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81. 发明公开

KR1020060057093A 복수 개의 전자석이 배치되어 있는 마이크로채널을포함하는 미세유동 장치, 그를 이용하여 시료를 혼합하는방법 및 세포를 용해하는 방법 失效
标题翻译：包含多个电极网络的微通道的微流体装置，用于混合样品的方法和使用其的LYSIS电池的方法
公开(公告)号：KR1020060057093A
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1020040096152
申请日：2004-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진태 , 오광욱 , 조윤경 , 백상현 , 김숙영 , 박진성 , 남궁각
IPC分类号： B01F13/08 , B01F13/00
CPC分类号： C12N1/066 , B01F13/0059 , B01F13/0809
摘要： 본 발명은 하나 이상의 입구 및 출구룰 포함하고, 상기 입구와 출구는 마이크로채널을 통하여 연결되어 있는 미세유동 장치에 있어서, 상기 마이크로채널의 진행 방향에 대하여 소정의 방향으로 2 개 이상의 전자석이 상기 마이크로채널의 벽면에 대하여 배치되어 있는 미세유동 장치 및 그를 이용하여 유체를 혼합하는 방법을 제공한다.
자기장, 회전, 순환적

82. 发明授权

KR100543448B1 버스트 읽기 동작 모드를 갖는 플래시 메모리 장치 失效
标题翻译：闪存读取操作模式的闪存存储器件
公开(公告)号：KR100543448B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020030021120
申请日：2003-04-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승근 , 박진성
IPC分类号： G11C16/24
CPC分类号： G11C7/1027 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C2207/005
摘要： 여기에 개시되는 플래시 메모리 장치는 각각이 복수 개의 메모리 셀들과 연결된 복수 개의 열들과; 열 어드레스에 응답하여 상기 복수 개의 열들 중 일부를 선택하는 열 선택 회로와; 그리고 상기 열 선택 회로에 의해서 선택된 열들에 연결된 복수 개의 감지 증폭기 그룹들을 포함한다. 상기 열 선택 회로는 상기 열 어드레스가 4N (N은 1 또는 그 보다 큰 정수)에 정렬되었는 지의 여부에 따라 상기 열들을 가변적으로 선택한다. 예를 들면, 상기 열 선택 회로는 상기 열 어드레스가 4N에 정렬될 때 상기 열 어드레스의 열들을 선택하고 상기 열 어드레스가 4N에 정렬되지 않을 때 상위 열 어드레스의 열들을 선택한다.

83. 发明公开

KR1020040086929A 버스트 읽기 동작 모드를 갖는 플래시 메모리 장치 失效
标题翻译：闪存读取操作模式提供的闪存存储器件，其中选择的信号线的数量减少
公开(公告)号：KR1020040086929A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：KR1020030021120
申请日：2003-04-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승근 , 박진성
IPC分类号： G11C16/24
CPC分类号： G11C7/1027 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C2207/005
摘要： PURPOSE: A flash memory device provided with a burst read operational mode is provided to prevent the number of column selection signal lines from increasing in proportional to the burst length. CONSTITUTION: A flash memory device provided with a burst read operational mode includes a plurality of columns, a plurality of column selection circuits(131-134) and a plurality of sense amplifying groups(SAG0,SAG1,SAG2,SAG3). The plurality of columns is connected to a plurality of memory cells, respectively. The column selection circuits(131-134) selects a part among the plurality of column selection circuits(131-134) in response to the column address. The plurality of sense amplifying groups(SAG0,SAG1,SAG2,SAG3) connected to the selected columns by the column selection circuits(131-134). And, the column selection circuits(131-134) variably select the columns based on the state whether the column address is aligned with 4N, wherein N is an integer being equal or larger than 1.
摘要翻译：目的：提供具有突发读操作模式的闪速存储器件，以防止列选择信号线的数量与突发长度成比例地增加。构成：提供有突发读操作模式的闪速存储器件包括多个列，多个列选择电路（131-134）和多个读出放大组（SAG0，SAG1，SAG2，SAG3）。多个列分别连接到多个存储单元。列选择电路（131-134）响应于列地址选择多个列选择电路（131-134）中的一部分。通过列选择电路（131-134）连接到所选列的多个感测放大组（SAG0，SAG1，SAG2，SAG3）。并且，列选择电路（131-134）基于列地址与4N对齐的状态可变地选择列，其中N是等于或大于1的整数。

84. 发明公开

KR1020040019174A 라운드형 볼 부착 핀을 갖는 솔더 볼 부착 장치 无效
标题翻译：具有圆形类型球连接针的焊球附件装置
公开(公告)号：KR1020040019174A
公开(公告)日：2004-03-05
申请号：KR1020020050496
申请日：2002-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진성 , 최영철 , 신경진
IPC分类号： H01L21/60
摘要： PURPOSE: A solder ball attaching apparatus having a round type ball attaching pin is provided to be capable of preventing the failure of a ball attaching process due to a conventional ball attaching pin structure. CONSTITUTION: A solder ball attaching apparatus(100) having a round type ball attaching pin is provided with a plurality of ball attaching pins(120) corresponding to the arrangement of solder balls and a pin block(110) for fixing the ball attaching pins. At this time, a rounding treatment is carried out on the solder ball contact surface and the outer peripheral surface of each ball attaching pin. Preferably, the lower portion of the ball attaching pin has a semi-spherical structure.
摘要翻译：目的：提供具有圆形球安装销的焊球安装装置，以能够防止由于传统的球安装销结构导致的球安装过程的故障。构成：具有圆形球安装销的焊球安装装置（100）设置有与焊球配置对应的多个球安装销（120）和用于固定球安装销的销块（110）。此时，在焊球接触面和各球安装销的外周面进行圆整处理。优选地，球安装销的下部具有半球形结构。

85. 发明公开

KR1020030021734A 반도체 제조설비의 진공누설 검사방법 无效
标题翻译：用于检查半导体制造设备的真空泄漏的方法
公开(公告)号：KR1020030021734A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020010055138
申请日：2001-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진성 , 채승원 , 박장주
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A method for inspecting a vacuum leakage of semiconductor fabricating equipment is provided to improve inspection efficiency of vacuum leakage and work efficiency by more precisely finding a vacuum leakage portion when a vacuum leakage occurs in the semiconductor fabricating equipment. CONSTITUTION: When a vacuum leakage occurs in the semiconductor fabricating equipment, the apparatus wherein the vacuum leakage occurs is found and disassembled(s100,s110). A vacuum leakage measuring assemble plate for closeness is assembled into a predetermined portion of the disassembled apparatus which is presumed to be a leakage portion(s120). The vacuum leakage is inspected while the measuring assemble plate is assembled into the predetermined portion(s130). When the vacuum leakage is determined to occur in the predetermined portion, the predetermined portion is replaced(s140). When the vacuum leakage is determined not to occur in the predetermined portion, the measuring assemble plate is installed in another portion to inspect the vacuum leakage.
摘要翻译：目的：提供一种用于检查半导体制造设备的真空泄漏的方法，以在半导体制造设备中发生真空泄漏时通过更精确地找到真空泄漏部分来提高真空泄漏的检测效率和工作效率。构成：当在半导体制造设备中发生真空泄漏时，找到并拆卸发生真空泄漏的装置（s100，s110）。用于接近的真空泄漏测量装配板被组装到推定为泄漏部分的拆卸装置的预定部分（s120）中。在将测量组合板组装到预定部分中时检查真空泄漏（s130）。当确定在预定部分发生真空泄漏时，更换预定部分（s140）。当确定不发生在预定部分中的真空泄漏时，将测量组合板安装在另一部分中以检查真空泄漏。

86. 发明公开

KR1020010036836A 스윙 암 어셈블리를 갖는 이온 주입기 无效
标题翻译：具有旋转臂组件的离子植绒
公开(公告)号：KR1020010036836A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990044015
申请日：1999-10-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진성
IPC分类号： H01L21/265
摘要： PURPOSE: An ion implanter having a swing arm assembly is provided to prevent a damage of a wafer by detecting correctly a connection status of a deceleration bar with an acceleration ring. CONSTITUTION: An ion implanter having a swing arm assembly comprises a sensor portion(80) and a control portion(70). The sensor portion(80) generates a detection signal by detecting whether a deceleration bar of a swing arm assembly(60) is connected with an acceleration ring(42). The control portion(70) performs an ion implant process in a deceleration mode when the detection signal is input from the sensor portion(80). The control portion(70) performs the ion implant process in an acceleration mode when the detection signal is not input from the sensor portion(80).
摘要翻译：目的：提供具有摆臂组件的离子注入机，以通过正确检测减速杆与加速环的连接状态来防止晶片损坏。构成：具有摆臂组件的离子注入机包括传感器部分（80）和控制部分（70）。传感器部分（80）通过检测摆臂组件（60）的减速杆是否与加速环（42）连接来产生检测信号。当从传感器部分（80）输入检测信号时，控制部分（70）以减速模式进行离子注入过程。当检测信号未从传感器部分（80）输入时，控制部分（70）以加速模式执行离子注入过程。

87. 发明授权

KR100243260B1 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100243260B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019920019305
申请日：1992-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병훈 , 박진성 , 정동진 , 이우성
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 본 발명은 단위면적당 셀커패시턴스를 증가시키고 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판내의 소정위치에 횡방향으로 연장된 모양으로 형성된 매몰산화층, 상기 매몰산화층을 관통하는 모양으로 형성된 트렌치와, 상기 트렌치를 통하여 상기 트렌치에 의해 관통된 부분의 매몰산화층을 부분식각함으로써 형성된 트렌치 외벽의 돌기에 형성된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 단위면적당 셀커패시턴스를 증가시킬 수 있으며, 트렌치의 깊이를 줄이고도 같은 정전용량을 얻을 수 있으므로 공정상 유리하며, 매몰산화층으로 인해 소자분리특성이 향상되는 이점이 있다.

88. 发明公开

KR1019980073556A 반도체 이온주입설비의 진공장치 无效
标题翻译：半导体离子注入设备的真空设备
公开(公告)号：KR1019980073556A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008894
申请日：1997-03-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이채영 , 박진성 , 남영민 , 박흥우
IPC分类号： H01L21/268
摘要： 본 발명은 이온주입 공정이 진행되는 공정챔버로 투입될 웨이퍼를 적재한 캐리어가 대기하는 로드락 챔버의 진공상태를 조절하는 반도체 이온주입설비의 진공장치에 관한 것이다.
본 발명은, 로드락 챔버로 투입된 웨이퍼를 적재한 카세트가 상기 로드락 챔버와 연결된 공정챔버로 이동되어 이온주입공정이 진행되도록 구성된 반도체 이온주입설비의 진공장치에 있어서, 상기 로드락챔버의 진공상태를 조절하기 위한 터보펌프가 상기 로드락챔버에 연결되어 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 공정진행을 위하여 로드락 챔버에서 대기중인 캐리어에 적재된 웨이퍼가 크라이오 펌프의 사용에 의하여 발생되는 진동에 의하여 깨지거나 표면이 손상되는 것을 방지하고, 또한 크라이오 펌프의 재생시간을 줄일수 있는 효과가 있다.

89. 发明公开

KR1019940008013A 반도체소자의 게이트절연막 형성방법 失效
标题翻译：形成半导体器件的栅绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1019940008013A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920017190
申请日：1992-09-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병훈 , 박진성 , 이우성 , 정동진
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본 발명은 MOS 소자의 게이트절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 게이트 절연막을 형성하는 방법에 있어서, N
2 O가스와 상기 N
2 O가스유량의 1~3%에 해당하는 소량의 성장촉매가스를 함께 흘려주어 로내에서 산화막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트절연막 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 단시간내에 신뢰성 높은 고품질의 게이트산화막의 제조가 가능하게 된다.

90. 发明公开

KR1019930009010A 반도체 장치의 불량 분석 방법 无效
标题翻译：分析半导体器件故障的方法
公开(公告)号：KR1019930009010A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910017323
申请日：1991-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진성 , 신철호 , 박규찬 , 이우성
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 반도체 장치의 불량 분석에 있어서, 종래에는 물리적, 화학적 decap 과정을 통하여 분석하였는데, 이 경우 불량 주위가 취약하여 decap 과정 중 정보 손실이 있을 수 있었고, 평면적 관찰인 관계로 불량의 유형 구분 및 그 원인 추적이 어려웠다. 본 발명에서는 광자 방사 반응을 이용하여 불량의 위치를 확인하고 이 부위 또는 그 부근에서 수 마이크로 미터 떨어진 곳에서 이온 빔을 집속시켜 홈을 파고 불량의 단면을 관찰하여 미세한 패턴의 불량 부위를 찾기 쉬울 뿐 아니라 3차원적 관찰이 가능하다.

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