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1. 发明专利

JP2019174821A ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019174821A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2019094831
申请日：2019-05-20
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：山崎広人 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 川名大助 , 鈴木健太 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/56 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤及び高分子化合物の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)とを含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。[式(m0)中、Z 01 〜Z 04 は、電子吸引性の置換基、Rb 21 及びRb 22 は、アルキル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基又は水酸基、Rb 1 は、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基であり、n1及びn2は、0〜3の整数、X0 - は有機アニオン。] [化1] 【選択図】なし

2. 发明专利

JP2017003920A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：的抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP2017003920A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120483
申请日：2015-06-15
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , C08F20/40 , G03F7/039
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を含有し、前記酸発生剤成分(B)は、電子吸引性基を有するカチオン部を有する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。[RはH、C1〜5のアルキル基またはC1〜5のハロゲン化アルキル基、YaはC、XaはYaとともに2価の環状の炭化水素基を形成する基。Ra 01 〜Ra 03 は、H、C1〜10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3〜20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。] [化1] 【選択図】なし
摘要翻译：的抗蚀剂组合物提供了与形成抗蚀剂图案的方法。甲照射产生酸，和抗蚀剂表现出改变的溶解性由于酸的作用的显影溶液中，通过酸和碱成分的作用表现出在显影溶液中的溶解性发生变化的（A）组合物包含在暴露（B）产生酸的产酸剂成分，所述基材成分（A）含有下述通式表示的结构单元（a0）（A0-1）时，酸产生剂成分（B），抗蚀剂组合物，其包含具有含吸电子基团的阳离子的化合物。 [R是H，烷基或卤代烷基基团的C 1-5的C 1-5的，Ya为C，XA形成的二价环烃基一起雅基。 RA01〜RA03是，H，一价的链状饱和烃基或一价的脂肪环状饱和烃的碳原子数3〜20的C 1-10烷基。 ] [式1] [技术领域]无

3. 发明专利

JP2020132694A 特殊構造パターンを創出するブロック共重合体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020132694A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019024619
申请日：2019-02-14
申请人：東京応化工業株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：早川晃鏡 , 山崎星奈 , 山崎晃義 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 前橋貴哉 , 小田島凛
IPC分类号： B05D1/36 , B05D7/24 , H01L21/312 , C08G77/442
摘要：【課題】自己組織化リソグラフィにより複雑な構造が形成できるブロック共重合体、相分離構造を含む構造体の製造方法の提供。【解決手段】ケイ素原子を含まない構成単位(u1)の繰り返し構造を有する重合体からなる第1ブロック、及び、ケイ素原子を含む構成単位(u2)の繰り返し構造を有する重合体からなる第2ブロックを備え、第2ブロックは、一般式(u2−1)で表される構成単位(u21)の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック(b21)を含み、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第1ブロックの体積比は、42〜44体積%である、ブロック共重合体(R P211 は、極性基を有する有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はHであり、R P21 2 は、SHR t1 で表される化合物から誘導される基である。R t1 は、置換基を有してもよい炭素数1〜5の炭化水素基である)。【選択図】なし

4. 发明专利

JP6715375B2 ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6715375B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2019094831
申请日：2019-05-20
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：山崎広人 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 川名大助 , 鈴木健太 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/56 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/004

5. 发明专利

JP6670555B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6670555B2
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：JP2015120482
申请日：2015-06-15
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 藤井達也
IPC分类号： C08F220/28 , C08F220/58 , G03F7/20 , G03F7/039

6. 发明专利

JP2021116318A 交互共重合体、交互共重合体の製造方法、高分子化合物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021116318A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020008739
申请日：2020-01-22
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：大内誠 , 呉東泳 , 山崎晃義 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 道林信弘 , 稲荷宇俊
IPC分类号： C08F220/10 , C08F212/14 , C08F8/12 , C08F8/14 , C08F220/52
摘要：【課題】レジスト組成物用の基材として用いられる高分子化合物を製造するのに有用な交互共重合体の提供。【解決手段】下式で表される構成(a0−1)と構成(a0−2)とを有する交互共重合体。式中、Rp 01 は、水素原子等である。Vp 01 は、単結合又は2価の連結基である。Rp 02 及びRp 03 は、それぞれ独立に置換基を有してもよい炭化水素基であるか、又は相互に結合して環を形成していてもよい。Rp 04 は、水素原子、C1−C5アルキル基又はC1−C5ハロゲン化アルキル基である。Rp 05 は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、シアノ基又は水酸基である。Rp 06 は、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基である。n 1 は0〜4の整数である。【選択図】なし

7. 发明专利

JP2021102604A 有機修飾金属酸化物ナノ粒子、有機修飾金属酸化物ナノ粒子含有溶液、有機修飾金属酸化物ナノ粒子含有レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021102604A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2020207558
申请日：2020-12-15
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 東京応化工業株式会社
发明人：陶究 , 片岡 ▲祥▼ , 吉越裕介 , 稲荷宇俊 , 新井雅俊 , 前橋貴哉 , 小室嘉崇 , 川名大助
IPC分类号： G03F7/004 , C07C53/122 , C07C57/04 , C01G25/02 , G03F7/20 , B82Y30/00 , C07F7/00
摘要：【課題】簡易な方法で製造でき、感度を高めることができる有機修飾金属酸化物ナノ粒子を提供する。【解決手段】有機修飾金属酸化物ナノ粒子は、コアと、第一修飾基と、第二修飾基とを備えている。コアは、複数個の金属原子と、前記複数個の金属原子に共有結合した複数の酸素原子とを有している。第一修飾基(A1)は、コアに配位結合している、カルボン酸カルボキシレート、スルホン酸スルホネートおよびホスホン酸ホスホネートからなる群より選択される配位子である。第二修飾基(A2)は、コアに配位結合し、第一修飾基(A1)と構造の異なる配位子および/または無機陰イオンである。コア同士は、少なくとも第一修飾基(A1)によって配位結合により架橋された構造を有する。【選択図】なし

8. 发明专利

JP6475988B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6475988B2
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：JP2015006694
申请日：2015-01-16
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 矢萩真人 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/10 , G03F7/039

9. 发明专利

JP2016133546A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2016133546A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015006715
申请日：2015-01-16
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 矢萩真人 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , C08F220/26 , C08F220/38 , G03F7/039
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、酸拡散制御剤成分(D)とを含有し、基材成分(A)が、一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、logP値が1.2未満であるアクリル酸エステルモノマーから誘導される構成単位(a2)と、を有する樹脂成分を含有し、酸拡散制御剤成分(D)の酸解離定数が1.5以上であるレジスト組成物。[式中、RはH、C 1〜5 のアルキル基またはC 1〜5 のハロゲン化アルキル基である。YaはC、XaはYaとともに脂環式炭化水素基を形成するために必要な原子団。Ra 01 は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基。] 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。溶胶：抗蚀剂组合物通过曝光产生酸，并且通过酸的作用显示与显影剂的溶解度的变化。组合物包含其与显色剂的溶解度随酸的作用而变化的碱成分（A）和酸扩散控制剂组分（D）。基础组分（A）包括具有由通式（a0-1）表示的结构单元（a0）和衍生自logP值小于1.2的丙烯酸酯单体的结构单元（a2）的树脂组分。酸扩散控制剂组分（B）的酸解离常数为1.5以上。在该式中，R表示H，具有1至5个碳原子的烷基或具有1至5个碳原子的卤代烷基; 雅代表C; Xa表示与Ya一起形成脂环族烃基所必需的原子团; 并且Rare表示任选具有取代基的芳族烃基。选择图：无

10. 发明专利

JP2016133545A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2016133545A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015006694
申请日：2015-01-16
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：平山拓 , 川名大助 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 矢萩真人 , 藤井達也
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , C08F220/10 , G03F7/039
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を含む樹脂成分を含有し、前記酸発生剤成分(B)は、電子吸引性基を有するカチオン部を有する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Yaは炭素原子、XaはYaとともに脂環式炭化水素基を形成するために必要な原子団である。Ra 01 は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。] 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。溶胶：抗蚀剂组合物通过曝光产生酸，并且通过酸的作用显示与显影剂的溶解度的变化。组合物包含其与显色剂的溶解度随着酸的作用而变化的碱组分（A）和通过曝光产生酸的酸产生剂组分（B）。基础成分（A）含有具有下述通式（a0-1）表示的结构单元（a0）的树脂成分。酸产生剂组分（B）包含具有吸电子基团的具有阳离子部分的化合物。式中，R表示氢原子，碳原子数1〜5的烷基或碳原子数1〜5的卤代烷基， Ya表示碳原子; Xa表示与Ya一起形成脂环族烃基所必需的原子团; 并且Rare表示任选具有取代基的芳族烃基。选择图：无

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