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1. 发明专利

TWI648594B 產生表面分解成基本特徵的表面分解資料集之方法及電腦程式有权
简体标题：产生表面分解成基本特征的表面分解数据集之方法及电脑进程
公开(公告)号：TWI648594B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103137248
申请日：2014-10-28
申请人：法商艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/317 , H01J37/302 , G03F1/00

2. 发明专利

TWI620008B 用於電子或光學微影術之自由形狀裂開方法有权
简体标题：用于电子或光学微影术之自由形状裂开方法
公开(公告)号：TWI620008B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103105294
申请日：2014-02-18
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：泰芬察爾斯 , TIPHINE, CHARLES , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01J37/317
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776

3. 发明专利

TWI604274B 於粒子束微影製程且特別是電子束微影製程內之散粒雜訊效應的模擬有权
简体标题：于粒子束微影制程且特别是电子束微影制程内之散粒噪声效应的仿真
公开(公告)号：TWI604274B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW102146569
申请日：2013-12-17
申请人：法國原子能和替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , 艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：巴雷登特傑若米 , BELLEDENT, JEROME
IPC分类号： G03F7/20 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , H01J2237/31793

4. 发明专利

TW201519278A 用於校正電子接近的效應之方法审中-公开
简体标题：用于校正电子接近的效应之方法
公开(公告)号：TW201519278A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103129627
申请日：2014-08-28
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：傑迪帝那德 , JEDIDI, NADER , 西亞夫尼派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 托塔珍荷爾夫 , TORTAI, JEAN-HERVE , 菲格羅席亞格 , FIGUEIRO, THIAGO
IPC分类号： H01J37/304
CPC分类号： H01J37/304 , G03F7/70441 , G03F7/705 , H01J37/285 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J2237/2487
摘要：一種將電子束投射至一靶材上的方法，其包含對該靶材裡該等電子的散射效應進行校正。此項校正作業可依據一分段性多項式函數藉由對一具有輻射狀變異之點展開函數的計算步驟進行。
简体摘要：一种将电子束投射至一靶材上的方法，其包含对该靶材里该等电子的散射效应进行校正。此项校正作业可依据一分段性多项式函数借由对一具有辐射状变异之点展开函数的计算步骤进行。

5. 发明专利

TW201405622A 使用佛伊格特（ＶＯＩＧＴ）型散射函數之校正電子鄰近效應的方法审中-公开
简体标题：使用佛伊格特（ＶＯＩＧＴ）型散射函数之校正电子邻近效应的方法
公开(公告)号：TW201405622A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102110701
申请日：2013-03-26
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：托爾泰珍賀夫 , TORTAI, JEAN-HERVE , 史亞方派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 費格羅迪亞哥 , FIGUEIRO, THIAGO , 傑迪迪納迪爾 , JEDIDI, NADER
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/317 , G03F1/36 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2059 , H01J37/222 , H01J37/3174 , H01J2237/226 , H01J2237/31769
摘要：本發明應用於用以投射電子束之方法，其尤其使用在藉由直接或間接寫入的微影中還有在電子顯微鏡中。尤其針對小於50 nm之關鍵尺寸或解析度，必須校正與靶材相互作用之束的電子之前向及後向散射所產生的鄰近效應。傳統以來這是使用具有靶材幾何之點擴散函數的摺積來進行。在先前技術中，該點擴散函數使用高斯分佈法則。根據本發明，點擴散函數的至少一個成分為多個佛伊格特(Voigt)函數及/或近似佛伊格特函數之多個函數(比如皮爾森(Pearson)VII函數)的線性組合。在某些實施例中，該些函數的一些置中在輻射的後向散射尖峰上。
简体摘要：本发明应用于用以投射电子束之方法，其尤其使用在借由直接或间接写入的微影中还有在电子显微镜中。尤其针对小于50 nm之关键尺寸或分辨率，必须校正与靶材相互作用之束的电子之前向及后向散射所产生的邻近效应。传统以来这是使用具有靶材几何之点扩散函数的卷积来进行。在先前技术中，该点扩散函数使用高斯分布法则。根据本发明，点扩散函数的至少一个成分为多个佛伊格特(Voigt)函数及/或近似佛伊格特函数之多个函数(比如皮尔森(Pearson)VII函数)的线性组合。在某些实施例中，该些函数的一些置中在辐射的后向散射尖峰上。

6. 发明专利

TW201610711A 積體電路製程之度量計算方法审中-公开
简体标题：集成电路制程之度量计算方法
公开(公告)号：TW201610711A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104116659
申请日：2015-05-25
申请人：原子能與替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , 艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：賽伯莫哈梅德 , SAIB, MOHAMED , 菲奧瑞蓮 , FAY, AURELIEN , 史亞方派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 費格羅迪亞哥 , FIGUEIRO, THIAGO
IPC分类号： G06F17/10 , G06F17/50 , G03F7/20 , H01L21/30
CPC分类号： G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/80 , G03F7/70441 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , Y02P90/265
摘要：本發明揭示積體電路製程之光阻模型參數的計算方法。根據本發明之該方法的實施例，代表該目標設計的函數使用與具有移位角之形變函數複合的核心函數在該整體目標設計各處卷積。該形變函數有利地由其傅立葉級數展開所取代，其級數選擇成使得卷積的乘積在待應用於該目標設計之校正的容差內的旋轉不變。或者，該卷積的乘積可分解為因所決定的角度而不同選擇的基本核心函數，使得針對該移位角之值的形變函數能投影至一對基本核心函數，該對基本核心函數的角度近似於該移位角。
简体摘要：本发明揭示集成电路制程之光阻模型参数的计算方法。根据本发明之该方法的实施例，代表该目标设计的函数使用与具有移位角之形变函数复合的内核函数在该整体目标设计各处卷积。该形变函数有利地由其傅里叶级数展开所取代，其级数选择成使得卷积的乘积在待应用于该目标设计之校正的容差内的旋转不变。或者，该卷积的乘积可分解为因所决定的角度而不同选择的基本内核函数，使得针对该移位角之值的形变函数能投影至一对基本内核函数，该对基本内核函数的角度近似于该移位角。

7. 发明专利

TWI622079B 執行劑量調變之方法，特別是用於電子束微影有权
简体标题：运行剂量调制之方法，特别是用于电子束微影
公开(公告)号：TWI622079B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105122756
申请日：2016-07-19
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：賽伯莫哈梅德 , SAIB, MOHAMED , 史亞方派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 費格羅迪亞哥 , FIGUEIRO, THIAGO
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3023 , H01J37/3174 , H01J2237/24507 , H01J2237/30461 , H01J2237/31769

8. 发明专利

TW201727379A 經由匹配程序決定施加至積體電路製造過程之劑量校正的方法审中-公开
简体标题：经由匹配进程决定施加至集成电路制造过程之剂量校正的方法
公开(公告)号：TW201727379A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132234
申请日：2016-10-05
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：賽伯莫哈梅德 , SAIB, MOHAMED , 史亞方派翠克 , SCHIAVONE, PATRICK , 費格羅迪亞哥 , FIGUEIRO, THIAGO , 貝里賽巴斯汀 , BAYLE, SEBASTIEN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70458 , G03F7/70516
摘要：本發明揭露根據第一過程的參數來容易地決定用於製造之第二過程之參數的方法。根據多個參數值來計算兩個過程之間之差異的度量表示，參數可針對校準佈局上的兩個過程來測量，或可經由內插/外插程序根據用於佈局的預存在值或用於兩個過程的參考資料來決定。選擇度量的數量，使得其組合給定設計之所有區域中的兩個過程之間之差異的精確表示。有利地，度量被計算為目標設計之捲積和核心函數與變形函數之複合的乘積。決定參考過程的參考實體模型。計算施加至經由參考過程所產生的設計之邊緣的尺寸校正。然後將其全部或部分轉成劑量校正。
简体摘要：本发明揭露根据第一过程的参数来容易地决定用于制造之第二过程之参数的方法。根据多个参数值来计算两个过程之间之差异的度量表示，参数可针对校准布局上的两个过程来测量，或可经由内插/外插进程根据用于布局的预存在值或用于两个过程的参考数据来决定。选择度量的数量，使得其组合给定设计之所有区域中的两个过程之间之差异的精确表示。有利地，度量被计算为目标设计之卷积和内核函数与变形函数之复合的乘积。决定参考过程的参考实体模型。计算施加至经由参考过程所产生的设计之边缘的尺寸校正。然后将其全部或部分转成剂量校正。

9. 发明专利

TW201500837A 適用於複雜形狀的輻射能量及幾何形狀的最佳化組合的微影方法审中-公开
简体标题：适用于复杂形状的辐射能量及几何形状的最优化组合的微影方法
公开(公告)号：TW201500837A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103114176
申请日：2014-04-18
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：帝芬尼查理斯 , TIPHINE, CHARLES , 貝勒賽巴斯堤倫 , BAYLE, SEBASTLEN
IPC分类号： G03F1/36
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要：一種相關於一圖案藉由電子輻射的刻寫的資料之產生方法最初係包含一待形成的圖案的提供(S1)，該待形成的圖案係形成具有單一外部的包封之工作圖案。該工作圖案係被分解(S3)成為一組基本的輪廓，每個基本的輪廓係分別包括單一外部的包封。一組曝曬條件係加以界定(S4)，以對於每個基本的輪廓建立模型。一被輻射照射的模擬圖案(S5)係從和該些組基本的輪廓相關的該些組曝曬條件所計算出。該模擬圖案係與該待形成的圖案做比較(S6)。若該模擬圖案並非代表該待形成的圖案(1)，則移位向量係被計算出。該些移位向量係代表在該兩個圖案之間存在之不同的間隔。該待形成的圖案的外部的包封係從該些移位向量被決定的位移向量來加以修改。一個新的疊代係加以實行。
简体摘要：一种相关于一图案借由电子辐射的刻写的数据之产生方法最初系包含一待形成的图案的提供(S1)，该待形成的图案系形成具有单一外部的包封之工作图案。该工作图案系被分解(S3)成为一组基本的轮廓，每个基本的轮廓系分别包括单一外部的包封。一组曝晒条件系加以界定(S4)，以对于每个基本的轮廓创建模型。一被辐射照射的仿真图案(S5)系从和该些组基本的轮廓相关的该些组曝晒条件所计算出。该仿真图案系与该待形成的图案做比较(S6)。若该仿真图案并非代表该待形成的图案(1)，则移位矢量系被计算出。该些移位矢量系代表在该两个图案之间存在之不同的间隔。该待形成的图案的外部的包封系从该些移位矢量被决定的位移矢量来加以修改。一个新的叠代系加以实行。

10. 发明专利

TW201439688A 於粒子束微影製程且特別是電子束微影製程內之散粒雜訊效應的模擬审中-公开
简体标题：于粒子束微影制程且特别是电子束微影制程内之散粒噪声效应的仿真
公开(公告)号：TW201439688A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102146569
申请日：2013-12-17
申请人：法國原子能和替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , 艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：巴雷登特傑若米 , BELLEDENT, JEROME
IPC分类号： G03F7/20 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , H01J2237/31793
摘要：用以在一粒子束微影製程之中模擬散粒雜訊效應的方法，特別是一電子束微影製程，該製程包含藉由一粒子射束將複數粒子沉積於位於一預置圖案中之一樣本的表面之上，該圖案被細分成像素且粒子之一標稱劑量關聯該等像素中的每一者，特徵在於其包含實際沉積於該等像素中的每一者上的標準化劑量中之一標準差對映圖σd之計算，該標準差對映圖係計算自關聯每一像素之該標稱劑量之一對映圖M0，以及表徵該製程之特點之一點擴展函數PSF；該方法係藉由電腦實施。用以實施此一方法之電腦程式產品以及實施此一方法之電腦。粒子束微影製程，特別是一電子束微影製程，包含利用此一方法的一個模擬散粒雜訊效應之預動作。
简体摘要：用以在一粒子束微影制程之中仿真散粒噪声效应的方法，特别是一电子束微影制程，该制程包含借由一粒子射束将复数粒子沉积于位于一预置图案中之一样本的表面之上，该图案被细分成像素且粒子之一标称剂量关联该等像素中的每一者，特征在于其包含实际沉积于该等像素中的每一者上的标准化剂量中之一标准差映射图σd之计算，该标准差映射图系计算自关联每一像素之该标称剂量之一映射图M0，以及表征该制程之特点之一点扩展函数PSF；该方法系借由电脑实施。用以实施此一方法之电脑进程产品以及实施此一方法之电脑。粒子束微影制程，特别是一电子束微影制程，包含利用此一方法的一个仿真散粒噪声效应之预动作。

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