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1. 发明申请

WO2003021681A1 ＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法、ＳＯＩウェーハ及びその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI波长的激光标记打印方法，SOI波形及其制造方法
公开(公告)号：WO2003021681A1
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/JP2002/008503
申请日：2002-08-23
申请人：信越半導体株式会社 , 富澤進一 , 田中好一
发明人：富澤進一 , 田中好一
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/76251 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Laser marks (B1, B2) are printed on any one of the surface of an SOI layer (12) after completing an SOI wafer (10) or a terrace (B3) on the surface of a base wafer (11), or the part (C3) of a bond wafer covering a laser mark printed part (C1) on the base wafer (11a) is removed to form an opening for exposing the laser mark printed part (C1), or a laser mark (D2) is printed previously in a region (D1) on the surface of a base wafer (11b) not overlapping the bond wafer (20) before it is bonded to the base wafer (11b), or a part (121c) overlapping the printed part of a laser mark (E1) is removed before a base wafer (11c) previously printed with the laser mark (E1) is bonded to a bond wafer (21c).
摘要翻译：在基底晶片（11）的表面上完成SOI晶片（10）或露台（B3）之后，激光标记（B1，B2）印刷在SOI层（12）的任何一个表面上，或部分去除覆盖基底晶片（11a）上的激光标记印刷部分（C1）的接合晶片（C3），以形成用于曝光激光标记印刷部分（C1）的开口，或激光标记（D2）先前被印刷或者在与基片（11b）接合之前不与接合晶片（20）重叠的基片（11b）的表面上的区域（D1）中，或者与激光标记的印刷部分重叠的部分（121c）在将预先印有激光标记（E1）的基底晶片（11c）接合到接合晶片（21c）之前，移除（E1）。

2. 发明申请

WO2003046994A1 貼り合わせウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产凝结波的方法
公开(公告)号：WO2003046994A1
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/JP2002/012039
申请日：2002-11-19
申请人：信越半導体株式会社 , 中野正剛 , 富澤進一 , 三谷清
发明人：中野正剛 , 富澤進一 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要： A method for producing a cemented wafer (39), wherein a base wafer (32) and a bonded wafer (31)are cemented together via an oxide film (33), and then the bonded wafer (31) is subjected to a thickness reducing processing, characterized in that an improved chemically etched wafer which has been produced by a method comprising an etching process, wherein an acid etching is carried out after an alkali etching and a greater etching allowance is taken in the alkali etching than that in the acid etching, is used as the base wafer (32) and the bonding wafer (31). The method allows the reduction of a region (UA) wherein the base wafer and the bonding wafer are not bonded, in a cementing process.
摘要翻译：一种用于制造胶合晶片（39）的方法，其中基底晶片（32）和接合晶片（31）通过氧化膜（33）胶合在一起，然后对粘合晶片（31）进行厚度减小其特征在于，通过包括蚀刻工艺的方法生产的改进的化学蚀刻晶片，其中在碱蚀刻之后进行酸蚀刻，并且在碱蚀刻中获得比在酸蚀刻中更大的蚀刻余量用作基底晶片（32）和接合晶片（31）。该方法允许在固井过程中减少其中基底晶片和接合晶片未结合的区域（UA）。

3. 发明申请

WO2003009386A1 貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产粘结波的方法
公开(公告)号：WO2003009386A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/006965
申请日：2002-07-09
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 富澤進一 , 三谷清
发明人：阿賀浩司 , 富澤進一 , 三谷清
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： A method for producing a bonding wafer by ion implantation stripping method comprising a step for bonding a bond wafer having a micro bubble layer formed by gas ion implantation and a base wafer becoming a supporting substrate, and a step for stripping the bond wafer with the micro bubble layer as a boundary and forming a thin film on the base wafer, wherein the pasted wafer from which the bond wafer is stripped is heat treated in the atmosphere of an inert gas, hydrogen gas or their mixture gas, a thermal oxide film is formed on the surface of the thin film by thermally oxidizing the pasted wafer, and then the thickness of the thin film is reduced by removing the thermal oxide film. Damages and defects on the surface of a pasted wafer produced by ion implantation stripping method can be removed surely while sustaining uniformity in the thickness of a thin film on the wafer, and a method for producing a bonding wafer sufficiently applicable as a mass production technology is provided.
摘要翻译：一种用于通过离子注入剥离方法制造接合晶片的方法，包括用于结合具有由气体离子注入形成的微气泡层的接合晶片和成为支撑衬底的基底晶片的步骤，以及用于将微结晶晶片剥离的步骤气泡层作为边界并在基底晶片上形成薄膜，其中将剥离接合晶片的粘贴晶片在惰性气体，氢气或其混合气体的气氛中进行热处理，形成热氧化膜通过热氧化粘贴的晶片在薄膜的表面上，然后通过去除热氧化膜来减小薄膜的厚度。通过离子注入剥离法生产的粘贴晶片的表面上的损伤和缺陷可以在保持晶片上薄膜厚度的均匀性的同时被去除，并且作为批量生产技术充分适用的制造接合晶片的方法是提供。

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