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1. 发明专利

JP2015535813A レジストパターンの下部膜形成用化合物、組成物およびこれを利用した下部膜の形成方法有权
标题翻译：在该组合物的抗蚀图案形成方法下成膜化合物和使用该下层
公开(公告)号：JP2015535813A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2015531853
申请日：2013-09-12
申请人：ドンジンセミケムカンパニーリミテッドDongjin Semichem Co., Ltd. , ドンジンセミケムカンパニーリミテッドDongjin Semichem Co., Ltd.
发明人：スヨンハン , スヨンハン , ジョンヨルイ , ジョンヨルイ , ジェウイ , ジェウイ , ジェヒョンキム , ジェヒョンキム
IPC分类号： C07D251/34 , B82Y40/00 , C07D405/14 , C07D409/14 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0002 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/0271
摘要：ブロック共重合体の誘導自己組織化工程によって、レジストパターンを形成する過程で使用される下部膜形成用化合物、組成物、およびこれを利用した下部膜の形成方法が開示される。前記レジストパターンの下部膜形成用化合物は、請求項1における化学式1で表される構造を含む。
摘要翻译：通过嵌段共聚物的感应自组装过程中，在形成抗蚀剂图案使用该组合物形成的下层膜的方法的过程中使用的较低的成膜化合物，和相同的公开。的较低的成膜化合物，所述的抗蚀剂图案包括由式1根据权利要求1中表示的结构。

3. 发明专利

JP2010248508A Polysulfone-based polymer, polyelectrolyte membrane including the polymer, membrane-electrode joining body containing the polyelectrolyte membrane, fuel cell adopted the polyelectrolyte membrane, and method for producing the polymer 有权
标题翻译：聚合物聚合物，包括聚合物的聚电解质膜，包含聚电解质膜的膜电极接合体，通过聚电解质膜的燃料电池，以及聚合物的制造方法
公开(公告)号：JP2010248508A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010090552
申请日：2010-04-09
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , Hyundai Motor Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd. , 現代自動車株式会社
发明人： LEE JOO HO , KIM DONG-IL , SON JANG BAE , PARK KYOSHU , HWANG IN CHUL , CHO KIIN
IPC分类号： C08G65/40 , C08J5/22 , H01B1/06 , H01M8/02 , H01M8/10
CPC分类号： C08G65/4006 , C08G65/48 , C08G75/23 , C08L2205/05 , H01M8/1011 , H01M8/1032 , H01M8/1048 , H01M8/1051 , H01M8/106 , H01M2250/20 , Y02E60/523 , Y02P70/56 , Y02T90/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polysulfone-based polymer having a new structure, a polyelectrolyte membrane including the polymer, a membrane-electrode joining body including the polyelectrolyte membrane, a fuel cell containing the polyelectrolyte membrane, and a method for producing the polysulfone-based polymer. SOLUTION: The polysulfone-based polymer includes recurring units each represented by chemical formula. In the formula, X is a single bond or Ar 1 , which is substituted or unsubstituted 6-20C arylene group; M 1 and M 2 are each mutually independently H, lithium, sodium, or potassium; a+b=5 and c+d=5, wherein (a) and (c) are each mutually independently an integer of 1-5; (e) and (f) are each mutually independently an integer of 0-4; R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each mutually independently a 1-20C straight-chain or branched-type alkyl group, a 2-20C alkenyl group, a 2-20C alkynyl group, a 5-20C cycloalkyl group, a 6-20C aryl group, a 2-20C heteroaryl group, a 7-20C alkylaryl, or 1-20C alkoxy group; and (n) denotes polymerization degree, being 10-10,000. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有新结构的聚砜系聚合物，包含该聚合物的聚电解质膜，包括聚电解质膜的膜 - 电极接合体，含有聚电解质膜的燃料电池，以及用于生产聚砜基聚合物。解决方案：聚砜基聚合物包括各自由化学式表示的重复单元。在该式中，X为单键或Ar 1 ，其为取代或未取代的6-20C亚芳基; M 1 和M 2 各自独立地为H，锂，钠或钾; a + b = 5和c + d = 5，其中（a）和（c）各自相互独立地为1-5的整数; （e）和（f）各自相互独立地为0-4的整数; R SB 1，R SB 2，R SB 3和R SB 4各自相互独立地是1-20C的直链或支链型烷基，2-20C烯基，2-20C炔基，5-20C环烷基，6-20C芳基，2-20C杂芳基，7-20C烷基芳基或1 -20℃的烷氧基; 和（n）表示聚合度，为10-10,000。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2010113356A Pattern forming method 审中-公开
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2010113356A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009253372
申请日：2009-11-04
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： KIM DONG-MIN , LEE WON YOUNG , LEE KI MAN , KIM SUNG KI , CHOI KI SIK , JA-GARU YUN , KIM JEONG WON , BYEON CHEOL KI , SHIN JAE HO , BYUN JA-FUN
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/023 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method for stably forming a profile of an undercut feature suitable for a special process such as a lift-off process by using a positive photoresist composition having an adjustable sensitization speed.
SOLUTION: The present invention relates to a pattern forming method for a display element for forming a profile of an undercut feature applicable to a lift-off process. The profile of an undercut feature can be easily formed upon forming a multilayer photoresist, by using a polymer compound having a specified structure and controlling the sensitization speed to be rapid. Thereby, it is applicable to the lift-off process, and even a thick pattern can be formed. Since an etching process can be omitted in the process, process simplification can be achieved.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种图案形成方法，用于通过使用具有可调节的致敏速度的正性光致抗蚀剂组合物来稳定地形成适合于特殊工艺（例如剥离处理）的底切特征的轮廓。解决方案：本发明涉及一种用于形成可应用于剥离过程的底切特征的轮廓的显示元件的图案形成方法。通过使用具有特定结构的高分子化合物和敏化速度快速控制，可以容易地在形成多层光致抗蚀剂时形成底切特征的轮廓。由此，可以适用于剥离处理，也可以形成厚的图案。由于在该过程中可以省略蚀刻工艺，因此可以实现工艺简化。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010024232A Optically active benzoate compound, and method for producing the same 审中-公开
标题翻译：光活性苯甲酸酯化合物及其制造方法
公开(公告)号：JP2010024232A
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：JP2009171506
申请日：2009-07-22
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , Pusan National Univ Industry-Univ Corp Foundation , プサンナショナルユニバーシティーインダストリー−ユニバーシティーコーポレーションファウンデーション , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： CHOI KYUNG HEE , CHOI JIN-WOOK , LEE SUN-HEE , KANG KYUNG-TAE
IPC分类号： C07C69/92 , C07B53/00 , C07C67/08 , C09K19/54
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optically active alkoxy alcohol for the purpose of solving such a problem as the crystallization in a liquid crystal composition.
SOLUTION: There are provided an optically active benzoate compound, and a chiral dopant for a liquid crystal display containing the same. The optically active benzoate compound, which exhibits an excellent degree of optical rotation, has optically active characteristics equivalent to or better than those of liquid crystal chiral dopants containing a conventional optically active compound and is excellent particularly in crystallization characteristics because of increasing solubility with liquid crystal, and thus is suitable for use as a chiral dopant for a liquid crystal.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了解决液晶组合物中的结晶这样的问题，提供光学活性烷氧基醇。解决方案：提供光学活性苯甲酸酯化合物和用于含有它的液晶显示器的手性掺杂剂。具有优异的旋光度的光学活性苯甲酸酯化合物具有与含有常规光学活性化合物的液晶手性掺杂剂相当或优于其光学活性的特性，特别是结晶特性优异，因为与液晶的溶解度增加，因此适合用作液晶的手性掺杂剂。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2009067672A Glass frit and sealing method for electric element using the same 审中-公开
标题翻译：用于电子元件的玻璃纤维和密封方法
公开(公告)号：JP2009067672A
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2008228160
申请日：2008-09-05
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： SON JUNG-HYUN , LEE SANG-KYU , SHU KANFUKU , PARK JONG-DAI
IPC分类号： C03C8/08 , C03C8/24 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10
CPC分类号： C03C8/08 , C03C8/04 , C03C8/24 , H01L51/5246 , H01L51/5259
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass frit which provides a good sealing effect to moisture and gas and is processable at low temperature, and a sealing method for an electric element using the same. SOLUTION: Disclosed is a glass frit comprising, by mol, 10 to 25% P 2 O 5 , 40 to 50% V 2 O 5 , 10 to 20% ZnO, 1 to 15% BaO, 1 to 10% Sb 2 O 3 , 1 to 10% Fe 2 O 3 , 0.1 to 5% Al 2 O 3 , 0.1 to 5% B 2 O 3 , 1 to 10% Bi 2 O 3 and 0.1 to 5% TiO 2 . COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种对湿气和气体提供良好的密封效果并且可在低温下加工的玻璃料，以及使用该玻璃料的电气元件的密封方法。解决方案：公开了一种玻璃料，其中含有10-25％的P 2 5 ，40至50％V SB 2 10〜20％的ZnO，1〜15％的BaO，1〜10％的Sb，2〜3％的SB，3〜10％ 3 ，0.1〜5％的Al，SB，O，SB， 2 3 ，1至10％Bi 2 3 和0.1至5％TiO 2 SB >。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2008306188A Light shielding water soluble resin composition 有权
标题翻译：光泽水溶性树脂组合物
公开(公告)号：JP2008306188A
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：JP2008148693
申请日：2008-06-06
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： YEO TAEHOON , KIM BYUNG UK , YOUN HYOC MIN , KOO KI HYUK , YUN JOO PYO , LEE HO JIN , JEONG DAEJUNG
IPC分类号： H01L29/786 , C08K5/00 , C08L101/14 , C09D5/00 , H01L21/312 , H01L51/05
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light shielding water soluble resin composition which can be effectively used as a light shielding protection film arranged between an organic semiconductor film and an interlayer insulating film to prevent crystallity from being reduced and the organic semiconductor film from being optically oxidized when the interlayer insulating film is irradiated with light in the case of forming the organic semiconductor film of an organic electric element so as to contact with the interlayer insulating film.
SOLUTION: The light shielding water soluble resin composition for the organic semiconductor protection film especially contains water soluble resin (a), a water soluble dye compound (b) and a solvent (c).
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种遮光性水溶性树脂组合物，其可以有效地用作布置在有机半导体膜和层间绝缘膜之间的遮光保护膜，以防止结晶减少，并且有机半导体膜在形成有机电子元件的有机半导体膜的情况下，当层间绝缘膜被光照射时，被光学氧化，以便与层间绝缘膜接触。解决方案：用于有机半导体保护膜的遮光性水溶性树脂组合物特别含有水溶性树脂（a），水溶性染料化合物（b）和溶剂（c））。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2008262206A Photoresist composition and method of manufacturing thin film transistor substrate using the same 有权
标题翻译：光电组合物及其制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：JP2008262206A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2008103960
申请日：2008-04-11
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： PARK JEONG-MIN , JUNG DOO-HEE , LEE HI-KUK , YOUN HYOC-MIN , KOO KI-HYUK
IPC分类号： G03F7/023 , C08G8/04 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G03F7/004 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： G03F7/0382 , H01L21/312 , H01L27/1214 , H01L27/1288
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition that is superior in heat resistance and adhesiveness.
SOLUTION: The photoresist composition contains a first binder resin, second binder resin, photoacid generator, crosslinking agent, and solvent. The photoresist composition is superior in heat resistance and adhesiveness of a photoresist pattern, so that an aperture ratio of a thin film transistor substrate increases to thereby improve display quality. Accordingly, the photoresist composition is preferably used for four mask processes to manufacture the thin film transistor substrate.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供耐热性和粘合性优异的光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物含有第一粘合剂树脂，第二粘合剂树脂，光酸产生剂，交联剂和溶剂。光致抗蚀剂组合物的耐热性和光致抗蚀剂图案的粘合性优异，使得薄膜晶体管基板的开口率增加，从而提高显示质量。因此，光致抗蚀剂组合物优选用于制造薄膜晶体管基板的四种掩模工艺。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2007304593A Photoresist composition 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：JP2007304593A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：JP2007122608
申请日：2007-05-07
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： KIM DONG-MIN , KIM BYUNG UK , PARK DAE YEON , KIM JU HYUK , CHOI KI SIK , KIM JEONG WON , LEE KI BEOM , BYEON CHEOL KI , KIM MOON SOO , KIM BYON-FU , BYUN JA-FUN , SHIN JAE-FU
IPC分类号： G03F7/023 , C08G8/00 , G03F7/004 , G03F7/022 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition excellent in pattern uniformity and heat resistance after a hard baking step.
SOLUTION: The photoresist composition used in the manufacture of a minute circuit such as a liquid crystal display circuit or a semiconductor integrated circuit comprises (a) a novolac resin represented by chemical formula (1), (b) a diazide-based photosensitive compound and (c) an organic solvent.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2007304591A Photoresist composition 审中-公开
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：JP2007304591A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：JP2007122599
申请日：2007-05-07
申请人： Dongjin Semichem Co Ltd , 東進セミケム株式会社Dongjin Semichem Co.,Ltd.
发明人： KIM DONG-MIN , KIM BYUNG UK , PARK DAE YEON , KIM JU HYUK , CHOI KI SIK , KIM JEONG WON , LEE KI BEOM , BYEON CHEOL KI , KIM MOON SOO , KIM BYON-FU , BYUN JA-FUN , SHIN JAE-FU
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition capable of improving sensitization speed, film retention, development contrast and resolution of a photoresist film, the solubility of a polymer resin, adhesive power to a substrate and uniformity of circuit line width.
SOLUTION: The photoresist composition comprises (a) a novolac resin represented by chemical formula (1), (b) a diazide-based photosensitive compound and (c) an organic solvent, wherein R is H, -OH or -CH
3 , and n is an integer of 3-20.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高光致抗蚀剂膜的致敏速度，保持膜，显影对比度和分辨率的光致抗蚀剂组合物，聚合物树脂的溶解度，对基板的粘合力和电路线宽度的均匀性。光致抗蚀剂组合物包含（a）由化学式（1）表示的酚醛清漆树脂，（b）二叠氮基类感光性化合物和（c）有机溶剂，其中R为H，-OH或-CH ＆lt; SB＆gt; 3＆lt; / SB＆gt;中，n为3-20的整数。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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