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    • 1. 发明申请
    • 基板ホルダシステム、基板接合装置およびデバイスの製造方法
    • 基板支架系统,基板接合装置及其制造方法
    • WO2011010452A1
    • 2011-01-27
    • PCT/JP2010/004659
    • 2010-07-21
    • 株式会社ニコン菅谷 功長南 純一前田 栄裕
    • 菅谷 功長南 純一前田 栄裕
    • H01L21/683H01L21/02
    • H01L21/67092H01L21/187H01L21/6831H01L21/6833Y10T156/10Y10T156/1744
    •  半導体基板を保持した基板ホルダ同士を一体化して積層された半導体基板を挟持した状態とするには、互いの基板ホルダ同士を固定する固定機構が必要となる。この固定機構における接触箇所も発塵原因となり得る。 そこで、発塵を抑制すべく、第1基板を保持する第1基板ホルダと、第1基板ホルダに設けられる結合部材と、第2基板を保持する第2基板ホルダと、第2基板ホルダ上であって、第1基板ホルダと第2基板ホルダが第1基板と第2基板を挟持して対向したときに、結合部材と対向する位置に設けられる被結合部材と、結合部材または被結合部材のそれぞれの接触部の少なくとも一方に設けられる緩衝部とを備える基板ホルダシステムを提供する。
    • 为了将用于保持半导体衬底的衬底保持器作为单个单元而夹在其间的堆叠的半导体衬底,需要用于固定衬底保持器的固定机构。 然而,固定机构中的接触点可能构成灰尘源。 因此,为了抑制灰尘的产生,公开了一种基板保持器系统,包括:保持第一基板的第一基板保持器; 设置在所述第一基板保持器上的接合构件; 保持第二基板的第二基板保持器; 当所述第一基板保持件和所述第二基板保持器彼此面对并夹持所述第一基板和第二基板时,所述接合部件设置在所述第二基板保持器上面对所述接合部件的位置; 以及设置在所述接合部件或接合部件的各个接触部的至少一个上的缓冲部。
    • 5. 发明申请
    • 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法
    • 抛光体,抛光装置,半导体器件及制造半导体器件的方法
    • WO2004001829A1
    • 2003-12-31
    • PCT/JP2003/007854
    • 2003-06-20
    • 株式会社ニコン星野 進菅谷 功
    • 星野 進菅谷 功
    • H01L21/304
    • B24B37/26
    •  研磨体4は、基材5に取り付けられる。研磨体4は、研磨パッド6、硬質弾性部材7、及び軟質部材8を、研磨面側からこの順に積層した構造を持つ。研磨パッド6として、例えば、ロデール社製のIC1000(商品名)が用いられる。硬質弾性部材7として、例えば、ステンレス板が用いられる。軟質部材8として、ロデール社製のSuba400(商品名)を用いられる。研磨パッド6は、研磨面側に溝6aを有する。研磨パッド6における溝6aの箇所の残り厚さdが、0mm<d≦0.6mmの条件を満たすように設定される。これにより、グローバル・リムーバル均一性」を確保しながら、段差解消性を高めて「ローカル・パターン平坦性」を向上させることができ、しかも寿命の長い研磨体とすることができる。
    • 1.一种安装在基材(5)上的抛光体(4),其包括抛光垫(6),硬弹性构件(7)和从研磨面侧依次层叠的软构件(8) 例如,使用Rodel-nitta Co.,Ltd。制造IC1000(品牌名称)作为抛光垫(6),例如,使用不锈钢板作为硬弹性构件(7),并且a * 使用Rodel-nitta有限公司制造Suba400(品牌)作为软构件(8),在研磨面侧的抛光垫(6)中设置有槽(6a),剩余的厚度 在凹槽(6a)的位置处的抛光垫(6)的(d)被设定为满足0mm
    • 6. 发明申请
    • 研磨体、CMP研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
    • 抛光元件,CMP抛光装置和生产方法半导体器件
    • WO2003009362A1
    • 2003-01-30
    • PCT/JP2002/006780
    • 2002-07-04
    • 株式会社ニコン星野 進宇田 豊菅谷 功
    • 星野 進宇田 豊菅谷 功
    • H01L21/304
    • B24B37/20B24D13/20H01L21/31053H01L21/32115H01L21/3212
    • A wafer (11), an object of polishing, is held by a polishing head (12) and rotates together with the polishing head (12). A polishing element (14) is attached to a polishing member (13) by bonding or the like using an adhesive or a double−side adhesive tape. The polishing element (14) is formed, as shown in (b), by laminating a soft member (15), a hard elastic member (16) and a polishing pad (17). The hard elastic member (16) is so formed that a deformation under a polishing load applied during polishing is smaller than a step difference allowed for the wafer at an interval equivalent to the maximum pattern of the semiconductor integrated circuit, and larger than TTV allowed for the wafer at an interval equivalent to one chip. Accordingly, both “wafer global removal uniformity” and “local pattern flatness” can be satisfied.
    • 抛光对象的晶片(11)被研磨头(12)保持,并与抛光头(12)一起旋转。 抛光元件(14)通过使用粘合剂或双面粘合带的粘合等附着到抛光部件(13)上。 如(b)所示,通过层叠软性构件(15),硬质弹性构件(16)和研磨垫(17)而形成研磨元件(14)。 硬质弹性构件16被形成为使得在抛光期间施加的研磨负载下的变形小于与半导体集成电路的最大图案等间隔的间隔允许的晶片的阶梯差,并且大于允许的TTV 晶片间隔相当于一个芯片。 因此,可以满足“晶片全局去除均匀性”和“局部图案平坦度”。