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1. 发明公开

KR1020040082102A 이온 주입기의 필라멘트 파워 서플라이 无效
标题翻译：离子植入物的电力供应，以防止因冷却风扇故障导致的电力供应过热
公开(公告)号：KR1020040082102A
公开(公告)日：2004-09-24
申请号：KR1020030016737
申请日：2003-03-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임태섭 , 박장주
IPC分类号： H01L21/265
摘要： PURPOSE: A filament power supply of an ion implanter is provided to reduce malfunctions and accidents by preventing overheat of a filament power supply due to a trouble of a cooling fan and other troubles. CONSTITUTION: An arc chamber includes the first side and the second side opposite to the first side. A filament penetrates the first side of the arc chamber. A filament power supply(130) is used for supplying power to the filament. A repeller penetrates the second side of the arc chamber. The filament power supply includes a temperature sensor(151) for sensing the internal temperature and a relay(155) installed on a power supply line in order to block a power supply process according to the measured temperature.
摘要翻译：目的：提供离子注入机的灯丝电源，通过防止由于冷却风扇等故障而导致灯丝电源过热，从而减少故障和事故。构成：电弧室包括与第一侧相对的第一侧和第二侧。灯丝穿透电弧室的第一侧。灯丝电源（130）用于向灯丝供电。反射器穿透电弧室的第二侧。灯丝电源包括用于感测内部温度的温度传感器（151）和安装在电源线上的继电器（155），以便根据测量的温度阻断供电过程。

2. 发明公开

KR1020070017253A 이온 주입 장치 无效
标题翻译：离子注入装置
公开(公告)号：KR1020070017253A
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020050072002
申请日：2005-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박장주
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 이온 주입 장치의 가속 모드를 감속 모드로 전환시키는 억제 전압 전달부와 가속 컬럼을 기계적으로 고정시켜 균일한 억제 전압 및 억제 커런트를 공급받을 수 있는 이온 주입 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은 가속 컬럼, 상기 가속 컬럼의 외주에 배치되는 가속 링, 상기 가속 링에 일정 억제 전압을 공급하는 억제 전압 공급부를 포함한다. 이때, 상기 억제 전압 공급부는 상기 가속 링과 스크류에 의해 체결되어 있다. 상기 가속 링은 상기 억제 전압 공급부가 수용될 수 있을 정도 크기의 홈부를 포함하며, 상기 억제 전압 공급부는 상기 홈부에 삽입 고정되어 있다. 상기 홈부는 상기 가속 링 두께보다 낮은 두께를 갖으며, 상기 스크류는 상기 홈부 하단에 위치하여 상기 가속 링과 억제 전압 공급부를 체결한다.
이온 주입 장치, 가속 컬럼, 가속 링

3. 发明公开

KR1020010097984A 콜드 캐소드 이온 게이지를 구비한 진공 챔버 无效
标题翻译：包括冷阴极离子计的真空室
公开(公告)号：KR1020010097984A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000022538
申请日：2000-04-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박장주
IPC分类号： H01J9/42
摘要： 여기에 개시되는 진공 챔버는 상기 진공 챔버에 연결되어 있는 고정 포트와; 상기 진공 챔버의 진공 상태를 판독하기 위한 콜드 캐소드 이온 게이지 및; 상기 고정 포트와 상기 콜드 캐소드 이온 게이지 간의 연결 통로를 제어하는 부재를 포함하며, 상기 연결 통로를 제어하는 부재는 밸브로 구성된다. 이러한 구성에 따르면, 콜드 캐소드 이온 게이지 내에 오염이 생겨 콜드 캐소드 이온 게이지를 검사하거나 교환하고자 할 때 진공 챔버를 정지시키지 않은 상태에서 작업이 가능하다. 그러므로, 진공 챔버 아웃-개싱 시간이 단축됨으로써 설비 백-업 시간을 줄일 수 있다.

4. 发明公开

KR1020040011994A 지그 웨이퍼를 이용한 반도체 제조 장치의 웨이퍼 센터링방법 无效
标题翻译：使用JIG WAFER的半导体制造装置的抛光中心方法
公开(公告)号：KR1020040011994A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020020045331
申请日：2002-07-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤재임 , 임태섭 , 박장주 , 이정호
IPC分类号： H01L21/68
摘要： PURPOSE: A wafer centering method of a semiconductor fabricating apparatus using a jig wafer is provided to reduce variation of an interval of wafer centering time of each semiconductor fabricating apparatus and absolutely decrease the interval of the wafer centering time by aligning the jig wafer with a pedestal by one wafer alignment process. CONSTITUTION: The jig wafer is loaded into a position over the pedestal by using a handler of a cassette(S1). The variation distance between the centers of the jig wafer and the pedestal is measured(S2). The centers of the jig wafer and the pedestal are aligned according to the variation distance(S3).
摘要翻译：目的：提供使用夹具晶片的半导体制造装置的晶片定心方法，以减少每个半导体制造装置的晶片定心时间的变化，并通过将夹具晶片与基座对准来绝对地减小晶片定心时间的间隔通过一个晶片对准过程。构成：通过使用盒式磁带的处理器将夹具晶片装载到基座上方的位置（S1）。测量夹具晶片和基座的中心之间的变化距离（S2）。夹具晶片和基座的中心根据变化距离对准（S3）。

5. 发明公开

KR1020030046137A 반도체 소자 제조 장비의 진공 시스템 无效
标题翻译：用于制造半导体器件的设备的真空系统
公开(公告)号：KR1020030046137A
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020010076571
申请日：2001-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김수만 , 박장주
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A vacuum system of equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent vacuum pumps such as a turbo pump or a cryogenic pump from being damaged by using a vacuum back stream generated by delayed shut of valves. CONSTITUTION: The first and second vacuum chambers are prepared. The first vacuum pump is connected to the first vacuum chamber. The second vacuum pump is connected to the second vacuum chamber. The third vacuum pump is connected to the first and second vacuum pumps. The third vacuum pump is located at the back of the first and second vacuum pumps. The first valve is installed in a pipe between the first and third vacuum pumps. The second valve is installed in a pipe between the second and third vacuum pumps. The first air line(510) provides an air signal for driving the first valve. The second air line(550) provides an air signal for driving the second valve. The first delay valve(610), installed in the first air line, delays the driving of the first valve by the air signal. The second delay valve(650), installed in the second air line, delays the driving of the second valve by the air signal.
摘要翻译：目的：提供用于制造半导体器件的设备的真空系统，以防止诸如涡轮泵或低温泵的真空泵通过使用由延迟关闭阀产生的真空回流而损坏。构成：准备第一和第二真空室。第一真空泵连接到第一真空室。第二真空泵连接到第二真空室。第三真空泵连接到第一和第二真空泵。第三真空泵位于第一和第二真空泵的后面。第一阀安装在第一和第三真空泵之间的管道中。第二阀安装在第二和第三真空泵之间的管道中。第一空气管路（510）提供用于驱动第一阀的空气信号。第二空气管线（550）提供用于驱动第二阀的空气信号。安装在第一空气管路中的第一延迟阀（610）通过空气信号延迟第一阀的驱动。安装在第二空气管路中的第二延迟阀（650）通过空气信号延迟第二阀的驱动。

6. 发明公开

KR1020030021734A 반도체 제조설비의 진공누설 검사방법 无效
标题翻译：用于检查半导体制造设备的真空泄漏的方法
公开(公告)号：KR1020030021734A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020010055138
申请日：2001-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진성 , 채승원 , 박장주
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A method for inspecting a vacuum leakage of semiconductor fabricating equipment is provided to improve inspection efficiency of vacuum leakage and work efficiency by more precisely finding a vacuum leakage portion when a vacuum leakage occurs in the semiconductor fabricating equipment. CONSTITUTION: When a vacuum leakage occurs in the semiconductor fabricating equipment, the apparatus wherein the vacuum leakage occurs is found and disassembled(s100,s110). A vacuum leakage measuring assemble plate for closeness is assembled into a predetermined portion of the disassembled apparatus which is presumed to be a leakage portion(s120). The vacuum leakage is inspected while the measuring assemble plate is assembled into the predetermined portion(s130). When the vacuum leakage is determined to occur in the predetermined portion, the predetermined portion is replaced(s140). When the vacuum leakage is determined not to occur in the predetermined portion, the measuring assemble plate is installed in another portion to inspect the vacuum leakage.
摘要翻译：目的：提供一种用于检查半导体制造设备的真空泄漏的方法，以在半导体制造设备中发生真空泄漏时通过更精确地找到真空泄漏部分来提高真空泄漏的检测效率和工作效率。构成：当在半导体制造设备中发生真空泄漏时，找到并拆卸发生真空泄漏的装置（s100，s110）。用于接近的真空泄漏测量装配板被组装到推定为泄漏部分的拆卸装置的预定部分（s120）中。在将测量组合板组装到预定部分中时检查真空泄漏（s130）。当确定在预定部分发生真空泄漏时，更换预定部分（s140）。当确定不发生在预定部分中的真空泄漏时，将测量组合板安装在另一部分中以检查真空泄漏。

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