基本信息:
- 专利标题： レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
- 专利标题（英）：Resist composition and a method of forming a resist pattern
- 专利标题（中）：的抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
- 申请号：JP2015120451 申请日：2015-06-15
- 公开(公告)号：JP2017003917A 公开(公告)日：2017-01-05
- 发明人： 平山 拓 , 川名 大助 , 小室 嘉崇 , 新井 雅俊 , 松丸 省吾 , 鈴木 健太 , 神園 喬 , 藤井 達也
- 申请人： 東京応化工業株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 代理人： 棚井 澄雄; 志賀 正武; 松本 将尚; 宮本 龍; 飯田 雅人
- 主分类号： C08F20/12
- IPC分类号： C08F20/12 ; G03F7/039
The present invention provides resist compositions and a method of forming a resist pattern.
A generates an acid by exposure, and a resist composition which changes its solubility in a developer under the action of an acid, by the action of an acid and a base component which changes its solubility in a developer (A) contains an acid diffusion controller component (D), said base component (a) is, by including the structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1), the acid diffusion control agent component (D) is a resist composition characterized in that the acid dissociation constant containing 1.5 or more acids. [R is H, alkyl group of C1~5, a halogenated alkyl group of C1~5. Ya is C, Xa to form a divalent cyclic hydrocarbon group together with Ya group.
Ra 01 ~Ra 03 is, H, 1 monovalent chain saturated hydrocarbon group of C1~10, 1 monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group of C3~20. ]
[Formula 1]
.BACKGROUND
公开/授权文献:
- JP6581811B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 公开/授权日：2019-09-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08F | 仅用碳—碳不饱和键反应得到的高分子化合物 |
| ------C08F20/00 | 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物，每个不饱和脂族基只有1个碳—碳双键，并且只有1个是以羧基或它的盐、酐、酯、酰胺、酰亚胺或腈为终端 |
| --------C08F20/02 | .具有少于10个碳原子的一元羧酸；它的衍生物 |
| ----------C08F20/10 | ..酯 |
| ------------C08F20/12 | ...一元醇或酚的 |