20') which has a second refractive index which is lower than the first refractive index and such that a refractive index difference between the first refractive index and the second refractive index allows to guide light within the core (14'). The one or more bridges extend from the sidewall of the core to a sidewall of the hole.

3. 发明申请

WO2021058672A1 GRADIENT INDEX METAMATERIAL LENS FOR TERAHERTZ RADIATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2021058672A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/EP2020/076771
申请日：2020-09-24
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： CAO, Zhibo , KAYNAK, Mehmet , WIETSTRUCK, Matthias , STOCCHI, Matteo
IPC分类号： H01Q15/08 , H01Q15/10 , H01Q19/06
摘要： A lens (100) for terahertz radiation, which can be used in an antenna arrangement (400), comprises a cylindrical lens body made of silicon having a planar front surface and a planar back surface. The lens body has a front body region (30) which forms a silicon metamaterial with a relative permittivity that decreases in a lateral direction with increasing radial distance from a cylinder axis. A back body region (20) is immediately adjacent to the front body region and extends to the back surface. It consists of bulk silicon having a laterally constant relative permittivity. The front body region comprises holes that are distributed on the front surface in rings that are concentric with respect to the cylinder axis. The holes extend from the front surface to respective hole bottoms at an equal bottom level in a depth direction. The hole bottoms interface with the back body region.

4. 发明申请

WO2012175716A1 VERTIKALER BIPOLARTRANSISTOR MIT LATERALEM KOLLEKTOR-DRIFTGEBIET 审中-公开
标题翻译：具有侧向COLLECTOR电场漂移垂直双极型晶体管
公开(公告)号：WO2012175716A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2012/062155
申请日：2012-06-22
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , SORGE, Roland
发明人： SORGE, Roland
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/063 , H01L29/0821 , H01L29/402 , H01L29/735
摘要： Vertikaler Bipolartransistor, mit einer vertikalen Schichtfolge von Emitter (106), Basis (108) und Kollektor (110, 124, 120), bei dem der Kollektor ein dotiertes inneres Kollektorgebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein im Vergleich mit dem inneren Kollektorgebiet höher dotiertes Kollektoranschlussgebiet (120) des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, und bei dem an das innere Kollektorgebiet (110) in einer lateralen Richtung, die quer zu einer vertikalen Stapelrichtung der Schichtfolge weist, ein im Vergleich mit dem inneren Kollektorgebiet schwächer dotiertes Kollektor-Driftgebiet (124) des ersten Leitfähigkeitstyps ohne eine darunter liegende hoch dotierte vergrabene Schicht vom selben Leitfähigkeitstyp, i.e. ohne Subkollektor, anschließt, über welches das innere Kollektorgebiet mit dem Kollektoranschlussgebiet verbunden ist.
摘要翻译：一种垂直双极型晶体管，与发射器垂直的层序列（106），基部（108）和收集器（110，124，120），其中，所述收集器是第一导电类型的掺杂内侧集电区（110）和较高的作为与内集电极区域相比掺杂集电极连接区域（120）的第一导电类型的，并且其中在横向指向的层序列，较弱掺杂的垂直堆叠方向与内集电极区域集电极漂移区比较的横向方向上的内侧集电区（110）（124）第一导电类型不相同的导电类型，即一个潜在的重掺杂掩埋层无子集电极，连接，通过该内侧集电区被连接到集电极连接区域。

5. 发明申请

WO2010108825A1 PROTOKOLLBESCHLEUNIGERMODUL MIT PAKETWEITERLEITUNGSFUNKTION UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EINEN SENDEREMPFÄNGER ZUR SCHNELLEN WEITERLEITUNG VON DATENPAKETEN 审中-公开
标题翻译：带包装转发功能，工作程序协议加速器模块用于接收器，用于快速数据包转发
公开(公告)号：WO2010108825A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/053388
申请日：2010-03-16
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , DIETTERLE, Daniel , LANGENDÖRFER, Peter
发明人： DIETTERLE, Daniel , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H04L12/40 , H04L12/24 , H04L29/12
CPC分类号： H04L12/417 , H04W88/02
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Protokollbeschleunigermodul für ein Datenübertragungsprotokollebene eines Senderempfängers, insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, zur schnellen Weiterleitung von Datenpaketen in drahtlosen Sensornetzwerken im Zeitmultiplex-Verfahren gemäß dem IEEE 802.15.4 Standard. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Betriebsverfahren für einen Senderempfänger zur schnellen Weiterleitung von Datenpaketen, ebenfalls insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, in drahtlosen Sensornetzwerken im Zeitmultiplex-Verfahren gemäß dem IEEE 802.15.4 Standard. Kern der Erfindung ist eine Verweistabelle, in der sowohl Verweise von Kennungen zweiter Senderempfänger auf Kennungen dritter Senderempfänger als auch Verweise von bestimmten Nachrichten auf Kennungen dritter Senderempfänger hinterlegt sind. Ein Senderempfänger kann schon während des Empfangs eines Datenpakets überprüfen, ob es sich um ein weiterzuleitendes Datenpaket handelt und entsprechende Vorkehrungen für das schnelle Versenden eines weiterzuleitenden Datenpakets treffen. Somit können Echtzeitbedingungen vieler Anwendungen erfüllt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于收发机的数据传输协议层的协议加速器模块，特别地但不排他地用于根据IEEE 802.15.4标准中的时分多路复用方法在无线传感器网络中的数据分组的快速转发。此外，本发明涉及一种操作收发机的数据分组的快速转发，也特别的方法，但不排他地，在时分多路复用方法的无线传感器网络根据IEEE 802.15.4标准。本发明的实质是在该标识符第二收发信机的两个链路被沉积在标识符第三收发器，以及指向特定的报文标识符第三收发器的参考表。发射机接收机可以数据分组的接收期间已经检查，是否它是一个weiterzuleitendes数据分组，并采取适当的预防措施，用于快速发送转发的数据包。因此，可满足许多应用的实时情况。

6. 发明申请

WO2010072550A1 MIXED-SIGNAL SENDESCHALTUNG FÜR GESCHALTETE LEISTUNGSVERSTÄRKER 审中-公开
标题翻译：混合信号传输电路的开关功率转换器
公开(公告)号：WO2010072550A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/066457
申请日：2009-12-04
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , SCHEYTT, Johann Christoph
发明人： SCHEYTT, Johann Christoph
IPC分类号： H03F3/24 , H03F3/217 , H03F1/32 , H03K7/08 , H04L27/36 , H03F3/19
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/32 , H03F3/19 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H04L25/4902 , H04L27/361
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorschalteinheit (1) für einen geschalteten Leistungsverstärker (2) für eine Hochfrequenz-Sendeschaltung (16). Die Vorschalteinheit (1) führt dem geschalteten Leistungsverstärker (2) ein pulslängenmoduliertes HF-Pulssignal (22) zu, wobei insbesondere die Linearität der Pulslängenmodulation sowie die der Hochfrequenz-Sendeschaltung verbessert ist. Die erfindungsgemäße Vorschalteinheit (1) weist einen ersten Signaleingang (3) für ein hochfrequentes, phasenmoduliertes erstes Eingangssignal (18), einen zweiten Signaleingang (4) für ein im Vergleich mit dem ersten Eingangssignal (18) niederfrequentes zweites Eingangssignal (19), eine steuerbare erste Verzögerungseinheit (5), eine steuerbare zweite Verzögerungseinheit (7), einen Pulsgenerator (9), und eine Steuereinheit (10) auf.
摘要翻译：本发明涉及一种上游单元（1）一种用于开关功率放大器（2），用于高频传输电路（16）。上游单元（1）导致了门控功率放大器（2）的脉冲长度调制的RF脉冲信号（22），特别是脉冲宽度调制和高频传输电路的线性度提高。根据本发明（1）具有用于高频率的第一信号输入端（3），相位调制的第一输入信号（18）的上游部，第二信号输入端（4）为一个，在与所述第一输入信号进行比较（18）的低频率的第二输入信号（19），可控制的第一延迟单元（5），可控制的第二延迟单元（7），一个脉冲发生器（9），以及控制单元（10）。

7. 发明申请

WO2010066630A1 BIPOLARTRANSISTOR MIT SELBSTJUSTIERTEM EMITTERKONTAKT 审中-公开
标题翻译：自对准双极发射极接触
公开(公告)号：WO2010066630A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/066316
申请日：2009-12-03
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , FOX, Alexander , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMEYER, Steffen
发明人： FOX, Alexander , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMEYER, Steffen
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/732 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8222 , H01L21/8249 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/161 , H01L29/66272 , H01L29/7322 , H01L29/7371
摘要： Halbleitervorrichtung, umfassend eine Substratschicht aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem ersten Isolationsgebiet, und einen vertikalen Bipolartransistor mit einem in einer Öffnung des ersten Isolationsgebietes angeordneten ersten Höhenabschnitt eines Kollektors aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einem zweiten Isolationsgebiet, das teils auf dem ersten Höhenabschnitt des Kollektors und teils auf dem ersten Isolationsgebiet aufliegt und im Bereich des Kollektorseine Öffnung besitzt, in der ein zweiter Höhenabschnitt des Kollektors aus einkristallinem Material angeordnet ist, der einen inneren Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, einer Basis aus einkristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, einem Basisanschlussgebiet, das in lateraler Richtung die Basis umgibt, einem T-förmigen Emitter aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, der das Basisanschlussgebiet überlappt, wobei das Basisanschlussgebiet, abgesehen von einer zum Substrat hin angrenzenden Ankeimschicht oder einer zu einem Basiskontakt hin angrenzenden Metallisierungsschicht, aus einem Halbleitermaterial besteht, das vom Halbleitermaterial des Kollektors, der Basis und des Emitters in seiner chemischen Zusammensetzung verschieden ist und im Vergleich mit diesem eine höhere Beweglichkeit von Majoritätsladungsträgern des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist.
摘要翻译：一种半导体器件，其包括具有第一隔离区域上的第一导电类型的半导体材料的基板层;以及具有设置在制成的第二导电型，第二隔离区域，在高度的第一部分的部分的单晶半导体材料的收集器的第一绝缘区域的第一高度部分的开口的圆柱体的垂直双极晶体管集电极和部分地搁置在第一隔离区域和具有在集电体的第二垂直部分的开口设置单晶材料的集电极，其包括第二导电类型的内部区域，所述第一导电类型，一个基极连接区域的单晶半导体材料的基极的面积包围在横向方向上的基极，第二导电类型，所述基极连接区域，溢出的半导体材料的T形发射器 APPT，其中，所述基极连接区域，除了一个朝向基底相邻的籽晶层或朝向相邻的金属化层的基体接触由是从集电体的半导体材料，基底，并在其化学组成和与该比较的发射极不同的半导体材料的具有第一导电类型的多数载流子的较高迁移率。

8. 发明申请

WO2007138078A1 VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER MIT MIS-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：与MIS结构迁移基于发光体
公开(公告)号：WO2007138078A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/EP2007/055256
申请日：2007-05-30
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried , REICHE, Manfred , YU, Xuegong , VYVENKO, Oleg F.
发明人： KITTLER, Martin , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried , REICHE, Manfred , YU, Xuegong , VYVENKO, Oleg F.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , G02F1/13473 , G02F2203/34 , H01L21/76254 , H01L33/0037 , H01L33/0054 , H01L33/16 , H01S3/0637 , H01S5/30 , H01S5/3009 , H01S5/3031
摘要： Licht emittierendes Halbleiterbauelement (600) mit einem Substrat (S, 200), das eine erste Grenzfläche zwischen einer ersten (100) und einer zweiten (102) Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gitterstrukturen relativ zueinander um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche (108) liegende Achse um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk (D) vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenzspektrum des Halbleiterbauelements (600) ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
摘要翻译：发光，其包括垂直于衬底表面的第一轴线相对于彼此的基板（S，200），具有第一（100）之间的第一接口和第二（102）硅层，所述假想理想晶格结构（围绕轴线半导体元件（600） 118）加捻和左右第二（平行于基板表面108）由一个倾斜角度躺在轴线的旋转角度被倾斜，使得在该界面的位错网络（D）的区域存在，其中，所述旋转角和倾斜角被选择为使得一所述半导体部件（600）的电致发光光谱在光的任一1.3微米波长或光的1.55微米波长的绝对最大发射光强度的。

9. 发明申请

WO2007068737A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG GERINGER KOMPLEXITÄT FÜR EINE ADAPTIVE ENTZERRUNG VON MEHRWEGEKANÄLEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备更多的途径渠道低复杂度自适应均衡
公开(公告)号：WO2007068737A2
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/EP2006/069711
申请日：2006-12-14
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , WANG, Gang
发明人： WANG, Gang
IPC分类号： H04L25/03
CPC分类号： H04L25/03057 , H04L2025/0349 , H04L2025/0356
摘要： Vorrichtung und Verfahren zur geringkomplexen Implementierung eines bidirektionalen arbitrierten adaptiven Equalizers mit Entscheidungsrückkopplung zur Nachrichtenübertragung über durch Intersymbolinterferenz gestörte Kanäle. Der Equalizer enthält zwei Vorfilter. Jedes der zwei Vorfilter besteht aus einer oder zwei Zeitumkehroperationen und keinem oder einem IIR-Filter. Die zwei Vorfilter spalten einen Nicht-Minimalphasenkanal in zwei Fast-Minimalphasenkanäle entgegengesetzter Zeitrichtung, die gleichzeitig durch in Vorwärts- bzw. Rückwärtsrichtung entzerrt werden. Der SBS-Arbiter wählt unter den zwei Auswahl-Entscheidungen der zwei ADFE diejenige aus, die das abgetastete Empfangssignal am besten darstellt. Die Erzeugung von zwei zeitlich entgegengesetzten Fast-Minimalphasenkanälen hat zwei Hauptvorteile. Zum einen ermöglicht sie die Entzerrung mit einem kurzen nichtrekursiven Filter und damit weniger Rechenkomplexität und eine kürzere Konvergenzzeit bei ADFE. Zum anderen ermöglicht sie die Anwendung des ACII-Initialisierungsverfahrens, einem geringkomplexen Verfahren zur Berechnung der approximativen Inversen eines Minimalphasenkanals, die ein Ausgangskoeffizient zur Interferenzunterdrückung durch Dekorrelation für ADFE ist und das Problem langsamer bzw. schlechter Konvergenz trainierter oder blinder Equalizer löst.
摘要翻译：装置和方法，用于低复杂实现的双向仲裁的自适应均衡器判决反馈用于在由符号间干扰的信道损害的消息传输。均衡器包括两个预过滤器。所述两个预过滤器的由一个或两个时间反转操作和没有或一个IIR滤波器。两个前置滤波器裂解非最小相位信道分成相反时间方向上两个快速最小相位通道在向前和向后的方向上同时均衡。所述SBS仲裁器选择两个ADFE代表采样的所接收信号的最佳的两个选择决定中的一个。生产两个时间上相对快速最小相位信道的具有两个主要优点。首先，它允许一个短的非递归滤波器的均衡，因此较少的计算复杂性，并在ADFE较短的收敛时间。其次，它允许使用ACII初始化，用于计算最小相位信道，其是用于干扰抑制为ADFE起始系数由去相关并解决了训练或盲均衡器的缓慢或差收敛的问题的近似逆的低复杂方法的。

10. 发明申请

WO2006061439A1 VERTIKALER BIPOLARTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：垂直双极型晶体管
公开(公告)号：WO2006061439A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/EP2005/056691
申请日：2005-12-12
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , RÜCKER, Holger , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen
发明人： HEINEMANN, Bernd , RÜCKER, Holger , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要： Vertikaler Heterobipolartransistor, mit einem Substrat aus Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem darin ausgebildeten Isolationsgebiet, einer in einer Öffnung des Isolationsgebietes angeordneten ersten Halbleiterelektrode aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die entweder als Kollektor oder als Emitter ausgebildet ist, und die einen ersten Höhenabschnitt und einen angrenzenden, in einer Höhenrichtung vom Substratinneren weiter entfernten zweiten Höhenabschnitt aufweist, wobei nur der erste Höhenabschnitt vom Isolationsgebiet in zur Höhenrichtung senkrecht stehenden lateralen Richtungen umschlossen ist, einer zweiten Halbleiterelektrode aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, die als der andere Typ Halbleiterelektrodeeiner Basis aus einkristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, und einem Basisanschlussgebiet, das einen einkristallinen Abschnitt aufweist, der in lateraler Richtung den, von der Basis aus gesehen weiter zum Substratinneren liegenden, zweiten Höhenabschnitt der ersten Halbleiterelektrode lateral umgibt, und der mit seiner Unterseite unmittelbar auf dem Isolationsgebiet aufliegt.
摘要翻译：垂直杂，其包括第一传导类型的半导体材料的衬底和形成于其中的隔离区，布置在由其或者作为集电极或发射极，和一个第一水平部分和一个形成的第二导电型的单晶半导体材料的绝缘区域第一半导体电极的开口具有邻近，在从所述第二垂直部分，其特征在于，只有所述第一垂直部分被隔离区域在垂直的横向方向上的高度方向上包围内部的衬底的高度方向上位于远方时，第二导电类型的半导体材料的第二半导体电极的比单晶半导体材料构成的基材的其它类型的半导体电极第一导电类型，并且包括在横向方向上的单晶部分的基极连接区域，v 的周围进一步看出到衬底横向地位于所述第一半导体电极的，第二高度部分的内部中的基础，并且其上直接其下侧上的绝缘区域搁置。

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