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1. 发明授权

US08520725B2 Data equalizing circuit and data equalizing method 有权
标题翻译：数据均衡电路和数据均衡方法
公开(公告)号：US08520725B2
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：US13407546
申请日：2012-02-28
申请人： Chun Seok Jeong , Jae Jin Lee , Chang Sik Yoo , Jang Woo Lee , Seok Joon Kang
发明人： Chun Seok Jeong , Jae Jin Lee , Chang Sik Yoo , Jang Woo Lee , Seok Joon Kang
IPC分类号： H03H7/30
CPC分类号： H04L25/03038
摘要： A data equalizing circuit includes an equalizer configured to control a gain of data according to a value of a control code and output a controller gain; and a detection unit configured to divide n cycles of the data into N periods, count data transition frequencies for n/N periods while changing the value of the control code, calculate dispersion values of data transition frequencies for 1/N periods of the data from the data transition frequencies for the n/N periods, and finally output the value of the control code corresponding to a largest dispersion value, wherein n is equal to or greater than 2 and is set such that boundaries of the respective n/N periods of the data have different positions in the 1 UI data.
摘要翻译：数据均衡电路包括均衡器，其被配置为根据控制码的值控制数据的增益并输出控制器增益; 以及检测单元，被配置为将数据的n个周期分成N个周期，在改变控制码的值的同时，计算n / N个周期的数据转换频率，计算数据的1 / N个周期的数据转换频率的色散值， n / N周期的数据转换频率，最后输出对应于最大色散值的控制码的值，其中n等于或大于2，并且被设置为使得各个n / N周期的边界数据在1 UI数据中具有不同的位置。

2. 发明申请

US20130170537A1 DATA EQUALIZING CIRCUIT AND DATA EQUALIZING METHOD 有权
标题翻译：数据均衡电路和数据均衡方法
公开(公告)号：US20130170537A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：US13407546
申请日：2012-02-28
申请人： Chun Seok JEONG , Jae Jin LEE , Chang Sik YOO , Jang Woo LEE , Seok Joon KANG
发明人： Chun Seok JEONG , Jae Jin LEE , Chang Sik YOO , Jang Woo LEE , Seok Joon KANG
IPC分类号： H03H7/40
CPC分类号： H04L25/03038
摘要： A data equalizing circuit includes an equalizer configured to control a gain of data according to a value of a control code and output a controller gain; and a detection unit configured to divide n cycles of the data into N periods, count data transition frequencies for n/N periods while changing the value of the control code, calculate dispersion values of data transition frequencies for 1/N periods of the data from the data transition frequencies for the n/N periods, and finally output the value of the control code corresponding to a largest dispersion value, wherein n is equal to or greater than 2 and is set such that boundaries of the respective n/N periods of the data have different positions in the 1 UI data.
摘要翻译：数据均衡电路包括均衡器，其被配置为根据控制码的值控制数据的增益并输出控制器增益; 以及检测单元，被配置为将数据的n个周期分成N个周期，在改变控制码的值的同时，计算n / N个周期的数据转换频率，计算数据的1 / N个周期的数据转换频率的色散值， n / N周期的数据转换频率，最后输出对应于最大色散值的控制码的值，其中n等于或大于2，并且被设置为使得各个n / N周期的边界数据在1 UI数据中具有不同的位置。

3. 发明授权

US08283609B2 On die thermal sensor in semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件中的裸片热传感器
公开(公告)号：US08283609B2
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：US11819944
申请日：2007-06-29
申请人： Chun-Seok Jeong
发明人： Chun-Seok Jeong
IPC分类号： H05B1/02
CPC分类号： G01K7/425 , G01K7/015
摘要： An on die thermal sensor in a semiconductor memory device includes: a reference voltage generating unit for generating a band gap voltage and generating a reference voltage by using the base band gap voltage; a voltage amplifying unit for outputting a temperature voltage by amplifying the band gap voltage; and a temperature information code generating unit for generating a temperature information code corresponding to a voltage level of the temperature voltage, wherein voltage variation of the temperature voltage is amplified as much as a preset amplifying value and a maximum voltage level of the temperature voltage is maintained lower than that of a power supply voltage used in the semiconductor memory device.
摘要翻译：半导体存储器件中的管芯式热传感器包括：基准电压产生单元，用于产生带隙电压并通过使用基带电压产生参考电压; 电压放大单元，用于通过放大带隙电压来输出温度电压; 以及温度信息代码产生单元，用于产生对应于温度电压的电压电平的温度信息代码，其中温度电压的电压变化被放大多达预设的放大值，并且维持温度电压的最大电压电平低于在半导体存储器件中使用的电源电压。

4. 发明申请

US20110242918A1 GLOBAL LINE SHARING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 失效
标题翻译：半导体存储器件的全球线路共享电路
公开(公告)号：US20110242918A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：US12977752
申请日：2010-12-23
申请人： Chun-Seok JEONG
发明人： Chun-Seok JEONG
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/48 , G11C29/02 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C29/1201
摘要： A global line sharing circuit of a semiconductor memory device includes: a ZQ calibration unit configured to adjust an impedance of a DQ output driver; a test unit configured to control a test operation; and a shared global line coupled to and used in common by the ZQ calibration unit and the test unit.
摘要翻译：半导体存储器件的全局线共享电路包括：ZQ校准单元，被配置为调整DQ输出驱动器的阻抗; 被配置为控制测试操作的测试单元; 以及一个共享的全局线，它与ZQ校准单元和测试单元耦合并共同使用。

5. 发明申请

US20100329040A1 DATA ALIGNMENT CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS 有权
标题翻译：数据对准电路和半导体存储器件的方法
公开(公告)号：US20100329040A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12649066
申请日：2009-12-29
申请人： Chun Seok JEONG , Kee Teok PARK , Chang Sik YOO , Jang Woo LEE , Hong Jung KIM
发明人： Chun Seok JEONG , Kee Teok PARK , Chang Sik YOO , Jang Woo LEE , Hong Jung KIM
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/00 , G11C8/18
CPC分类号： G11C7/22 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C7/1093 , G11C7/222
摘要： A data alignment circuit of a semiconductor memory apparatus includes: a data strobe clock phase control block configured to control a phase of a data strobe clock signal in response to a strobe delay code and generate a delayed strobe clock signal; a plurality of data phase control blocks configured to control phases of input data in response to data delay codes and generate delayed data; a plurality of data alignment blocks configured to latch the delayed data in response to the delayed strobe clock signal and generate latched data and aligned data; and a delay code generation block configured to perform an operation of determining phases of the latched data and generate the strobe delay code and the data delay codes.
摘要翻译：半导体存储装置的数据对准电路包括：数据选通时钟相位控制块，被配置为响应于选通延迟码来控制数据选通时钟信号的相位，并产生延迟的选通时钟信号; 多个数据相位控制块，被配置为响应于数据延迟码来控制输入数据的相位并产生延迟的数据; 多个数据对准块被配置为响应延迟的选通时钟信号来锁存延迟的数据，并产生锁存的数据和对准的数据; 以及延迟码生成块，被配置为执行确定所述锁存数据的相位的操作，并生成所述选通延迟码和所述数据延迟码。

6. 发明授权

US07742349B2 Semiconductor memory device 失效
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：US07742349B2
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：US12164045
申请日：2008-06-28
申请人： Chun-Seok Jeong , Beom-Ju Shin
发明人： Chun-Seok Jeong , Beom-Ju Shin
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C29/14 , G11C7/1045 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/48
摘要： A circuit can control a bit rate of information output from a multi-purpose register (MPR) of a semiconductor memory device in a test mode, thereby reducing current consumption for outputting information in a multi-purpose register (MPR). The semiconductor memory device includes a multi-purpose register configured separately to store a plurality of information, and to control a bit rate of the stored information in a test mode, each of the information having multiple bits, and a connection selector configured selectively to connect an output terminal of the multi-purpose register to one of a number of global lines according to an operation mode.
摘要翻译：电路可以在测试模式中控制从半导体存储器件的多用途寄存器（MPR）输出的信息的比特率，从而减少用于在多用途寄存器（MPR）中输出信息的电流消耗。半导体存储器件包括分别配置以存储多个信息的多用途寄存器，并且在测试模式下控制所存储的信息的比特率，每个信息具有多个位，以及连接选择器，其被选择性地配置为连接根据操作模式将多功能寄存器的输出端子连接到多条全局线路之一。

7. 发明授权

US07609195B2 On die thermal sensor and method for generating thermal code of ODTS 有权
标题翻译：用于生成热传感器和ODTS热代码的方法
公开(公告)号：US07609195B2
公开(公告)日：2009-10-27
申请号：US12003678
申请日：2007-12-31
申请人： Chun-Seok Jeong
发明人： Chun-Seok Jeong
IPC分类号： H03M1/10
CPC分类号： G01K7/015 , G01K7/425 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H03M1/186 , H03M1/48 , H01L2924/00
摘要： An on die thermal sensor (ODTS) in a memory device includes: a band gap unit for detecting a temperature of the memory device to output a first voltage corresponding to the temperature; and an analog-to-digital converting unit for outputting a digital code having temperature information based on the first voltage, the digital code having varied resolution according to temperature ranges.
摘要翻译：存储器件中的裸片热传感器（ODTS）包括：带隙单元，用于检测存储器件的温度以输出对应于该温度的第一电压; 以及模数转换单元，用于根据温度范围输出具有基于第一电压的温度信息的数字代码，数字代码具有不同的分辨率。

8. 发明申请

US20090002018A1 Impedance adjusting circuit and semiconductor memory device having the same 失效
标题翻译：阻抗调整电路和具有该阻抗调整电路的半导体存储器件
公开(公告)号：US20090002018A1
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：US12005905
申请日：2007-12-28
申请人： Chun-Seok Jeong , Kang-Seol Lee
发明人： Chun-Seok Jeong , Kang-Seol Lee
IPC分类号： H03K19/003
CPC分类号： H04L25/028
摘要： An impedance adjusting circuit includes: a first calibration resistor circuit configured to be calibrated with an external resistor and generate a first calibration code; a second calibration resistor circuit configured to be calibrated with the first calibration resistor circuit and generate a second calibration code, the second calibration resistor circuit being connected to a first node; and a transmission line circuit configured to be responsive to a control signal to connect the first node to a pin of a system employing the impedance adjusting circuit.
摘要翻译：阻抗调节电路包括：第一校准电阻器电路，被配置为用外部电阻校准并产生第一校准码; 第二校准电阻器电路，被配置为用第一校准电阻器电路校准并产生第二校准代码，第二校准电阻器电路连接到第一节点; 以及传输线电路，其被配置为响应于控制信号，以将所述第一节点连接到采用所述阻抗调节电路的系统的引脚。

9. 发明申请

US20080082291A1 On die thermal sensor 有权
标题翻译：模具热传感器
公开(公告)号：US20080082291A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：US11647351
申请日：2006-12-29
申请人： Chun-Seok Jeong , Kee-Teok Park
发明人： Chun-Seok Jeong , Kee-Teok Park
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： G01K7/015
摘要： An on die thermal sensor (ODTS) for use in a semiconductor memory device includes: a temperature information code generation unit for sensing an internal temperature of the semiconductor memory device in response to first and second enable signals and for generating a temperature information code which includes the sensed temperature information; and a flag signal logic determination unit for generating a plurality of first flag signals having temperature information and determining whether the plurality of first flag signals have a predetermined logic level or a variable logic level in response to the first and second enable signals.
摘要翻译：一种用于半导体存储器件的裸片热传感器（ODTS）包括：温度信息代码生成单元，用于响应于第一和第二使能信号感测半导体存储器件的内部温度，并用于产生温度信息代码，其包括感测温度信息; 以及标志信号逻辑确定单元，用于产生具有温度信息的多个第一标志信号，并且响应于第一和第二使能信号确定多个第一标志信号是否具有预定逻辑电平或可变逻辑电平。

10. 发明申请

US20070280330A1 On die thermal sensor of semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件的裸片热传感器
公开(公告)号：US20070280330A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：US11646328
申请日：2006-12-28
申请人： Chun-Seok Jeong , Yong-Ki Kim
发明人： Chun-Seok Jeong , Yong-Ki Kim
IPC分类号： G01K1/14
CPC分类号： G01K7/01
摘要： An on die thermal sensor (ODTS) of a semiconductor memory device includes a high voltage generating unit for generating a high voltage having a voltage level higher than that of a power supply voltage of the semiconductor memory device; and a thermal information output unit for sensing and outputting a temperature as a thermal information code, wherein the thermal information output unit uses the high voltage as its driving voltage.
摘要翻译：半导体存储器件的裸片热传感器（ODTS）包括：高电压产生单元，用于产生电压电平高于半导体存储器件的电源电压的电压; 以及热信息输出单元，用于感测和输出温度作为热信息代码，其中所述热信息输出单元使用所述高电压作为其驱动电压。

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