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1. 发明申请

WO2017001598A1 LEISTUNGSCOMBINER MIT SYMMETRISCH ANGEORDNETEM KÜHLKÖRPER UND LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：具有均衡安排散热器和LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG LEISTUNGSCOMBINER
公开(公告)号：WO2017001598A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065380
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H01P5/18
CPC分类号： H01P5/16 , H01P1/18 , H01P5/187
摘要： Die Erfindung betrifft einen Leistungscombiner (10) mit einem Kühlkörper (40). Der Leistungscombiner (10) weist zumindest einen ersten elektrischen Leiter (14) und einen zweiten elektrischen Leiter (16) auf. Der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) sind insgesamt weitestgehend äquidistant von dem Kühlkörper (40) beabstandet. Hierzu können der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) abwechselnd nah bzw. fern zum Kühlkörper (40) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann der Kühlkörper (40) zwischen dem ersten elektrischen Leiter (14) und dem zweiten elektrischen Leiter (16) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich dazu können der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) weitestgehend in parallele Leiterstücke (14a, 14b, 16a, 16b) aufgeteilt sein, wobei die Leiterstücke (14a, 14b, 16a, 16b) so von dem Kühlkörper (40) beabstandet sind, dass der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) insgesamt weitestgehend gleich weit vom Kühlkörper (40) beabstandet sind.
摘要翻译：本发明涉及一种Leistungscombiner（10），具有热沉（40）。所述Leistungscombiner（10）具有至少一个第一电导体（14）和第二电导体（16）。第一电导体（14）和第二电导体（16）是从散热片（40）基本上等距离隔开的一个整体。为了这个目的，第一电导体（14）和第二电导体（16）可被布置交替接近或者远离所述热沉（40）上。或者或另外，所述第一电导体（14）和第二电导体（16）之间的冷却体（40）可以被布置。可选择地或另外，所述第一电导体（14）和第二电导体（16）尽可能平行导体片（14A，14B，16A，16B）进行划分，其中，所述导体部分（14A，14B，16A，16B），这样的所述热沉（40）间隔开，使得所述第一电导体（14）和第二电导体（16）从所述散热片（40）等距被尽可能在总间隔开。

2. 发明申请

WO2017001596A1 RICHTKOPPLER 审中-公开
标题翻译：定向耦合器
公开(公告)号：WO2017001596A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065378
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , SCHWERG, Nikolai , WANGLER, Christian
IPC分类号： H01P5/18
CPC分类号： H01P5/184 , H01P5/185 , H05K1/0237 , H05K2201/09227
摘要： Ein Richtkoppler (1), der zumindest teilweise in einer insbesondere mehrlagigen Leiterkarte (2) ausgebildet ist, mit einer Hauptleitung (3) zur Übertragung einer Leistung und zumindest einer Nebenleitung (6, 7), die in einem Kopplungsbereich mit einem Kopplungsabschnitt (4, 5) parallel und beabstandet zur Hauptleitung (3) angeordnet ist, wobei im Kopplungsbereich die Hauptleitung (3) und/oder die zumindest eine Nebenleitung (6, 7) im Inneren der Leiterkarte (2) angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass m erste Zusatzkoppelleitungen (12 - 15), m ≥ 1, vorgesehen sind, die einen Kopplungsabschnitt (8 – 11) aufweisen, der parallel und beabstandet zum Kopplungsabschnitt (4, 5) der zumindest einen Nebenleitung (6, 7) verläuft, wobei die ersten Zusatzkoppelleitungen (12 – 15) einen Anschluss (16 – 19) aufweisen, der an der Außenseite der Leiterkarte (2) angeordnet ist zur Verbindung mit Masse oder einer externen Beschaltung.
摘要翻译：一种定向耦合器（1）至少在一个特定的多层电路卡（2）部分地与主线路（3）形成用于发射功率和至少一个次级线（6,7）与连接部（4的耦合部分提供， 5）平行和间隔开的从所述主干线（3）被布置，其中，所述主线路（3）和/或所述至少一个次级线（6,7）被布置在所述耦合区域内的印刷电路板（2）的内部，其特征在于，m个第一附加耦合线（12-15）中，m≥1，条件是一个耦合部分（8-11），其平行并从连结部（4，5）的至少一个次级线（6,7），其中，所述第一辅助耦合线隔开（12-15），其被布置在电路卡（2）的外侧上，用于连接到地面或外部电路的连接（16-19）。

3. 发明申请

WO2017001594A1 HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：高频放大器安排
公开(公告)号：WO2017001594A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065376
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H03F3/193 , H01J37/32 , H03F3/30
CPC分类号： H01J37/32174 , H03F3/193 , H03F3/3001 , H03F2200/451
摘要： Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfasst: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (3) (Package) angeordnet sind, b. eine Leiterkarte (2), die flächig an einer metallischen Kühlplatte (25) anliegt und über mehrere Masseverbindungen (8, 19, 21, 24) mit der mit Masse (26) verbindbaren Kühlplatte (25) verbunden ist, wobei die Baugruppe (3) auf oder an der Leiterkarte (2) angeordnet ist, c. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, d. einen Signalübertrager (10), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (14) mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (S1) verbunden ist und mit einem zweiten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (16) mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, wobei jeder Gatenanschluss (15, 17) über zumindest eine spannungsbegrenzende Bauelementanordnung (18, 20, 18', 20') mit Masse (19, 21) verbunden ist.
摘要翻译：其适于产生输出在频率≥2兆赫等离子体激发≥1千瓦，包括高频放大器装置（1）：一。 2个LDMOS晶体管（S1，S2），其具有分别连接到接地连接点（5）它们的源极端子，所述LDMOS晶体管（S1，S2）具有相同的设计和模块（3）中（封装）被布置，湾的印刷电路卡（2），其位于平贴的金属散热板（25）和若干接地连接（8，19，21，24）连接到所述地面（26）的冷却板（25），所述组件（3）被布置在或在印刷电路板（2）中，c。（6）到LDMOS晶体管（S1，S2），D的漏极端子被连接到一个电源变压器（7），其初级绕组。具有通过一个或多个电阻元件（14）的LDMOS晶体管（S1）的栅极端子（15）的第一端的信号变压器（10），其次级绕组（13）通过一个或多个电阻连接到第二端连接的元件（16）连接到其他LDMOS晶体管的栅极端子（17）（S2），通过至少一个限制电压的部件组件（18，20，18”，20' ）到地每一个栅极端子（15，17）（19， 21）。

4. 发明申请

WO2017001599A1 NICHT LINEARE HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：非线性高频放大器安排
公开(公告)号：WO2017001599A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065382
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H03F3/193 , H01J37/32 , H03F3/217 , H03F3/30
CPC分类号： H03F1/523 , H01J37/32174 , H01L23/66 , H01L27/0629 , H01L29/7816 , H01L2223/6616 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/2176 , H03F3/3001 , H03F2200/451
摘要： Eine nicht lineare Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 1MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfassend: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (Package) (3) angeordnet sind, b. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, c. einen Signalübertrager (11), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (Sl) verbunden ist und mit einem zweiten Ende mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, d. jeweils einen Rückkoppelpfad (34, 35) von dem Drainanschluss zu dem Gateanschluss (15, 17) jedes LDMOS-Transistors (S1, S2).
摘要翻译：其适于产生输出在频率≥1兆赫等离子体激发≥1千瓦，包含非线性高频放大器装置（1）：一。 2个LDMOS晶体管（S1，S2），其具有分别连接到接地连接点（5）它们的源极端子，所述LDMOS晶体管（S1，S2）是在一个包（package）（3）被布置的相同的设计，并且湾电力变压器（7），其初级绕组（6）连接到LDMOS晶体管（S1，S2）的漏极端被连接，C。具有第一端部连接到LDMOS晶体管（S1）的栅极端子（15）的信号变压器（11），其次级绕组（13）连接并具有第二端连接至另一个LDMOS晶体管的栅极端子（17）（S2）连接峰，d。每一个都具有从漏极端子到每个LDMOS晶体管（S1，S2）的栅极端子（15，17）的反馈路径（34，35）。

5. 发明申请

WO2017001595A1 LEISTUNGSCOMBINER ZUR KOPPLUNG VON HOCHFREQUENZSIGNALEN UND LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG MIT EINEM SOLCHEN LEISTUNGSCOMBINER 审中-公开
标题翻译： LEISTUNGSCOMBINER用于连接高频信号和LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG这样的LEISTUNGSCOMBINER
公开(公告)号：WO2017001595A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065377
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H01P5/16 , H03H7/48
CPC分类号： H01P5/16 , H03H7/48 , H03H2001/0085
摘要： Die Erfindung betrifft einen Leistungscombiner (12) in Form eines ausbalancierten LC-Combiners. Eingänge (14a, b) des Leistungscombiners (12) sind jeweils über zumindest ein RC-5 Anpassungsglied (28) voneinander isoliert. Das zumindest eine RC-Anpassungsglied (28) ist vorzugsweise so dimensioniert, dass die Verbindung zwischen den Eingängen (14a, b) beim Betrieb des Leistungscombiners (12) an zumindest einer Stelle auf einem stabilen Potential liegt. Der Leistungscombiner (12) ist weiter bevorzugt in planarer Bauweise ausgebildet und weist parallel zueinander verlaufende elektrisch leitfähige Lagen auf. In den elektrisch leitfähigen Lagen sind vorzugsweise zumindest Induktivitäten (24a, b) und ein Combinerkondensator (26) ausgebildet. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Leistungscombineranordnung (10) mit einem zuvor beschriebenen Leistungscombiner (12) und an zumindest zwei Eingängen (14a, b) angeschlossenen Hochfrequenzsignalquellen (16a, b), die bevorzugt in Form frequenzagiler Transistorverstärker ausgebildet sind.
摘要翻译：本发明涉及一种在平衡LC组合形式的Leistungscombiner（12）。所述功率合成器（12）的输入端（14A，B）分别通过彼此分离的至少一个RC-5调整构件（28）相连接。所述至少一个RC-调整构件（28）的尺寸优选使得输入端之间的连接（14A，B）在至少位于稳定的电位的位置处的功率组合器（12）的操作期间。进一步优选地形成于平面结构的Leistungscombiner（12），并相互平行的上导电层。在导电层中，至少电感器（24A，B）和Combinerkondensator（26）优选地被形成。本发明还涉及一种Leistungscombineranordnung（10），具有先前描述的Leistungscombiner（12）和至少两个输入端（14A，B），连接高频信号源（16A，B），其在频率捷变的晶体管放大器的形式是优选。

6. 发明申请

WO2017001602A1 HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：高频放大器安排
公开(公告)号：WO2017001602A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065385
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H03F3/193 , H01F27/28 , H01J37/32 , H03F3/30
CPC分类号： H03F1/301 , H01F27/2804 , H01F2027/2809 , H01F2027/2819 , H01J37/32174 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/3001 , H03F2200/451 , H05K1/0243 , H05K1/165 , H05K1/18 , H05K2201/10166
摘要： Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen >= 1 kW bei Frequenzen >= 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfassend : a. zwei Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Source- bzw. Emitteranschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und an einer mehrlagigen Leiterkarte (2) angeordnet sind, b. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drain- bzw. Kollektoranschlüsse der Transistoren (S1, S2) verbunden ist, c. die Primärwicklung (6) und die Sekundärwicklung (4) des Leistungsübertragers (7) jeweils als planare Leiterbahnen ausgeführt sind, die in unterschiedlichen oberen Lagen (61, 62) der mehrlagigen Leiterkarte (2) angeordnet sind.
摘要翻译：高频放大器装置（1），其适于输出功率> =，以产生在频率> = 2MHz的等离子体激励1千瓦，包括：a。它们被连接到它的源极或发射极端子的两个晶体管（S1，S2）分别连接到接地连接点（5），其中所述晶体管（S1，S2）具有相同的设计，并在多层印刷电路板（2）被布置，B。电力变压器（7），其初级绕组（6）与所述晶体管（S1，S2）的漏极或集电极端子连接，C。所述初级绕组（6）和所述次级绕组（4）的电力变压器（7）的每一个构造成的多层印刷电路卡，其被布置在不同的上层的平面导体条迹（61，62）的（2）。

7. 发明申请

WO2015091468A1 LEISTUNGSVERSORGUNGSSYSTEM MIT MEHREREN VERSTÄRKERPFADEN SOWIE VERFAHREN ZUR ANREGUNG EINES PLASMAS 审中-公开
标题翻译：与对刺激的多条路径放大器和方法等离子供电系统
公开(公告)号：WO2015091468A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/EP2014/077944
申请日：2014-12-16
申请人： TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
发明人： ALT, Alexander , GREDE, André , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082 , H01L29/4175 , H01L29/7835
摘要： Ein Leistungsversorgungssystem (2, 20) mit einem ein Hochfrequenzleistungssignal erzeugenden Leistungswandler (3, 30), der zur Versorgung eines Plasma- oder Gaslaserprozesses mit Leistung mit einer Last (6) verbindbar ist, wobei der Leistungswandler (3, 30) zumindest eine Verstärkerstufe (40) mit einem ersten und einem zweiten jeweils einen Verstärker (42a, 43a) aufweisenden Verstärkerpfad (42, 43) aufweist, wobei der erste Verstärkerpfad (42) an seinem Ausgang ein erstes Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt und der zweite Verstärkerpfad (43) an seinem Ausgang ein zweites Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt, das eine gegenüber dem ersten Verstärkerpfadausgangssignal verschobene Phase aufweist, die ungleich, insbesondere größer, 0° und ungleich, insbesondere kleiner, 180° ist, wobei die Verstärkerpfade (42, 43) mit einer phasenlagenschiebenden Kopplereinheit (47) verbunden sind, die die Ausgangssignale der Verstärkerpfade (42, 43) zu einem Hochfrequenzleistungssignal koppelt, ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Verstärker (43a, 43a) einen Feldeffekt- Transistor (60, T1, T2) aufweist, der in einem Halbleiterbaustein (61) realisiert ist, dessen Halbleiterstruktur überwiegend schichtweise aufgebaut ist, insbesondere in einem planaren Halbleiterbaustein realisiert ist, der einen Kanal (71) aufweist, wobei der Stromfluss im Kanal (71) überwiegend in laterale Richtung, d.h. im Wesentlichen parallel zu den Schichten der Halbleiterstruktur, erfolgt.
摘要翻译：一种电源系统（2，20）产生的高频功率信号功率转换器（3,30），其可连接到带电源的等离子体或气体激光处理的供给到负载（6），其中所述功率转换器（3，30）的至少一个放大器级（ 40）（其具有第一和在每种情况下的第二放大器42A，43A），其具有放大器路径（42，43），其中，所述第一放大器路径（42）在其输出处输出在其输出端的第一放大器路径的输出信号和所述第二放大器路径（43）输出具有相对于第一放大器路径的输出信号的第二放大器路径的输出信号移相，这是不相等的，尤其是大于0°并且不等于，特别是小于180°时，所述放大器的路径（42，43）被连接到一个相移耦合器（47），放大器路径（42，43）的输出信号输出到高频功率信号LD 毛皮，其特征在于，其中在一个半导体器件（61），其半导体结构主要建立在层中实现一个场效应晶体管（60，T1，T2）中的至少一个放大器（43A，43A），特别是在一个平面半导体器件被实现，其具有通道（71），其中在所述通道中的电流流动（71）主要在横向方向上，即基本上与半导体结构的层，在平行。

8. 发明授权

EP3317915B1 LEISTUNGSCOMBINER ZUR KOPPLUNG VON HOCHFREQUENZSIGNALEN UND LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG MIT EINEM SOLCHEN LEISTUNGSCOMBINER 有权
公开(公告)号：EP3317915B1
公开(公告)日：2020-08-05
申请号：EP16740971.3
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H01P5/16 , H03H7/48

9. 发明公开

EP3317917A1 LEISTUNGSCOMBINER MIT SYMMETRISCH ANGEORDNETEM KÜHLKÖRPER UND LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：对称配置的冷却器和动力联合器总成的性能组合器
公开(公告)号：EP3317917A1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：EP16740973.9
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H01P5/18
CPC分类号： H01P5/16 , H01P1/18 , H01P5/187
摘要： The invention relates to a power combiner (10) comprising a cooling body (40). The power combiner (10) hast at least one first electrical conductor (14) and one second electrical conductor (16). The first electrical conductor (14) and the second electrical conductor (16) are generally mostly arranged equidistant from the cooling body (40). In addition, the first electrical conductor (14) and the second electrical conductor (16) can be arranged alternatingly near or at a distance from the cooling body (40). Alternatively or in addition, the cooling body (40) can be arranged between the first electrical conductor (14) and the second electrical conductor (16). Alternatively or in addition, the first electrical conductor (14) and the second electrical conductor (16) can be divided mostly into parallel conductor parts (14a, 14b, 16a, 16b), wherein the conductor parts (14a, 14b, 16a, 16b) are distanced from the cooling body (40) in such a way that the first electrical conductor (14) and the second electrical conductor (16) are generally mostly at equal distance from the cooling body (40).

10. 发明公开

EP3317966A1 HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG 有权
公开(公告)号：EP3317966A1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：EP16740974.7
申请日：2016-06-30
申请人： TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
IPC分类号： H03F3/193 , H01F27/28 , H01J37/32 , H03F3/30
CPC分类号： H03F1/301 , H01F27/2804 , H01F2027/2809 , H01F2027/2819 , H01J37/32174 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/3001 , H03F2200/451 , H05K1/0243 , H05K1/165 , H05K1/18 , H05K2201/10166
摘要： A high-frequency amplifier arrangement (1) which is suitable for producing output powers of >= 1 kW at frequencies of >= 2 MHz for plasma excitation, comprising: a. two transistors (S1, S2), the source and emitter connections of which are each connected to an earth connection point (5), wherein the transistors (S1, S2) have an identical design and are arranged on a multilayer printed circuit board (2), b. a power transformer (7), the primary winding (6) of which is connected to the drain and collector connections of the transistors (S1, S2), c. the primary winding (6) and the secondary winding (4) of the power transformer (7) are each in the form of planar conductor tracks which are arranged in different upper layers (61, 62) of the multilayer printed circuit board (2).

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