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61. 发明申请

WO2003049243A2 LASER UNIPOLAIRE A CASCADE QUANTIQUE DE PUISSAMCE A COURANT DE SEUIL REDUIT 审中-公开
标题翻译：具有降低电流阈值的UNIPOLAR QUANTUM CASCADE电源激光器
公开(公告)号：WO2003049243A2
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/FR2002/004218
申请日：2002-12-06
申请人： THALES , COLLOT, Philippe , SIRTORI, Carlo
发明人： COLLOT, Philippe , SIRTORI, Carlo
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/20 , H01S5/2036 , H01S5/2063 , H01S5/2215 , H01S5/223 , H01S5/2232 , H01S5/2275 , H01S5/3402
摘要： Le laser QCL de l'invention comporte une zone (13) dans laquelle est confinée l'injection électrique dans le ruban laser. Cette zone est nettement moins large que le ruban. On peut ainsi réduire le courant de seuil d'un acteur égal à environ 2, et faire fonctionner le laser à une température d'environ 200 K avec un simple refroidisseur thermoélectrique.
摘要翻译：本发明涉及一种包括区域（13）的量子级联激光器，其中限制了电注入激光条纹。所述区域比条纹宽得多。因此，阈值电流可以降低约2倍，并且通过简单的热电冷却器在大约200K的温度下操作激光器。

62. 发明申请

WO02052312A1 OPTICALLY ACTIVE WAVEGUIDE DEVICE COMPRISING A CHANNEL ON AN OPTICAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在光学基板上包含通道的光学有源波长装置
公开(公告)号：WO02052312A1
公开(公告)日：2002-07-04
申请号：PCT/FR2001/004204
申请日：2001-12-21
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/134 , G02B6/30 , G02F1/01 , H01S5/20 , H01S5/223 , H01S5/50 , G02F1/313 , H01S3/063
CPC分类号： G02F1/011 , G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B6/30 , G02B2006/1208 , G02B2006/121 , G02B2006/12142 , G02F1/0147 , G02F2001/0113 , H01S5/204 , H01S5/223 , H01S5/50
摘要： The invention concerns an optically active device comprising an optical waveguide core on an optical substrate (11, 15, 20) and a control element (32-33, 37, 40). The core comprises a channel (12, 17, 25, 35-36, 38-39) and at least an active layer (13, 18, 22) arranged on said channel, the refractive index of the channel and that of the active layer being higher than that of the substrate. The optical substrate (11, 15, 20) has a mobile ion concentration less than 0.01 %. Advantageously, the device further comprises a covering layer (14, 19, 23) arranged on the active layer (13, 18, 22), the index of said covering layer being less than that of the active layer and of the channel. The invention also concerns a method for making said device.
摘要翻译：本发明涉及一种光学器件，其包括在光学衬底（11,15,20）和控制元件（32-33,37,40）上的光波导芯。芯包括通道（12,17,25,35-36,38-39）和布置在所述通道上的至少一个有源层（13,18,22），通道的折射率和有源层的折射率高于基材。光学基板（11,15,20）的移动离子浓度小于0.01％。有利地，该装置还包括布置在有源层（13,18,22）上的覆盖层（14,19,23），所述覆盖层的索引小于有源层和沟道的索引。本发明还涉及制造所述装置的方法。

63. 发明申请

WO0163709A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT FOR THE EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：半导体部件的电磁辐射，为发射和方法及其
公开(公告)号：WO0163709A3
公开(公告)日：2002-03-14
申请号：PCT/DE0100706
申请日：2001-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , LUFT JOHANN , HAERLE VOLKER , HAHN BERTHOLD
发明人： LELL ALFRED , LUFT JOHANN , HAERLE VOLKER , HAHN BERTHOLD
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/2232 , H01S5/2063 , H01S5/2205 , H01S5/2215 , H01S5/2216 , H01S5/223 , H01S5/32341
摘要： According to the invention, a semiconductor component is produced for the emission of electromagnetic radiation, in particular, light, which is characterised by comprising an active layer for production of radiation, a p contact, electrically connected to the active layer, an n contact, electrically connected to the active layer and a current limiting structure for the definition of a current path, whereby the current limiting structure is provided between the n contact and the active layer.
摘要翻译：根据本发明，用于电磁辐射的发射的半导体器件，特别是光，提供了具有以下特征; 用于产生辐射的有源层，其导电地连接到所述有源层的p接触，n接触，其导电地连接到所述有源层，以及用于限定的电流路径的电流限制结构，所述n个之间的电流限制结构 - 接触并且被设置在活性层。

64. 发明申请

WO02019483A2 METHOD FOR INCREASING LASER MODULATION BANDWIDTH 审中-公开
标题翻译：增加激光调制带宽的方法
公开(公告)号：WO02019483A2
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：PCT/RU2001/000291
申请日：2001-07-16
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/2222
摘要： The inventive method relates to the regulation of the laser modulation bandwidth of injection lasers, in particular dynamic single-mode modulation lasers and single frequency lasers by modifying a doping of confining doped underlayers of a maximal optical confinement nearest to an active layer and by regulating a ratio between a P concentration of holes in the underlayer of the maximal optical confinement of the p-type conductivity from the p-type side and an N concentration of electrons in the underlayer of the maximal optical confinement from the n-type side (P/N ratio). The P concentration is chosen from a range between 4•10 cm and 1•10 cm , and the N concentration is chosen from a range between 2•10 cm and 2•10 cm , the P/N ratio being greater than one. In addition, the following conditions shall be fulfilled: a background impurity level is maintained between the confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to the active layer, including the active layer itself; edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement.
摘要翻译：本发明的方法涉及通过修改最接近有源层的最大光学约束的约束掺杂底层的掺杂，并通过调节一个或多个激光器的方法来调节注射激光器的激光调制带宽，特别是动态单模调制激光器和单频激光器来自p型侧的p型导电性的最大光学限制的底层中的P的空穴浓度与来自n型侧的最大光学限制的底层中的电子的N浓度之比（P / N比）。 P浓度选自4•10 17 cm -3和1•10 19 cm -3之间的范围，N浓度选自2•10 17 cm -3和2•10 18 cm -3，P / N比大于1。此外，应满足以下条件：在最接近活性层的最大光学约束的约束掺杂底层之间保持背景杂质水平，包括活性层本身; 异质结的p-i-n空间电荷的边缘被布置在最大光学限制的约束掺杂底层中。

65. 发明申请

WO1997011518A1 SEMICONDUCTOR MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体材料，半导体材料的制造方法和半导体器件
公开(公告)号：WO1997011518A1
公开(公告)日：1997-03-27
申请号：PCT/JP1996002663
申请日：1996-09-17
申请人： HITACHI, LTD. , TANAKA, Toshiaki , AOKI, Shigeru
发明人： HITACHI, LTD.
IPC分类号： H01S03/18
CPC分类号： H01L33/025 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02387 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01S5/0202 , H01S5/0205 , H01S5/0207 , H01S5/0208 , H01S5/0213 , H01S5/18319 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/1835 , H01S5/2077 , H01S5/223 , H01S5/227 , H01S5/2272 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/423 , H01S2304/12
摘要： An amorphous insulator (4) is formed on a substrate (1; 1, 2, 3) and has windows where the substrate (1; 1, 2, 3) is exposed. On the exposed parts (40) of the substrate and the insulator (4), a compound semiconductor (5, 51, 52) containing at least nitrogen as a constituent is formed to form a semiconductor material (1, 5, 51, 52). A semiconductor device is fabricated by processing the semiconductor material (1, 5, 51, and 52) or a semiconductor material (6 and 7) formed on the semiconductor material (1, 5, 51, and 52).
摘要翻译：非晶绝缘体（4）形成在衬底（1; 1,2,3）上并具有露出衬底（1; 1,2,3）的窗口。在衬底的暴露部分（40）和绝缘体（4）上，形成至少含有氮作为组分的化合物半导体（5,51,52）以形成半导体材料（1,5,51,52）。通过加工半导体材料（1,5,51和52）或形成在半导体材料（5,51,52）上的半导体材料（6和7）来制造半导体器件。

66. 发明申请

WO1993023877A1 III-V BASED INTEGRATED TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译： III-V基集成晶体管
公开(公告)号：WO1993023877A1
公开(公告)日：1993-11-25
申请号：PCT/US1993004383
申请日：1993-05-07
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , CHEN, Chang-Lee , MAHONEY, Leonard, J. , MANFRA, Michael, J. , SMITH, Frank, W. , CALAWA, Arthur, R.
IPC分类号： H01L29/10
CPC分类号： H01L29/66863 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L21/28587 , H01L21/8252 , H01L29/1075 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66924 , H01L29/8128 , H01L31/09 , H01L31/184 , H01L2924/0002 , H01S5/0208 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/223 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10S438/933 , Y10S438/971 , H01L2924/00
摘要： A new III-V buffer or passivation material is described which is produced by low temperature growth (LTG) of III-V compounds. The material has unique and desirable properties, particularly for closely spaced, submicron gate length active III-V semiconductor FET devices, such as HEMT's, MESFET's and MISFET's. The LTG material is grown under ambient conditions which incorporate an excess of the more volatile of the III-V species into the grown material. The new material is crystalline, highly resistive, relatively insensitive to light, and can be overgrown with high quality III-V active layers or used as a passivation material to insulate and protect active device structures.
摘要翻译：描述了通过III-V化合物的低温生长（LTG）产生的新的III-V缓冲液或钝化材料。该材料具有独特且理想的特性，特别是对于紧密间隔的亚微米栅极长度有源III-V半导体FET器件，如HEMT，MESFET和MISFET。 LTG材料在环境条件下生长，其中将过量的III-V族更易挥发的物质掺入生长的材料中。新材料是结晶的，高度电阻的，对光相对不敏感，并且可以长满高质量的III-V有源层或用作钝化材料以绝缘并保护有源器件结构。

67. 发明申请

WO2015158759A1 TUNABLE EMITTING DEVICE WITH A DIRECTLY MODULATED LASER COUPLED TO A RING RESONATOR 审中-公开
标题翻译：具有连接到环形谐振器的直接调制激光的可控发光装置
公开(公告)号：WO2015158759A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/EP2015/058142
申请日：2015-04-15
申请人： ALCATEL LUCENT
发明人： CHIMOT, Nicolas , LELARGE, François , JOSHI, Siddharth
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/1025 , H01S5/005 , H01S5/026 , H01S5/0612 , H01S5/06251 , H01S5/06255 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/12 , H01S5/223 , H01S5/3054 , H01S5/34
摘要： An emitting device (1) is intended for delivering photons with a chosen wavelength. This emitting device (1) comprises an InP substrate (2) with a directly modulated laser (3) arranged for generating photons modulated by a non-return-to-zero modulation to produce data to be transmitted, a passive ring resonator (4) monolithically integrated with the directly modulated laser (3) and having a resonance amongst several ones that is used for filtering a zero level induced by the data modulation, and a tuning means (5) arranged along the directly modulated laser (3) and/or around the ring resonator (4) to tune the photon wavelength and/or the ring resonator resonance used for filtering.
摘要翻译：发射装置（1）用于传送具有选定波长的光子。该发光器件（1）包括具有直接调制的激光器（3）的InP衬底（2），其被布置用于产生通过不归零调制而调制的光子以产生要传输的数据;无源环形谐振器（4）与直接调制的激光器（3）单片集成并且在用于滤波由数据调制引起的零电平的几个之间具有谐振;以及沿着直接调制的激光器（3）和/或围绕环形谐振器（4）以调谐用于滤波的光子波长和/或环形谐振器谐振器。

68. 发明申请

WO2012125229A3 HIGH-POWER QUANTUM CASCADE LASERS WITH ACTIVE-PHOTONIC-CRYSTAL STRUCTURE FOR SINGLE, IN-PHASE MODE OPERATION 审中-公开
标题翻译：具有主动 - 光子晶体结构的大功率量子级激光器，用于单相，相模式操作
公开(公告)号：WO2012125229A3
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/US2012023074
申请日：2012-01-30
申请人： WISCONSIN ALUMNI RES FOUND , BOTEZ DAN , KIRCH JEREMY D
发明人： BOTEZ DAN , KIRCH JEREMY D
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/20 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/2218 , H01S5/223 , H01S5/4031 , H01S2301/166
摘要： Semiconductor laser array devices capable of emitting mid- to long-wavelength infrared (i.e., 4-12 µm) radiation are provided. The devices include a quantum cascade laser (QCL) structure comprising one or more active cores; an optical confinement structure; a cladding structure, and a plurality of laterally-spaced trench regions extending transversely through the cladding and optical confinement structures, and partially into the QCL structure. The trench regions define a plurality of laterally-spaced interelement regions separated by element regions in the laser array device. The element regions are characterized by a nonuniform structure across their widths. As a result of this structural non-uniformity, array modes composed of coupled first-order lateral modes of the element regions are preferentially suppressed relative to array modes composed of coupled fundamental lateral modes of the element regions.
摘要翻译：提供能够发射中长波长红外（即4-12μm）辐射的半导体激光阵列器件。这些装置包括包含一个或多个活性核心的量子级联激光器（QCL）结构; 光学限制结构; 包层结构，以及横向延伸穿过包层和光限制结构的多个横向间隔开的沟槽区域，并且部分地延伸到QCL结构中。沟槽区域限定由激光器阵列器件中的元件区域分开的多个横向间隔的元件区域。元件区域的特征在于其宽度上的不均匀结构。作为这种结构不均匀的结果，相对于由元件区域的耦合的基本横向模式组成的阵列模式，优选地抑制由元件区域的耦合的一阶横向模式组成的阵列模式。

69. 发明申请

WO2012125229A2 HIGH-POWER QUANTUM CASCADE LASERS WITH ACTIVE-PHOTONIC-CRYSTAL STRUCTURE FOR SINGLE, IN-PHASE MODE OPERATION 审中-公开
标题翻译：具有主动 - 光子晶体结构的大功率量子级激光器，用于单相，相模式操作
公开(公告)号：WO2012125229A2
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/US2012/023074
申请日：2012-01-30
申请人： WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION , BOTEZ, Dan , KIRCH, Jeremy D.
发明人： BOTEZ, Dan , KIRCH, Jeremy D.
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/34 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/2218 , H01S5/223 , H01S5/4031 , H01S2301/166
摘要： Semiconductor laser array devices capable of emitting mid- to long-wavelength infrared (i.e., 4-12 µm) radiation are provided. The devices include a quantum cascade laser (QCL) structure comprising one or more active cores; an optical confinement structure; a cladding structure, and a plurality of laterally-spaced trench regions extending transversely through the cladding and optical confinement structures, and partially into the QCL structure. The trench regions define a plurality of laterally-spaced interelement regions separated by element regions in the laser array device. The element regions are characterized by a nonuniform structure across their widths. As a result of this structural non-uniformity, array modes composed of coupled first-order lateral modes of the element regions are preferentially suppressed relative to array modes composed of coupled fundamental lateral modes of the element regions.
摘要翻译：提供能够发射中长波长红外线（即4-12μm）辐射的半导体激光器阵列器件。这些装置包括包含一个或多个活性核心的量子级联激光器（QCL）结构; 光学限制结构; 包层结构，以及横向延伸穿过包层和光限制结构的多个横向间隔开的沟槽区域，并且部分地延伸到QCL结构中。沟槽区域限定由激光器阵列器件中的元件区域分开的多个横向间隔的元件区域。元件区域的特征在于其宽度上的不均匀结构。作为这种结构不均匀的结果，相对于由元件区域的耦合的基本横向模式组成的阵列模式，优选地抑制由元件区域的耦合的一阶横向模式组成的阵列模式。

70. 发明申请

WO2009141933A1 窒化物半導体レーザ审中-公开
标题翻译：氮化物半导体激光器
公开(公告)号：WO2009141933A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/000216
申请日：2009-01-21
申请人：パナソニック株式会社 , 瀧澤俊幸 , 上田哲三
发明人：瀧澤俊幸 , 上田哲三
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0207 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1053 , H01S5/1057 , H01S5/106 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/223 , H01S5/2238 , H01S5/3213 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：　下地基板上に凹凸構造を設け、その上に窒化物半導体レーザの層構造を作製する。活性層に用いられるＩｎＧａＮは、面方位に対してＩｎ取り込み効率や成長速度が大幅に変化する。この特性を利用することにより、一回の結晶成長によって光出射端面に低Ｉｎ組成かつ井戸層厚の薄い活性層構造を作り込むことができるため、光出射端面近傍の活性層遷移波長を短波長化することができる。その結果、光出射端面における光吸収による光学損傷を大幅に低減することができるため、高光出力動作が可能な窒化物半導体レーザを実現することができる。
摘要翻译：在基底基板上形成凹凸结构，在凹凸结构上制作氮化物半导体激光器的多层结构体。用于有源层的InGaN具有相对于平面方向变化很大的In导入效率和生长速度。通过使用该特性，可以通过一次晶体生长在光输出端面上制造具有低In组成和薄阱层的有源层结构，由此在光输出端面附近的有源层的跃迁波长可以缩短。因此，光输出端面的光吸收引起的光学损伤可以显着地降低，从而可以实现具有高光输出的氮化物半导体激光器。

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