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1. 发明申请

WO2010131591A1 ポリアミンを含有する飲食品の製造方法审中-公开
标题翻译：生产含聚氨酯食品或饮料的方法
公开(公告)号：WO2010131591A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/JP2010/057733
申请日：2010-04-23
申请人：株式会社ロッテ , 船川絵美子 , 安藤智教 , 吉田圭司郎 , 志村進
发明人：船川　絵美子 , 安藤　智教 , 吉田　圭司郎 , 志村　進
IPC分类号： A23L1/30 , A23F3/16
CPC分类号： A23G9/42 , A23F3/18 , A23G1/32 , A23G1/48 , A23G3/36 , A23G3/48 , A23G4/06 , A23G4/068 , A23G9/32 , A23L23/00 , A23L33/105
摘要：本発明は、簡便で嗜好性に問題のないポリアミン含有飲食品、更に動植物素材又はCamellia属の茶樹の葉、茎に塩溶液を加えて抽出することを特徴とするポリアミン抽出物の製造方法を提供し、前記塩が、塩化ナトリウム、塩化マグネシウムおよび塩化カルシウムから成る群から選択され、前記動植物素材が、鮭白子、豚の肝臓、麦芽、大豆、納豆、烏龍茶葉、紅茶葉、碁石茶葉、黒豆、柿の葉、および緑茶葉から成る群から選択される。
摘要翻译：公开的是：多胺的食品或饮料，其方便且没有优先问题; 以及多胺提取物的制造方法，其特征在于，将盐溶液添加到属于山茶属的茶树的动物或植物材料或叶子和茎中并提取。其中，所述盐选自氯化钠，氯化镁和氯化钙; 所述动物或植物材料选自鲑鱼软e，猪肝，麦芽，大豆，纳豆（发酵大豆），乌龙茶叶，红茶叶，ishi cha（砖茶）叶，黑大豆，柿子叶和绿茶叶。

2. 发明申请

WO2010125671A1 ２次電子増倍管、イオン検出装置、およびイオン検出方法审中-公开
标题翻译：二次电子倍增器，离子检测装置和离子检测方法
公开(公告)号：WO2010125671A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/JP2009/058467
申请日：2009-04-30
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 中村恵 , 塩川善郎 , 彭強
发明人：中村　恵 , 塩川　善郎 , 彭　強
IPC分类号： H01J49/06 , H01J43/04 , H01J43/10 , H01J43/18 , H01J43/22 , H01J49/42
CPC分类号： H01J43/10 , H01J49/025
摘要：　本発明は、迷光の影響を低減させるためのOff-Axis構造において残った迷光の影響を低減し、Ｓ/Ｎ比を向上させることが可能な２次電子増倍管、イオン検出装置、およびイオン検出方法を提供する。本発明の一実施形態に係る２次電子増倍管（１１）では、該２次電子増倍管（１１）の初段電極である電極Ｄ１が有する電子発生面（１００）の側面側からイオン（１３）を入射する。
摘要翻译：提供二次电子倍增器，离子检测装置和离子检测方法，其能够减少残留在偏轴结构中的杂散光的影响，以减少杂散光的影响和提高S / N比。在二次电子倍增器（11）中，离子（13）从作为二次电子倍增器（11）的初级电极的电极（D1）的电子生成面（100）的侧面注入。

3. 发明申请

WO2010090127A1 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および被処理基板を備える素子の製造方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置，等离子体处理方法以及用加工的基板制造芯片的方法
公开(公告)号：WO2010090127A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/JP2010/051134
申请日：2010-01-28
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 伊折数幸 , 中川行人
发明人：伊折　数幸 , 中川　行人
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3266 , H01L43/12 , H05H2001/4667
摘要：本発明は、プラズマ密度の均一性を図りつつ、プラズマ密度分布を容易に調整することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および被処理基板を備える素子の製造方法を提供する。本発明の一実施形態では、真空容器（１）内を、連通する孔を有するグリッド（４）によりプラズマ発生室（２）とプラズマ処理室（５）に分割している。プラズマ発生室（２）の上壁（２６）上に、磁気コイル（１２）を真空容器（１）内の磁力線が真空容器（１）中心から側壁２７へ向くように配置し、且つ、プラズマ発生室（２）の側壁２７の外に、真空容器（１）の内側に向かう極性がＮ極であり、真空容器（１）の外側に向かう極性がＳ極であるリング状の永久磁石（１３）を配置する。
摘要翻译：一种等离子体处理装置，其能够使等离子体密度均匀，同时容易调整等离子体密度分布，等离子体处理方法和制造具有处理衬底的芯片的制造方法。真空容器（1）的内部通过具有通孔的格栅（4）分成等离子体生成室（2）和等离子体处理室（5）。在等离子体产生室（2）的上壁（26）处，设置有磁性线圈（12），使得真空室（1）内的磁力线从真空中心面向侧壁（27）室（1）。在等离子体生成室（2）的侧壁（27）的外侧，配置有极性与真空室（1）内侧极性相同的极性的极性面向S极性的真空容器（1）的外部。

4. 发明申请

WO2010076863A1 基板処理システム及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理系统和基板处理装置
公开(公告)号：WO2010076863A1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/JP2009/069475
申请日：2009-11-17
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 小林浩仁
发明人：小林　浩仁
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/027
CPC分类号： G05B19/4189 , G05B2219/32006 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , Y02P90/28
摘要：本発明は、基板に対する処理内容の変更に応じて、容易に基板処理モジュールを拡張、変更が可能な基板処理システムを提供する。本発明の一実施形態は、メイン装置(100)、サブ装置(200、300)を有する基板処理システムである。搬送制御部(130)は、少なくともローカルアドレス、及び、当該ローカルアドレスの属する基板処理装置を特定可能な付加情報を含み、基板の搬送先をメイン装置(100)、サブ装置(200、300)内で一意に指定する搬送先指定情報を取得する搬送手順取得部(131)と、搬送手順取得部(131)により取得した搬送先指定情報に基づいて、基板の搬送先がメイン装置(100)、サブ装置(200)、またはサブ装置(300)のいずれかを判定可能な搬送先判定部(132)と、自装置内で一意に割り当てられたローカルアドレスを用いて、自装置の搬送チャンバに接続されるプロセスチャンバに基板を搬送させるローカル搬送部(133)とを有する。
摘要翻译：一种基板处理系统，其可以根据基板处理的改进来容易地延伸和修饰基板处理模块。基板处理系统包括主装置（100）和辅助装置（200,300）。传送控制部分（130）包括传送过程捕获部分（131），目的地判断部分（132）和本地传送部分（133）。传送过程捕获部分（131）捕获至少包含本地地址的目的地指定信息和可以指定本地地址所属的衬底处理装置的附加信息，并且可以在主要地址中唯一地指定衬底的目的地设备（100）和辅助设备（200,300）。目的地判断部分132基于从传送过程捕获部分捕获的目的地指定信息来判断基板的目的地是主设备（100），辅助设备（200）还是辅助设备（300） 131）。本地传送部分（133）使用唯一分配给每个设备的本地地址将衬底传送到连接到每个设备的传送室的处理室。

5. 发明申请

WO2010073817A1 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決めプログラム及び電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板定位系统，基板处理装置，基板定位程序和电子装置制造方法
公开(公告)号：WO2010073817A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/JP2009/068580
申请日：2009-10-29
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 伊藤勇二
发明人：伊藤　勇二
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67265
摘要：本発明は、半導体・電子部品製造装置に内において搬送中の基板の位置ずれを補正する目的を有する基板位置決め装置において、位置ずれの検出精度を向上させる。本発明の一実施形態では、遮光センサで測定した波形を一旦sinカーブで近似し、その近似式からずれの最大値とずれの位置を求める。
摘要翻译：一种用于校正在半导体/电子部件制造装置中承载的基板的位置偏移的基板定位系统，其中提高了位置偏移检测精度。由遮光传感器测量的波形由正弦曲线近似。根据近似表达式求出最大偏移值和偏移位置。

6. 发明申请

WO2010070996A1 高圧放電灯点灯装置及び高圧放電灯の点灯方法审中-公开
标题翻译：高压放电灯照明设备和高压放电灯照明方法
公开(公告)号：WO2010070996A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/JP2009/069173
申请日：2009-11-11
申请人：岩崎電気株式会社 , 駒津嘉昭 , 永瀬徹 , 鈴木信一 , 山崎祐哉
发明人：駒津　嘉昭 , 永瀬　徹 , 鈴木　信一 , 山崎　祐哉
IPC分类号： H05B41/24 , H02M7/48
CPC分类号： H05B41/2882 , H05B41/3928 , Y02B20/202
摘要：高圧放電灯の点灯において、ランプ電圧を適正な範囲に維持する。一対の電極を有する高圧放電灯を交流点灯させる高圧放電灯点灯装置において、交流点灯の点灯周波数を制御する制御手段、及び高圧放電灯のランプ電圧を検出する検出手段を備え、制御手段が、主点灯周波数を第１の周波数ｆ１として点灯させた状態から、ランプ電圧が所定値を超えた場合に主点灯周波数を第ｎの周波数ｆｎ（２≦ｎ、ｆ(ｎ－１)＜ｆｎ）として所定の時間継続し、その後ｆ１～ｆｎから選択された複数の周波数を成分とする合成電流波形を出力して各周波数成分の単位時間当たりの含有構成比を、合成電流波形の平均周波数が経過時間に応じて下がるように変化させ、再び主点灯周波数を第１の周波数ｆ１とするように構成した。
摘要翻译：当高压放电灯点亮时，灯电压保持在适当的范围内。一种用于对具有一对电极的高压放电灯进行交流点火的高压放电灯点亮装置包括用于控制交流照明的点亮频率的控制装置，以及用于确定高压放电灯的灯电压的确定装置，电压放电灯。在控制装置的控制下：使用第一频率（f1）作为主照明频率点亮灯; 此后，当灯电压超过预定值时，将第n个频率（fn）（2 = n，f（n-1）

7. 发明申请

WO2010050291A1 誘電体膜、誘電体膜の製造方法、半導体装置、および、記録媒体审中-公开
标题翻译：电介质膜，制造电介质膜的方法，半导体器件和记录介质
公开(公告)号：WO2010050291A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/JP2009/065305
申请日：2009-09-02
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 中川隆史 , 北野尚武 , 辰巳徹
发明人：中川　隆史 , 北野　尚武 , 辰巳　徹
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/822 , H01L21/8247 , H01L27/04 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/518 , C04B35/58007 , C04B35/581 , C04B2235/3865 , C04B2235/3886 , C04B2235/3895 , C04B2235/79 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/02266 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/31604 , H01L28/40 , H01L29/513 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：本発明は、高誘電率と高温耐熱性を有する誘電体膜を提供する。本発明の一実施形態は、ＨｆからなるＡ元素とＡｌもしくはＳｉからなるＢ元素とＮとＯを含有する複合酸窒化物を含む誘電体膜（１０３）であって、Ａ元素とＢ元素とＮのモル比率（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｎ））が０．０１５から０．０９５の間であり、かつ（Ｎ／（Ａ＋Ｂ＋Ｎ））が０．０４５以上であり、かつ結晶構造を有している。
摘要翻译：公开了具有高电容率和高温耐热性的电介质膜。在一个实施方案中，介电膜（103）包括包含Hf元素A，Al或Si元素B，N和O的复合氮氧化物，元素A，元素B和N之间的摩尔比为0.015至0.095 的（B /（A + B + N）），并且以（N /（A + B + N））表示为0.045以上，具有晶体结构。

8. 发明申请

WO2010021361A1 磁気抵抗効果を用いた負性抵抗素子审中-公开
标题翻译：使用磁阻效应的负电阻元件
公开(公告)号：WO2010021361A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/JP2009/064579
申请日：2009-08-20
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 前原大樹 , 永峰佳紀 , 久保田均 , 福島章雄 , 湯浅新治 , 鈴木義茂
发明人：前原　大樹 , 永峰　佳紀 , 久保田　均 , 福島　章雄 , 湯浅　新治 , 鈴木　義茂
IPC分类号： H01L43/08 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08
摘要：トンネル効果とは異なる原理による、直線性の良い負性抵抗２端子素子を提供する。磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种具有良好线性度的两端负电阻元件，其基于与隧道效应不同的原理。负电阻元件配备有具有磁化自由层（33）的磁阻元件，具有比磁化自由层的磁矩更大的磁矩的磁化固定层（31），以及设置在磁化自由层磁化自由层和磁化固定层。负电阻元件的特征在于，随着施加到磁致电阻元件的电流增加，由于随着磁化自由层的磁化方向的变化而导致电子从磁化固定层流入而显示出负电阻。

9. 发明申请

WO2009157088A1 電子放出素子の製造法及びそのための記憶媒体又は記録媒体审中-公开
标题翻译：用于制造电子发射装置的方法和存储介质或其记录介质
公开(公告)号：WO2009157088A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/061753
申请日：2008-06-27
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹
发明人：栗林正樹
IPC分类号： H01J9/02 , H01J9/26 , H01J9/40
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要：ホウ素化ランタン化合物薄膜を用いた高輝度電子放出素子の製造方法と装置である。電子放出ベース部材が配された第２基板に電子放出ベース部材領域を開口し他領域を遮蔽したマスクを適用して、低仕事関数物質ターゲットのスパッタ粒子をスパッタ堆積させる。スパッタ堆積された第２基板と蛍光体を配した第１基板とをシール材でシールして真空容器を作成している。その作成工程中、一貫して第１と第２の基板を真空中又は減圧中に維持している。
摘要翻译：一种制造使用硼化镧化合物的薄膜的高亮度电子发射装置的方法和装置。通过施加打开电子发射基底构件区域并覆盖另一区域的掩模，在其上布置有电子发射基底构件的第二基板上沉积低功函数物质靶的溅射颗粒。溅射沉积的第二基板和布置有荧光体的第一基板用密封材料密封，从而形成真空容器。第一和第二基底在整个制造过程中保持真空或减压。

10. 发明申请

WO2009153856A1 防着カバー付きキャリアおよび防着カバー着脱装置审中-公开
标题翻译：携带联系人防护罩，并联系预防盖子连接/拆卸设备
公开(公告)号：WO2009153856A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/JP2008/061021
申请日：2008-06-17
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 曽根浩 , 宝満信也 , 野沢直之 , 長谷川善郎
发明人：曽根浩 , 宝満信也 , 野沢直之 , 長谷川善郎
IPC分类号： G11B7/26
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/564 , C23C14/568
摘要：キャリアを起因として発生する付着膜の剥離を抑制し、キャリアの交換周期を長くする。基板２を支える基板ホルダ３を搬送するための機構を有するスライダー７から構成されるキャリア１で、基板ホルダ３を覆うことが可能な成膜される基板２と同等かそれ以上の開口を持つ防着カバー２０ａ、２０ｂが、基板ホルダ３の両面に設置される。この際、基板ホルダ３、支持爪４、固定部６は、防着カバー２０により隠れる配置となる。成膜室において、防着カバー２０により覆われたキャリア１は、基板２に所定の成膜を行うため、成膜室にてプラズマ空間に曝され成膜が行われるが、防着カバー２０により覆われた基板ホルダ３、支持爪４、固定部６には、膜の堆積を抑えることができる。このため、爪のたわみによる膜剥がれや、固定部６などの鋭角部からの膜剥がれを抑制し、キャリア１の交換周期を長くすることができる。
摘要翻译：提供了通过抑制接触膜自身分离而延长其替换周期的载体。载体（1）由具有用于输送支撑基板（2）的基板支架（3）的机构的滑块（7）构成。可以覆盖基板保持件（3）并具有类似于或大于要被成膜的基板（2）的开口的防止接触盖（20a和20b）安装在基板支架（3）的两个表面上，。然后，衬底保持器（3），支撑爪（4）和固定部分（6）被布置成被防接触盖（20）隐藏。在成膜室中，覆盖有防接触盖（20）的载体（1）在成膜室中暴露于等离子体空间，使得其可以在基板（2）上具有预定的膜，但是基板保持器如图3所示，在膜沉积中可以抑制由防接触盖20覆盖的支撑爪4和固定部6。结果，可以抑制由于棘爪的翘曲和固定部分（6）的锐角部分引起的膜分离，从而延长载体（1）的交换周期。

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