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1. 发明申请

WO2007138078A1 VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER MIT MIS-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：与MIS结构迁移基于发光体
公开(公告)号：WO2007138078A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/EP2007/055256
申请日：2007-05-30
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried , REICHE, Manfred , YU, Xuegong , VYVENKO, Oleg F.
发明人： KITTLER, Martin , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried , REICHE, Manfred , YU, Xuegong , VYVENKO, Oleg F.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , G02F1/13473 , G02F2203/34 , H01L21/76254 , H01L33/0037 , H01L33/0054 , H01L33/16 , H01S3/0637 , H01S5/30 , H01S5/3009 , H01S5/3031
摘要： Licht emittierendes Halbleiterbauelement (600) mit einem Substrat (S, 200), das eine erste Grenzfläche zwischen einer ersten (100) und einer zweiten (102) Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gitterstrukturen relativ zueinander um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche (108) liegende Achse um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk (D) vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenzspektrum des Halbleiterbauelements (600) ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
摘要翻译：发光，其包括垂直于衬底表面的第一轴线相对于彼此的基板（S，200），具有第一（100）之间的第一接口和第二（102）硅层，所述假想理想晶格结构（围绕轴线半导体元件（600） 118）加捻和左右第二（平行于基板表面108）由一个倾斜角度躺在轴线的旋转角度被倾斜，使得在该界面的位错网络（D）的区域存在，其中，所述旋转角和倾斜角被选择为使得一所述半导体部件（600）的电致发光光谱在光的任一1.3微米波长或光的1.55微米波长的绝对最大发射光强度的。

2. 发明申请

WO2006117389A1 VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER 审中-公开
标题翻译： TRANSFER基于发光体
公开(公告)号：WO2006117389A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/EP2006/062030
申请日：2006-05-03
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , REICHE, Manfred , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried
发明人： KITTLER, Martin , REICHE, Manfred , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/16 , H01S5/3224 , H01S5/3227
摘要： Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat, das eine erste Grenzfläche zwieschen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gittestrukturen relativ zueinender um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche liegende Achse (110) um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenspektrum des Halbleiterbauelement ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
摘要翻译：具有发光具有衬底zwieschen第一和第二硅层的第一接口，假想理想晶格结构相对zueinender垂直于基板表面上的第一轴线（118）由旋转角度和第二躺在平行于基板表面绕轴线旋转的半导体器件轴（110）由一个倾斜角度倾斜，使得在界面的区域呈现位错网络，其中，所述旋转角和倾斜角被选择为使得该半导体器件的Elektrolumineszenspektrum是所发射的光强度中的光的任一1.3微米波长或绝对最大具有光的1.55微米波长。

3. 发明申请

WO2009003848A1 DEFEKTBASIERTE SILIZIUM-LASERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：缺陷硅基激光器结构
公开(公告)号：WO2009003848A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/EP2008/057801
申请日：2008-06-19
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , MCHEDLIDZE, Teimuraz , ARGUIROV, Tzanimir , REICHE, Manfred
发明人： KITTLER, Martin , MCHEDLIDZE, Teimuraz , ARGUIROV, Tzanimir , REICHE, Manfred
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/3224 , H01S5/3227
摘要： Halbleiterlaserdiode vom VCSEL-Typ mit einem Siliziumsubstrat, einer Laserkavität aus Silizium oder Silizium-Germanium, die sich von einer Haupt-Oberfläche des Siliziumsubstrats ausgehend ins Substratinnere hinein erstreckt und als Resonator-Endflächen eine erste Spiegelschicht an der für die Lichtemission vorgesehenen Substratoberfläche und eine vergrabene zweite Spiegelschicht im Siliziumsubstrat aufweist; einem in der Laserkavität angeordneten Verstärkungsgebiet aus kristallinem Silizium oder Silizium-Germanium, welches strukturelle Defekte seines Kristallgitters und an diesen lokalisiert eine Vielzahl elektronischer Mehrniveau-Systeme enthält, die durch Ladungsträgerinjektion jeweils geeigneter Ladungsträgerdichte in das aktive Gebiet anregbar sind, zur spontanen Emission von Licht und als Gesamtheit in einen zur optischen Verstärkung des Lichts durch stimulierte Emission geeigneten Besetzungsinversionszustand; und mit lateral dem Verstärkungsgebiet an einander gegenüberliegenden Seiten benachbarten und entgegengesetzt leitfähigen Halbleitergebieten aus Silizium oder Silizium-Germanium, die für die Ladungsträgerinjektion in das Verstärkungsgebiet geeignet dotiert und mit elektrisch leitfähigen Kontakten zum Anlegen einer für die Ladungsträgerinjektion geeigneten Betriebsspannung versehen sind.
摘要翻译：具有硅衬底，硅或硅锗的激光腔，其延伸从硅衬底到衬底内部分成的主表面开始并且埋入作为谐振器端面，在规定的发光衬底表面和第一反射镜层的VCSEL类型的半导体激光二极管具有在所述硅衬底的第二镜面层; 设置在结晶硅或含有结构缺陷的晶格硅 - 锗的激光腔增益区域和汽缸这个定位的多个电子多级系统，其由载流子注入有源区分别激发合适的载流子密度的，光的自发发射和作为一个整体在适于通过受激发射的粒子数反转状态的光的光放大的容器; 和横向上相对的侧面的硅或硅 - 锗的邻近和相反导电类型的半导体区，其被适当地掺杂的电荷载流子注入到增益区中，并设置有用于施加适合于载流子注入工作电压的形式的导电触点的增益区。

4. 发明公开

EP1880425A1 VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER 有权
标题翻译： TRANSFER基于发光体
公开(公告)号：EP1880425A1
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：EP06754991.5
申请日：2006-05-03
申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： KITTLER, Martin , REICHE, Manfred , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/16 , H01S5/3224 , H01S5/3227
摘要： The invention relates to a light-emitting semiconductor component comprising a substrate provided with a first interface arranged between first and second silicon layers whose lattice structures considered as ideal are oriented to each other at an angle of rotation about a first axis (118) perpendicular to the substrate surface and are inclined at a tilting angle about a second axis (110) parallel thereto in such a way that a dislocation network is available in the interface area, wherein the rotation and tilting angles are selected in such a way that the electroluminescent spectrum of the semiconductor component exhibits an absolute maximum of the light intensity emitted at 1.3 or 1.55 light wavelength micrometers.

5. 发明申请

WO2010084059A2 THERMOELEKTRISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：热电半导体元件
公开(公告)号：WO2010084059A2
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/EP2010/050302
申请日：2010-01-12
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , REICHE, Manfred
发明人： KITTLER, Martin , REICHE, Manfred
IPC分类号： H01L27/16 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/12 , H01L27/16 , H01L35/32
摘要： Thermoelektrisches Halbleiterbauelement, mit einer elektrisch isolierenden Substratoberfläche und einer darauf angeordneten Vielzahl von einander beabstandeter, alternierend p-leitend (4) und n-leitend ausgebildeter Halbleiterstrukturelemente (5), die in einer Reihenschaltung alternierend an zwei gegenüberliegenden Enden der jeweiligen Halbleiterstrukturelemente durch Leitstrukturen elektrisch leitend miteinander verbunden sind, derart, dass eine Temperaturdifferenz (2ΔT) zwischen den gegenüberliegenden Enden eine elektrische Spannung zwischen den Leitstrukturen erzeugt oder dass eine zwischen den Leitstrukturen (7, 9; 13, 15) bestehende Spannungsdifferenz eine Temperaturdifferenz (2ΔT) zwischen den gegenüberliegenden Enden erzeugt, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterstrukturelemente eine erste Grenzfläche zwischen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweisen, deren als ideal gedachte Gitterstrukturen relativ zueinander um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite, parallel zur Substratoberfläche liegende Achse um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt.
摘要翻译：具有电绝缘性基板表面的热电半导体器件，并且电通过导电结构的串联电路在其上的多个间隔开的设置，交替的p型（4）和n型导电性形成的半导体结构元件（5），交替地在相应的半导体结构元件的两个相对端（？2 T），该温度差之间的相对的端部以这样的方式连接在一起产生，或使导电结构之间的导电结构之间的电电压（7,9; 13，15）的现有的电压差，温度差（2 T）之间产生相对于彼此围绕轴线相对的端部，其特征在于，所述半导体结构元件具有第一和第二硅层之间的第一界面，作为假想理想晶格结构垂直于基板表面固定的第一轴线的旋转角度旋转，倾斜围绕第二轴线由一个倾斜角度平行于基板表面卧，使得在界面区域中，位错网络是存在的。

6. 发明申请

WO2003071354A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON PORÖSEM MATERIAL MIT PERIODISCHER PORENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：工艺生产具有周期孔排列多孔材料
公开(公告)号：WO2003071354A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/EP2003/001138
申请日：2003-02-05
申请人： MAX-PLANCK-GESELSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN e.V. , WEHRSPOHN, Ralf , GÖSELE, Ulrich, M. , NIELSCH, Kornelius , CHOI, Jinsub , REICHE, Manfred , ALEXE, Marin
发明人： WEHRSPOHN, Ralf , GÖSELE, Ulrich, M. , NIELSCH, Kornelius , CHOI, Jinsub , REICHE, Manfred , ALEXE, Marin
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B41M3/006
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von poroesem Material mit periodischer Porenanordnung unter Verwendung eines Nanoimprint-Stempels, bei dem in einem Oberflaechenbereich (14) einer Materialschicht (16) Keimstellen (20) mit einem mittleren Keimabstand (DKeim) mit Hilfe eines Stempels (10) erzeugt werden, dessen Stempelflaeche (12) zumindest bereichsweise mit periodisch angeordneten Erhebungen (18) mit dem mittleren Keimabstand (DKeim) versehen ist, und der Oberflaechenbereich (14) der Materialschicht (16) einer elektrochemischen Aetzloesung und einer elektrischenSpannung derart ausgesetzt wird, dass sich in Abhaengigkeit von der Anordnung der Keimstellen (20) und von der gewaehlten Spannung eine selbstorganisierte regelmaessige Porenstruktur (24) mit einem mittleren Porenabstand (Dpor) ausbildet, der ungleich dem Mittleren Keimabstand (DKeim) ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung des Stempels und den Stempel selbst.
摘要翻译：本发明涉及一种用于使用纳米压印印模具有周期性孔排列生产多孔材料的，一种方法，其中在具有平均晶粒间距（DKeim）通过冲头的装置的材料层（16），成核位点（20）的Oberflaechenbereich（14）（10 ）被生成，其Stempelflaeche（12）至少部分地（与周期性排列的突出部18），以平均晶粒间距（DKeim）被提供，和电化学蚀刻溶液的材料层（16）的Oberflaechenbereich（14）和一个电压以这样的方式暴露该取决于成核位点（20）和所选择的电压的布置形成，具有的平均孔间距（DPOR），这是不等于所述中间胚芽距离（DKeim）的自组织连续气泡结构（24）。本发明还涉及一种用于制造所述印模和该印模本身的处理。

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