レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

专利标题：レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
专利标题（英）：Resist composition and a method of forming a resist pattern
专利标题（中）：的抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
申请号：JP2015120482 申请日：2015-06-15
公开(公告)号：JP2017003919A 公开(公告)日：2017-01-05
发明人：平山拓 , 川名大助 , 小室嘉崇 , 新井雅俊 , 松丸省吾 , 鈴木健太 , 神園喬 , 藤井達也
申请人：東京応化工業株式会社
申请人地址：神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
专利权人：東京応化工業株式会社
当前专利权人：東京応化工業株式会社
当前专利权人地址：神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
代理人：棚井澄雄; 志賀正武; 松本将尚; 宮本龍; 飯田雅人
主分类号： C08F220/28
IPC分类号： C08F220/28 ; C08F220/58 ; G03F7/20 ; G03F7/039

摘要：

【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、下記一般式(a9−1)で表される構成単位(a9)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。[RはH、C1〜5のアルキル基またはC1〜5のハロゲン化アルキル基、YaはC、XaはYaとともに2価の環状の炭化水素基を形成する基。Ra 01 〜Ra 03 は、H、C1〜10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3〜20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。Ya 91 は単結合または2価の連結基であり、R 91 は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R 92 は酸素原子または硫黄原子である。] [化1] 【選択図】なし

摘要（中）：

的抗蚀剂组合物提供了与形成抗蚀剂图案的方法。通过将含有碱成分表现出在显影溶液中的（A）的溶解性发生变化酸的作用，所述基材成分（A），由下述通式表示的结构单元（A0-1）（和A0），抗蚀剂，其特征在于含有下述式（A9-1）表示的结构单元（A9）的组合物。 [R是H，烷基或卤代烷基基团的C 1-5的C 1-5的，Ya为C，XA形成的二价环烃基一起雅基。 RA01〜RA03是，H，一价的链状饱和烃基或一价的脂肪环状饱和烃的碳原子数3〜20的C 1-10烷基。 Ya91是单键或二价连接基团，R91是可具有一个取代基的烃基，R92为氧原子或硫原子。 ] [式1] [技术领域]无

摘要（英）：

The present invention provides resist compositions and a method of forming a resist pattern.
By the action of the A acid containing a base component which changes its solubility in a developer (A), said base component (A) is a structural unit represented by the following general formula (a0-1) ( and a0), the resist composition characterized by containing a constituent unit (a9) represented by the following general formula (a9-1). [R is H, alkyl or halogenated alkyl groups of C1～5 of C1~5, Ya is C,-Xa forms a bivalent cyclic hydrocarbon group together with Ya group. ^{^Ra} 01 ~Ra 03 is, H, is a monovalent chain saturated hydrocarbon group or a monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group of 3 to 20 carbon atoms of C1~10. Ya ⁹¹ is a single bond or a divalent linking group, R ⁹¹ is a hydrocarbon group which may have a substituent group, R ⁹² is an oxygen atom or a sulfur atom. ]
[Formula 1]

.BACKGROUND

JP6670555B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法公开/授权日：2020-03-25

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C	化学；冶金
--C08	有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
----C08F	仅用碳—碳不饱和键反应得到的高分子化合物
------C08F220/00	具有1个或更多不饱和脂族基化合物的共聚物，每个不饱和脂族基只有1个碳—碳双键，并且只有1个是仅以羧基或它的盐、酐、酯、酰胺、酰亚胺或腈为终端
--------C08F220/02	.具有少于10个碳原子的一元羧酸；它的衍生物
----------C08F220/10	..酯
------------C08F220/22	...含卤素的酯
--------------C08F220/28	....在醇部不含芳族环

发明专利 JP2017003919A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 审中-公开

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