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71. 发明专利

JP6219175B2 化合物の製造方法、及び高分子化合物の製造方法有权
公开(公告)号：JP6219175B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2014006274
申请日：2014-01-16
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：長峰高志 , 土屋純一 , 新井雅俊 , 小室嘉崇
IPC分类号： C07C69/54 , C08F20/28 , C07C67/14

72. 发明专利

JP6190595B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6190595B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2013041064
申请日：2013-03-01
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：中村剛 , 太宰尚宏 , 新井雅俊
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325

73. 发明专利

JP6097610B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6097610B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2013062865
申请日：2013-03-25
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：中村剛 , 丹野一石 , 本池直人 , 小室嘉崇 , 平野智之 , 新井雅俊
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/30 , G03F7/2041

74. 发明专利

JP2017015777A ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、光反応性クエンチャー及び高分子化合物审中-公开
标题翻译：的正型抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法中，光反应猝灭剂和聚合化合物
公开(公告)号：JP2017015777A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015129169
申请日：2015-06-26
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：山崎広人 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 川名大助 , 鈴木健太 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/039 , C07C381/12 , C08F220/10 , G03F7/004
CPC分类号： C08F216/10 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07C381/12 , C07C65/10 , G03F7/039 , G03F7/2059 , G03F7/322 , C07C2102/42 , C07C2103/74
摘要：【課題】ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤及び高分子化合物の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)とを含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。[式(m0)中、Z 01 〜Z 04 は、電子吸引性の置換基、Rb 21 及びRb 22 は、アルキル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基又は水酸基、Rb 1 は、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基であり、n1及びn2は、0〜3の整数、X0 - は有機アニオン。] [化1] 【選択図】なし
摘要翻译：一种正型抗蚀组合物中，抗蚀剂图案形成方法中，提供所述酸扩散控制剂和聚合物化合物。甲在暴露产生酸和正性抗蚀剂其显示酸的作用下增加在碱性显影溶液中的溶解度的组合物，碱表现出酸的作用下增加在碱显影液的溶解性与组分（A），其特征在于含有下述通式（M0）（M）表示的化合物，正型抗蚀剂组合物。其中（M0），Z01〜Z04吸电子基团，RB21和RB22是烷基，其可脂环族取代的烃基或羟基，皂苷Rb1是一个取代的基团可具有的烷基或链烯基时，n1和n2为0〜3的整数的芳基，X0-有机阴离子。 ] [式1] [技术领域]无

75. 发明专利

JP2017003919A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：的抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP2017003919A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120482
申请日：2015-06-15
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 藤井達也
IPC分类号： C08F220/28 , C08F220/58 , G03F7/20 , G03F7/039
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、下記一般式(a9−1)で表される構成単位(a9)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。[RはH、C1〜5のアルキル基またはC1〜5のハロゲン化アルキル基、YaはC、XaはYaとともに2価の環状の炭化水素基を形成する基。Ra 01 〜Ra 03 は、H、C1〜10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3〜20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。Ya 91 は単結合または2価の連結基であり、R 91 は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R 92 は酸素原子または硫黄原子である。] [化1] 【選択図】なし
摘要翻译：的抗蚀剂组合物提供了与形成抗蚀剂图案的方法。通过将含有碱成分表现出在显影溶液中的（A）的溶解性发生变化酸的作用，所述基材成分（A），由下述通式表示的结构单元（A0-1）（和A0），抗蚀剂，其特征在于含有下述式（A9-1）表示的结构单元（A9）的组合物。 [R是H，烷基或卤代烷基基团的C 1-5的C 1-5的，Ya为C，XA形成的二价环烃基一起雅基。 RA01〜RA03是，H，一价的链状饱和烃基或一价的脂肪环状饱和烃的碳原子数3〜20的C 1-10烷基。 Ya91是单键或二价连接基团，R91是可具有一个取代基的烃基，R92为氧原子或硫原子。 ] [式1] [技术领域]无

76. 发明专利

JP2017003917A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：的抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP2017003917A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120451
申请日：2015-06-15
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 藤井達也
IPC分类号： C08F20/12 , G03F7/039
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、酸拡散制御剤成分(D)とを含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を含有し、前記酸拡散制御剤成分(D)は、酸解離定数が1.5以上の酸を含有することを特徴とするレジスト組成物。[RはH、C1〜5のアルキル基、C1〜5のハロゲン化アルキル基。YaはC、XaはYaとともに2価の環状の炭化水素基を形成する基。Ra 01 〜Ra 03 は、H、C1〜10の1価の鎖状飽和炭化水素基、C3〜20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基。] [化1] 【選択図】なし
摘要翻译：的抗蚀剂组合物提供了与形成抗蚀剂图案的方法。甲照射产生酸，和抗蚀剂表现出改变的溶解性由于酸的作用的显影溶液中，通过酸和碱成分的作用表现出在显影溶液中的溶解性发生变化的（A）组合物含有酸扩散控制剂（D）成分，所述基材成分（A）含有下述通式（A0-1），酸扩散控制剂成分表示的结构单元（a0）的（D）是具有酸解离常数的抗蚀剂组合物含有1.5或更多种酸。 [R是H，烷基C1-5的，卤代烷基C1-5的。 ya为C，XA形成的二价环烃基一起雅基。 RA01〜RA03是，H，1价链状饱和烃基的C 1-10的，1价的脂肪族环状饱和烃基C 3-20的。 ] [式1] [技术领域]无

77. 发明专利

JP6055938B2 高分子化合物及び高分子化合物の製造方法有权
标题翻译：制备聚合物化合物和聚合物化合物的方法
公开(公告)号：JP6055938B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2016008210
申请日：2016-01-19
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：高木大地 , 内海義之 , 新井雅俊
IPC分类号： C08F8/18 , C08F20/10

78. 发明专利

JP6051013B2 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物有权
标题翻译：抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法中，聚合物化合物，所述化合物
公开(公告)号：JP6051013B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2012237141
申请日：2012-10-26
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平野智之 , 小室嘉崇 , 新井雅俊
IPC分类号： G03F7/038 , C08F20/28 , G03F7/039

79. 发明专利

JP2016075901A レジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2016075901A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2015192666
申请日：2015-09-30
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：新井雅俊 , 小室嘉崇 , 高木大地
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/16 , G03F7/20 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0397
摘要：【課題】より微細なパターンを良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び、前記露光後のレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法。前記レジスト組成物は、2種の特定の構成単位を少なくとも有する高分子化合物を含有する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，通过该方法可以形成具有良好外形的更精细的图案。解决方案：形成抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：在支撑体上形成抗蚀剂膜通过使用通过曝光产生酸的抗蚀剂组合物，并通过酸的作用显示出与显影剂的溶解度的变化; 曝光抗蚀膜; 以及使用含有有机溶剂的显影剂通过负显影来图案化曝光的抗蚀剂膜以形成抗蚀剂图案。抗蚀剂组合物包含具有至少两个特定结构单元的聚合物。选择图：无

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