专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009157088A1 電子放出素子の製造法及びそのための記憶媒体又は記録媒体审中-公开
标题翻译：用于制造电子发射装置的方法和存储介质或其记录介质
公开(公告)号：WO2009157088A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/061753
申请日：2008-06-27
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹
发明人：栗林正樹
IPC分类号： H01J9/02 , H01J9/26 , H01J9/40
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要：ホウ素化ランタン化合物薄膜を用いた高輝度電子放出素子の製造方法と装置である。電子放出ベース部材が配された第２基板に電子放出ベース部材領域を開口し他領域を遮蔽したマスクを適用して、低仕事関数物質ターゲットのスパッタ粒子をスパッタ堆積させる。スパッタ堆積された第２基板と蛍光体を配した第１基板とをシール材でシールして真空容器を作成している。その作成工程中、一貫して第１と第２の基板を真空中又は減圧中に維持している。
摘要翻译：一种制造使用硼化镧化合物的薄膜的高亮度电子发射装置的方法和装置。通过施加打开电子发射基底构件区域并覆盖另一区域的掩模，在其上布置有电子发射基底构件的第二基板上沉积低功函数物质靶的溅射颗粒。溅射沉积的第二基板和布置有荧光体的第一基板用密封材料密封，从而形成真空容器。第一和第二基底在整个制造过程中保持真空或减压。

2. 发明申请

WO2010095525A1 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法审中-公开
标题翻译：磁性元件和制造磁性元件的方法
公开(公告)号：WO2010095525A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/JP2010/051702
申请日：2010-02-05
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 渡辺直樹 , 栗林正樹
发明人：渡辺　直樹 , 栗林　正樹
IPC分类号： H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：本発明は、従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサー等に用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関する。本発明の一実施形態に係る磁気抵抗素子は、基板と、トンネルバリア層と、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金である強磁性層及びＢ（ボロン）を含有する非磁性金属層を備える。
摘要翻译：提供了具有比常规MR比高的MR比的磁阻元件，以及用于制造磁阻元件的方法。具体来说，用于磁盘驱动装置的磁性重放磁头的磁阻元件，磁性随机存取存储器的存储元件，磁性传感器等，优选隧道磁阻元件（更优选的是自旋阀型隧道磁阻元件）。在一个实施例中的磁阻元件设置有基板，隧道势垒层，由Co（钴）和Fe（铁）的合金构成的铁磁层和含有B（硼）的非磁性金属层。

3. 发明申请

WO2009157087A1 電子放出素子の製造法及びそのための記憶媒体又は記録媒体审中-公开
标题翻译：用于制造电子发射装置的方法和存储介质或其记录介质
公开(公告)号：WO2009157087A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/061751
申请日：2008-06-27
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹
发明人：栗林正樹
IPC分类号： H01J9/02 , H01J9/26 , H01J9/40
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要：ホウ素化ランタン化合物薄膜を用いた高輝度電子放出素子の製造方法と装置である。電子放出ベース部材が配された第２基板に低仕事関数物質ターゲットのスパッタ粒子を堆積させる。電子放出ベース部材領域を遮蔽し、他領域を開口したマスクを用い、第２基板上の低仕事関数物質の堆積物をエッチングした後、その第２基板と蛍光体を配した第１基板とをシール材でシールして真空容器を作成している。その作成工程中、一貫して第１と第２の基板を真空中又は減圧中に維持している。
摘要翻译：一种制造使用硼化镧化合物的薄膜的高亮度电子发射装置的方法和装置。低功函数物质靶的溅射颗粒沉积在其上布置电子发射基底的第二基底上。使用覆盖电子发射基底区域并打开另一区域的掩模，蚀刻第二基板上的低功函数物质的沉积，然后用密封材料密封第二基板和布置有荧光体的第一基板，从而形成真空容器。第一和第二基底在整个制造过程中保持真空或减压。

4. 发明申请

WO2009142223A1 スパッタリング用ターゲット、薄膜の製造法及び表示装置审中-公开
标题翻译：溅射目标，生产薄膜和显示装置的方法
公开(公告)号：WO2009142223A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/059242
申请日：2009-05-20
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹
发明人：栗林　正樹
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/067 , C30B25/06 , C30B29/10
摘要：　ＬａＢ 6 薄膜をマグネトロンスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ 6 薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。　ホウ素原子（Ｂ）、ランタン原子（Ｌａ）及び炭素原子（Ｃ）を含有するスパッタリング用ターゲットを用いる。
摘要翻译：当通过磁控溅射形成LaB6薄膜时，广域结构方向上这样形成的LaB6薄膜的单一结晶度得到改善。具体地说，使用含有硼原子（B），镧原子（La）和碳原子（C）的溅射靶。

5. 发明申请

WO2010064564A1 磁気抵抗素子、その製造方法、および該製造方法に用いる記憶媒体审中-公开
标题翻译：磁性元件，其制造方法以及在生产它们的方法中使用的储存介质
公开(公告)号：WO2010064564A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/069864
申请日：2009-11-25
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹 , ジャヤプラウィラダビッドジュリアント
发明人：栗林　正樹 , ジャヤプラウィラ　ダビッド　ジュリアント
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01F10/187 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01F41/307 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：本発明は、従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子を提供する。本発明の一実施形態は、基板（１１）と、基板（１１）上に形成された第一強磁性体層（１２３）と、第一強磁性体層（１２３）上に形成され、Ｂ原子及びＭｇ原子を含有した金属酸化物の結晶構造を有するトンネルバリア層（１２２）と、トンネルバリア層（１２２）上に形成された第二強磁性体層（１２１）とを備える磁気抵抗素子である。
摘要翻译：磁阻元件的MR比高于现有技术。磁阻元件设置有衬底（11），形成在衬底（11）的顶部上的第一铁磁层（123），形成在第一铁磁层（123）的顶部上的隧道势垒层（122）包含B和Mg原子的金属氧化物的晶体结构，以及形成在隧道势垒层（122）的顶部上的第二铁磁层（121）。

6. 发明申请

WO2009142224A1 マグネトロンスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び表示装置の製造方法审中-公开
标题翻译：磁珠溅射装置，薄膜制造方法及显示装置的制造方法
公开(公告)号：WO2009142224A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/059243
申请日：2009-05-20
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 栗林正樹
发明人：栗林　正樹
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/067 , C23C14/35 , C30B25/06 , C30B29/10 , H01J37/32733 , H01J37/3408 , H01J37/3455
摘要：　被成膜対象である基板１２に対向して設置されるターゲットの背面側に、回転軸がターゲット面と平行な柱状回転体６６及び該柱状回転体６６の周囲に設けられた磁石を備えた磁場発生装置１０２を有するマグネトロンスパッタリング装置において、ＬａＢ 6 薄膜を成膜するに際し、得られるＬａＢ 6 薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。　基板１２を、ターゲット面に平行方向で、しかも柱状回転体６６の回転軸と交差する方向に往復移動可能とすると共に、磁石を、柱状回転体６６の周囲に磁場チャンネルを発生させ、該磁場チャネルの延長方向が往復移動方向と交差する方向となるように配置する一方、柱状回転体６６を、基板１２の移動方向とは逆回転可能とする。
摘要翻译：本发明提供一种磁控溅射装置，具有磁场发生器（102），该磁场发生器（102）设置有具有与目标表面平行的旋转轴线的圆柱形转子（66），以及设置在后侧的圆柱形转子（66）周边的磁体位于与作为成膜靶的基板（12）相对的靶的表面侧，其中，当沉积LaB6薄膜时，所获得的LaB 6薄膜的单畴特性得到改善。基板（12）在平行于目标表面的方向上并且在与圆柱形转子（66）的旋转轴线相交的方向上具有往复运动。定位磁体，使得在圆柱形转子（66）的周边处产生磁场通道，并且磁场通道的延伸方向与往复运动的方向相交。圆柱形转子（66）可以与衬底（12）的运动方向相反地旋转。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式