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    • 71. 发明申请
    • MASCHINE ZUM TRENNENDEN BEARBEITEN EINES PLATTENFÖRMIGEN WERKSTÜCKS UND VERFAHREN ZUM AUSDRÜCKEN EINES FREIGETRENNTEN WERKSTÜCKTEILS
    • 用于分隔平台工件的机器和用于表示已发布的工件部分的方法
    • WO2017202767A1
    • 2017-11-30
    • PCT/EP2017/062261
    • 2017-05-22
    • TRUMPF WERKZEUGMASCHINEN GMBH + CO. KG
    • DEISS, MagnusEPPERLEIN, PeterOTTNAD, JensSCHMAUDER, FrankWOLF, Dennis
    • B23K7/00B23K26/08B23K26/38B23K26/70B23K37/02
    • B23K26/083B23K7/002B23K26/0869B23K26/38B23K26/702B23K37/0288
    • Die Erfindung betrifft eine Maschine (1) zum trennenden Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks (2), mit: einer ersten Bewegungseinrichtung (7) zur Bewegung des Werkstücks (2) in einer ersten Richtung (X), einer zweiten Bewegungseinrichtung (11) zur Bewegung eines Bearbeitungskopfs (9) für die trennende Bearbeitung in einer zweiten Richtung (Y), sowie zwei Werkstückauflageflächen (4, 5) zur Auflage des Werkstücks (2), zwischen denen ein sich entlang der zweiten Richtung (Y) erstreckender Spalt (6) gebildet ist. Die Maschine (1) weist eine Ausdrückeinrichtung (17) mit einem Ausdrückelement (18) auf, wobei das Ausdrückelement (18) zumindest in der zweiten Richtung (Y) innerhalb des Spalts (6) bewegbar ist, um an einer vorgegebenen Ausdrückposition (AP) gegen ein beim trennenden Bearbeiten vom Werkstück (2) freigetrenntes Werkstückteil (20) anzudrücken. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Ausdrücken eines insbesondere an einer solchen Maschine (1) freigetrennten Werkstückteils (20).
    • 本发明涉及一种机器(1),用于分离加工的板和ouml;形工件导航用途CKS(2),包括:第一运动装置(2)在第一移动工件导航用途CKS(7) 方向(X),第二移动装置(11),用于移动的加工头(9)的F导航用途r是分割处理的第二方向(Y)和两个工件导航用途ckauflagefl BEAR表面(4,5),用于支承工件导航用途CKS (2)之间形成沿第二方向(Y)延伸的间隙(6)。 所述的机器(1)具有上ckelement(18)一个Expr的导航中使用的Expr的导航用途ckeinrichtung(17),其中,所述Expr的导航用途ckelement(18)至少在所述间隙内的第二方向(Y)(6)是可移动的,以 以在分离过程期间将预定表情位置(AP)压靠在与工件(2)分离的工件部分(20)上。 本发明还涉及一种用于表现特别在这种机器(1)上自由的工件部件(20)的方法。

    • 73. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON PLASMA- BZW. LASERPULSEN MITTELS HOCHFREQUENZ-ANREGUNGSPULSEN, INSBESONDERE EIN GASENTLADUNGSLASER, SOWIE STEUEREINHEIT FÜR EINEN HOCHFREQUENZ-ANREGUNGSPULS-GENERATOR
    • 产生等离子体或BZW的方法和装置。 激光脉冲高频激励脉冲,尤其是对于高频激励脉冲发生器的气体放电激光和控制单元
    • WO2017063662A1
    • 2017-04-20
    • PCT/EP2015/073511
    • 2015-10-12
    • TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
    • SCHULZ, RobertBECK, Torsten
    • H05H1/46H01S3/134H01S3/10
    • H05H1/46H01S3/09702H01S3/0971H01S3/10038H01S3/10046H01S3/134H01S3/2232
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Plasma- bzw. Laserpulsen (14) mittels Hochfrequenz-Anregungspulsen (13), wobei zur Erfüllung von Plasma- bzw. Laserpulsvorgaben (11) ein Medium mit Hochfrequenz-Anregungspulsen (13) angeregt wird. Die Hochfrequenz-Anregungspulse (13) werden zumindest teilweise abhängig von einer vorhergehenden Hochfrequenz-Anregung des Mediums festgelegt. Zumindest teilweise erfolgt eine Festlegung der Hochfrequenz-Anregungspulse (13) derart, dass die Hochfrequenz- Anregungspulse (13) umso stärker, insbesondere unter Veränderungen ihrer Start- und/oder Endzeitpunkte, verkürzt werden, je höher eine verbleibende Anregung des Mediums durch die vorhergehende Hochfrequenz-Anregung ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Steuereinheit für einen Hochfrequenz- Anregungspuls-Generator, einen Hochfrequenz-Anregungspuls-Generator und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma- bzw. Laserpulsen (14) mittels Hochfrequenz-Anregungspulsen (13), insbesondere einen Gasentladungslaser.
    • 本发明涉及一种方法,用于通过将射频激励脉冲的装置(13),产生等离子体或激光脉冲(14),其中所述ERF导航用途设置搜索克的离子或激光脉冲规范(11)配有高频的介质 -Anregungspulsen(13)很兴奋。 高频激励脉冲(13)至少部分地作为介质的先前高频激励的函数来确定。 至少部分地确定的高频激励脉冲的(13)被执行,使得所述射频激励脉冲(13)更STÄ更强,特别版BEAR改变其开始和/或结束点,导航用途verk;被RZT根据Hö建立 先前的高频激励对介质的剩余激励是。 此外,本发明提供了一种用于导航中使用的控制单元关乎为r的射频激励脉冲发生器,高频激励脉冲发生器和用于产生等离子体或激光脉冲(14)的装置由射频激励脉冲的装置(13),特别是气体放电激光器“。 / p>

    • 75. 发明申请
    • RICHTKOPPLER
    • 定向耦合器
    • WO2017001596A1
    • 2017-01-05
    • PCT/EP2016/065378
    • 2016-06-30
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréALT, AlexanderGRUNER, DanielSCHWERG, NikolaiWANGLER, Christian
    • H01P5/18
    • H01P5/184H01P5/185H05K1/0237H05K2201/09227
    • Ein Richtkoppler (1), der zumindest teilweise in einer insbesondere mehrlagigen Leiterkarte (2) ausgebildet ist, mit einer Hauptleitung (3) zur Übertragung einer Leistung und zumindest einer Nebenleitung (6, 7), die in einem Kopplungsbereich mit einem Kopplungsabschnitt (4, 5) parallel und beabstandet zur Hauptleitung (3) angeordnet ist, wobei im Kopplungsbereich die Hauptleitung (3) und/oder die zumindest eine Nebenleitung (6, 7) im Inneren der Leiterkarte (2) angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass m erste Zusatzkoppelleitungen (12 - 15), m ≥ 1, vorgesehen sind, die einen Kopplungsabschnitt (8 – 11) aufweisen, der parallel und beabstandet zum Kopplungsabschnitt (4, 5) der zumindest einen Nebenleitung (6, 7) verläuft, wobei die ersten Zusatzkoppelleitungen (12 – 15) einen Anschluss (16 – 19) aufweisen, der an der Außenseite der Leiterkarte (2) angeordnet ist zur Verbindung mit Masse oder einer externen Beschaltung.
    • 一种定向耦合器(1)至少在一个特定的多层电路卡(2)部分地与主线路(3)形成用于发射功率和至少一个次级线(6,7)与连接部(4的耦合部分提供, 5)平行和间隔开的从所述主干线(3)被布置,其中,所述主线路(3)和/或所述至少一个次级线(6,7)被布置在所述耦合区域内的印刷电路板(2)的内部,其特征在于,m个第一 附加耦合线(12-15)中,m≥1,条件是一个耦合部分(8-11),其平行并从连结部(4,5)的至少一个次级线(6,7),其中,所述第一辅助耦合线隔开 (12-15),其被布置在电路卡(2)的外侧上,用于连接到地面或外部电路的连接(16-19)。
    • 76. 发明申请
    • HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
    • 高频放大器安排
    • WO2017001594A1
    • 2017-01-05
    • PCT/EP2016/065376
    • 2016-06-30
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréALT, AlexanderGRUNER, DanielLABANC, Anton
    • H03F3/193H01J37/32H03F3/30
    • H01J37/32174H03F3/193H03F3/3001H03F2200/451
    • Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfasst: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (3) (Package) angeordnet sind, b. eine Leiterkarte (2), die flächig an einer metallischen Kühlplatte (25) anliegt und über mehrere Masseverbindungen (8, 19, 21, 24) mit der mit Masse (26) verbindbaren Kühlplatte (25) verbunden ist, wobei die Baugruppe (3) auf oder an der Leiterkarte (2) angeordnet ist, c. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, d. einen Signalübertrager (10), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (14) mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (S1) verbunden ist und mit einem zweiten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (16) mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, wobei jeder Gatenanschluss (15, 17) über zumindest eine spannungsbegrenzende Bauelementanordnung (18, 20, 18', 20') mit Masse (19, 21) verbunden ist.
    • 其适于产生输出在频率≥2兆赫等离子体激发≥1千瓦,包括高频放大器装置(1):一。 2个LDMOS晶体管(S1,S2),其具有分别连接到接地连接点(5)它们的源极端子,所述LDMOS晶体管(S1,S2)具有相同的设计和模块(3)中(封装)被布置, 湾 的印刷电路卡(2),其位于平贴的金属散热板(25)和若干接地连接(8,19,21,24)连接到所述地面(26)的冷却板(25),所述组件(3) 被布置在或在印刷电路板(2)中,c。 (6)到LDMOS晶体管(S1,S2),D的漏极端子被连接到一个电源变压器(7),其初级绕组。 具有通过一个或多个电阻元件(14)的LDMOS晶体管(S1)的栅极端子(15)的第一端的信号变压器(10),其次级绕组(13)通过一个或多个电阻连接到第二端 连接的元件(16)连接到其他LDMOS晶体管的栅极端子(17)(S2),通过至少一个限制电压的部件组件(18,20,18”,20' )到地每一个栅极端子(15,17)(19, 21)。
    • 77. 发明申请
    • PLASMA IMPEDANCE MATCHING UNIT, SYSTEM FOR SUPPLYING RF POWER TO A PLASMA LOAD, AND METHOD OF SUPPLYING RF POWER TO A PLASMA LOAD
    • 等离子体阻抗匹配单元,用于将射频功率提供给等离子体负载的系统以及向等离子体负载提供射频功率的方法
    • WO2016177766A1
    • 2016-11-10
    • PCT/EP2016/059970
    • 2016-05-04
    • TRUMPF HUETTINGER SP. Z O. O.
    • GLAZEK, WojciechBUGYI, Rafal
    • H01J37/32H03H7/38
    • H01J37/32183H01J37/32174H01J37/32926H01J37/32935H01J37/3299H03H7/38
    • A plasma impedance matching unit (13) for a plasma power supply system (10, 100) comprises a. a first power connector (40) for coupling the matching unit (13) to a power source (11), b. a second power connector (41) for coupling the matching unit (13) to a plasma load (20), c. a data link interface (45) for directly coupling the impedance matching unit (13) to another plasma impedance matching unit (14) of the plasma power supply system (10, 100) via a data link (48), d. a controller (42) configured to control the matching unit (13) in order to match the impedance from the first power connector (40) to the impedance at the second power connector (41), wherein e. the controller (42) is configured to operate as a master for at least one other impedance matching unit (14) and/or at least one RF power source (11, 12) of the plasma power supply system (10, 100), wherein the controller (42) communicates via the data link interface (45) with the other impedance matching unit(s) (14) and/or RF power source(s) (11, 12) of the plasma power supply system (10, 100).
    • 一种用于等离子体供电系统(10,100)的等离子体阻抗匹配单元(13)包括a。 b)用于将匹配单元(13)耦合到电源(11)的第一电源连接器(40),b。 用于将匹配单元(13)耦合到等离子体负载(20)的第二电源连接器(41),c。 数据链路接口(45),用于经由数据链路(48)将阻抗匹配单元(13)直接耦合到等离子体供电系统(10,100)的另一个等离子体阻抗匹配单元(14)。 控制器(42),被配置为控制所述匹配单元(13),以便将来自所述第一电源连接器(40)的阻抗与所述第二电源连接器(41)处的阻抗相匹配,其中e。 控制器(42)被配置为作为用于等离子体供电系统(10,100)的至少一个其它阻抗匹配单元(14)和/或至少一个RF电源(11,12)的主站,其中 控制器(42)经由数据链路接口(45)与等离子体供电系统(10,100)的另一个阻抗匹配单元(14)和/或RF电源(11,12)进行通信 )。
    • 79. 发明申请
    • GAS FLOW WITHIN ADDITIVE MANUFACTURING DEVICE
    • 添加剂制造装置中的气体流动
    • WO2016083298A1
    • 2016-06-02
    • PCT/EP2015/077356
    • 2015-11-23
    • TRUMPF SISMA S.R.L.
    • RIVA, FaustoCANAGLIA, Sergio
    • B29C67/00B33Y30/00B22F3/105
    • B22F3/1055B22F2003/1056B22F2003/1059B28B1/001B29C64/153B29C64/20B33Y10/00B33Y30/00Y02P10/295
    • A device (1) for additive manufacturing of a three-dimensional object from powdered material comprises a main body (11) providing an object forming chamber (13) and, within a front wall (15), an opening (17) for accessing the object forming chamber (13). A work surface (21) delimites the object forming chamber (13) and comprises a build platform section (23 A) for manufacturing thereon the three-dimensional object. The device (1) further comprises a door (31) provided at the front wall (15) and being positionable in a closed state to seal the opening (17) or in an opened state to provide access to the object forming chamber (13). The device (1) further comprises a gas flow system (41) for providing a gas flow (42) across the build platform section (23 A), the gas flow system (41) comprising a first main body section (41 A) extending within the main body (11) and a door section (41B) being part of the door (31), wherein the door section (4 IB) comprises a first opening structure (45 A) arranged to release gas to or to receive gas from above the build platform section (23 A) in the closed state of the door.
    • 用于从粉末材料添加制造三维物体的装置(1)包括提供物体形成室(13)的主体(11)和在前壁(15)内的用于进入物体形成室的开口(17) 物体形成室(13)。 工件表面(21)限定物体形成室(13)并且包括用于在其上制造三维物体的构建平台部分(23A)。 装置(1)还包括设置在前壁(15)处的门(31)并可处于关闭状态以密封开口(17)或处于打开状态以提供对物体形成室(13)的通路的门(31) 。 装置(1)还包括用于在构建平台部分(23A)上提供气流(42)的气流系统(41),气流系统(41)包括第一主体部分(41a) 在主体(11)内的门部分(41B)和门部(31)的一部分的门部分(41B),其中门部分(41B)包括第一开口结构(45A),其布置成将气体释放到或接收气体 在门的关闭状态下的构建平台部分(23A)上方。
    • 80. 发明申请
    • OPTISCHES SYSTEM ZUR STRAHLFORMUNG
    • 光学系统,光束整形
    • WO2016079062A1
    • 2016-05-26
    • PCT/EP2015/076707
    • 2015-11-16
    • TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
    • FLAMM, DanielGROSSMANN, DanielKAISER, MyriamKLEINER, JonasKUMKAR, Malte
    • G02B27/09B23K26/064
    • B23K26/064B23K26/0057B23K26/53B23K2203/54G02B5/1871G02B27/0927G02B27/0944
    • Ein optisches System (1) zur Strahlformung eines Laserstrahls (3) für die Bearbeitung eines insbesondere transparenten Materials (9) durch Modifizieren des Materials (9) in einer in Propagationsrichtung (5) langgezogenen Fokuszone (7) weist ein Strahlformungselement (31) auf, das dazu ausgebildet ist, den Laserstrahl (3) mit einem transversalen Eingangsintensitätsprofil (41) aufzunehmen und dem Laserstrahl (3) einen strahlformenden Phasenverlauf (43) über das transversale Eingangsintensitätsprofil (31) aufzuprägen. Das optische System (1) weist ferner eine Nahfeldoptik (33B) auf, die strahlabwärts mit einem Strahlformungsabstand (Dp) zum Strahlformungselement (31) angeordnet ist und die dazu ausgebildet ist, den Laserstrahl (3) in die Fokuszone (7) zu fokussieren, wobei der aufgeprägte Phasenverlauf (43) derart ist, dass dem Laserstrahl (3) ein virtuelles, vor dem Strahlformungselement (31) liegendes optisches Bild (53) der langgezogenen Fokuszone (7) zugeordnet ist. Des Weiteren entspricht der Strahlformungsabstand (Dp) einer Propagationslänge des Laserstrahls (3), in der der aufgeprägte Phasenverlauf (43) das transversale Eingangsintensitätsprofil (41) in ein transversales Ausgangsintensitätsprofil (51) an der Nahfeldoptik (33B) überführt, welches im Vergleich mit dem Eingangsintensitätsprofil (41) ein außerhalb einer Strahlachse (45) liegendes lokales Maximum (49) aufweist.
    • 的光学系统(1),用于将激光束(3),用于特定的透明材料(9)的处理的光束整形通过在传播方向在改变材料(9)(5)的细长聚焦区(7)包括一个光束整形元件(31), 其适于有横向强度分布输入(41)和激光束接收的激光束(3)(3)具有波束形成相位响应(43)上施加横向强度分布输入端(31)。 所述光学系统(1)还包括近场光学(33B),其是与从光束整形元件被设置,其适于将激光束(3)聚焦在聚焦区(7)的光束成形距离(DP)(31)向下辐射, 其中,所述压花相位曲线(43)是这样的,所述激光束(3)位于一个虚拟的,在光束成形元件(31)的前面是细长聚焦区的相关的光学图像(53)(7)。 此外所对应在上的激光束(3)的传播长度,其中,所述压印相位曲线(43)的波束成形距离(DP)的近场光学(33B)的横向输出强度分布(51)转移到所述横向输入的强度分布(41),其在与比较 输入强度轮廓(41)具有一个光轴(45)位于局部最大值(49)的外部。