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1. 发明专利

TWI648594B 產生表面分解成基本特徵的表面分解資料集之方法及電腦程式有权
简体标题：产生表面分解成基本特征的表面分解数据集之方法及电脑进程
公开(公告)号：TWI648594B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103137248
申请日：2014-10-28
申请人：法商艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/317 , H01J37/302 , G03F1/00

2. 发明专利

TWI620008B 用於電子或光學微影術之自由形狀裂開方法有权
简体标题：用于电子或光学微影术之自由形状裂开方法
公开(公告)号：TWI620008B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103105294
申请日：2014-02-18
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：泰芬察爾斯 , TIPHINE, CHARLES , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01J37/317
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776

3. 发明专利

TW201727359A 以藉由粒子或光子束直寫降低射數的方法审中-公开
简体标题：以借由粒子或光子束直写降低射数的方法
公开(公告)号：TW201727359A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132429
申请日：2016-10-06
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：馬汀路克 , MARTIN, LUC , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 米爾昆特馬修 , MILLEQUANT, MATTHIEU , 布朗寧克里德 , BROWNING, CLYDE , 曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/30
CPC分类号： G03F1/78 , G03F7/70383 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70491 , G03F7/705 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J2237/3175
摘要：一種以藉由粒子或光子束直寫將分解成基本形狀的破碎圖案(210,310)轉印到基本上的方法，包含認可該破碎的圖案之至少一基本形狀(2000)的步驟，該至少一基本形狀稱為可移除基本形狀，其之移除引起在預設容差包絡內該轉印的圖案之修改；- 從該破碎的圖案移除該可移除的一形狀或多個形狀的步驟，用以獲得經修改破碎的圖案(220,230)；以及- 曝露步驟，包含將該基板曝露到賦形的粒子或光子束之複數個發射，各個發射對應至該經修改破碎的圖案之基本形狀。用於實現所述的方法之電腦程式產品。
简体摘要：一种以借由粒子或光子束直写将分解成基本形状的破碎图案(210,310)转印到基本上的方法，包含认可该破碎的图案之至少一基本形状(2000)的步骤，该至少一基本形状称为可移除基本形状，其之移除引起在默认容差包络内该转印的图案之修改；- 从该破碎的图案移除该可移除的一形状或多个形状的步骤，用以获得经修改破碎的图案(220,230)；以及- 曝露步骤，包含将该基板曝露到赋形的粒子或光子束之复数个发射，各个发射对应至该经修改破碎的图案之基本形状。用于实现所述的方法之电脑进程产品。

4. 发明专利

TWI629558B 以藉由粒子或光子束直寫降低射數的方法和電腦程式產品有权
简体标题：以借由粒子或光子束直写降低射数的方法和电脑进程产品
公开(公告)号：TWI629558B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105132429
申请日：2016-10-06
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：馬汀路克 , MARTIN, LUC , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 米爾昆特馬修 , MILLEQUANT, MATTHIEU , 布朗寧克里德 , BROWNING, CLYDE , 曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/30

5. 发明专利

TW201531796A 使用阻閾値控制之電子或光學之光刻之自由型態致裂方法审中-公开
简体标题：使用阻阈値控制之电子或光学之光刻之自由型态致裂方法
公开(公告)号：TW201531796A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103137248
申请日：2014-10-28
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/317 , H01J37/302 , G03F1/00
摘要：本發明揭示電腦實施方法，將自由形狀目標設計分解成基本拍攝，以取得用於限定的輪廓粗糙度之最小數目的拍攝。方法包含決定鋪設目標設計之第一組拍攝，但是間隙除外，然後，決定第二組拍攝以填充或遮蓋間隙。決定第一或第二組拍攝中的重疊拍攝的劑量程度，以致於將影響被隔離的目標上的拍攝的真實印記之鄰近效應列入考慮時，慮及光阻閾值，混合的劑量會是適當的。有利地，應用劑量幾何調變。有利地，由不是圓形的拍攝產生圓化的拍攝印記。拍攝及圓化拍攝印記可以重疊或不重疊。視印製的輪廓與所需的圖案的輪廓之間的適配準則之所需的最佳化，決定重疊程度。由印製的輪廓與所需的圖案之輪廓之間的眾多適配準則，決定拍攝的佈置及尺寸。
简体摘要：本发明揭示电脑实施方法，将自由形状目标设计分解成基本拍摄，以取得用于限定的轮廓粗糙度之最小数目的拍摄。方法包含决定铺设目标设计之第一组拍摄，但是间隙除外，然后，决定第二组拍摄以填充或遮盖间隙。决定第一或第二组拍摄中的重叠拍摄的剂量程度，以致于将影响被隔离的目标上的拍摄的真实印记之邻近效应列入考虑时，虑及光阻阈值，混合的剂量会是适当的。有利地，应用剂量几何调制。有利地，由不是圆形的拍摄产生圆化的拍摄印记。拍摄及圆化拍摄印记可以重叠或不重叠。视印制的轮廓与所需的图案的轮廓之间的适配准则之所需的最优化，决定重叠程度。由印制的轮廓与所需的图案之轮廓之间的众多适配准则，决定拍摄的布置及尺寸。

6. 发明专利

TW201500841A 用於電子或光學微影術之自由形狀裂開方法审中-公开
简体标题：用于电子或光学微影术之自由形状裂开方法
公开(公告)号：TW201500841A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105294
申请日：2014-02-18
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：泰芬察爾斯 , TIPHINE, CHARLES , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 馬汀路克 , MARTIN, LUC
IPC分类号： G03F1/78 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01J37/317
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776
摘要：本發明揭示一將表面裂開成基本特徵的電腦實施方法，其中該想要圖案具有一直線或曲線形式。視該想要圖案而定，第一裂開將以非重疊或重疊之型式施行。如果該想要的圖案係以解析度為關鍵，其將為有利的是使用eRIFs施行第二裂開步驟。這些eRIFs將被定位在該等邊緣上或在該想要圖案的中軸或骨架上。本發明另揭示方法步驟，以界定被使用於該第一及第二裂開步驟之基本特徵的位置與形狀。
简体摘要：本发明揭示一将表面裂开成基本特征的电脑实施方法，其中该想要图案具有一直线或曲线形式。视该想要图案而定，第一裂开将以非重叠或重叠之型式施行。如果该想要的图案系以分辨率为关键，其将为有利的是使用eRIFs施行第二裂开步骤。这些eRIFs将被定位在该等边缘上或在该想要图案的中轴或骨架上。本发明另揭示方法步骤，以界定被使用于该第一及第二裂开步骤之基本特征的位置与形状。

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