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61. 发明公开

KR1020170102437A 고전압 생성 회로 审中-实审
标题翻译：高压发生电路
公开(公告)号：KR1020170102437A
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020170026294
申请日：2017-02-28
申请人： 에스엠시 가부시키가이샤
发明人： 나오토사사다 , 토모카즈하리야 , 타카유키토시다
IPC分类号： H05F3/04 , H01T19/04 , H01T23/00
CPC分类号： H02M7/06 , H01J37/08 , H01J37/248 , H02M1/088 , H02M7/103 , H02M2001/0048 , Y02B70/1491
摘要： 고전압생성회로 (10)는 AC 전원 (12), 양의극성고전압생성회로 (14), 및음의극성고전압생성회로 (16)가구비된다. AC 전원 (12)로부터공급된 AC전압의위상을변환시키는위상컨버터 (18)가 AC 전원 (12)과양의극성고전압생성회로 (14) 사이에, 또는 AC 전원 (12)과음의극성고전압생성회로 (16) 사이에배치된다.
摘要翻译：高电压发生电路10具备交流电源12，正极性高电压发生电路14以及极性高电压发生电路16。在交流高压产生电路14和交流高压产生电路14之间连接用于转换从交流电源12提供的交流电压的相位的相位转换器18， 16设置之间。

62. 发明公开

KR1020140118685A 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조 审中-实审
标题翻译：用于离子植入装置的高压电极的绝缘结构
公开(公告)号：KR1020140118685A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130159400
申请日：2013-12-19
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 사토마사테루 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/248
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/248 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2237/038 , H01J2237/08
摘要： An insulation structure of high voltage electrodes appropriate for an ion implantation device is provided. The insulation structure of high voltage electrodes includes: an insulator (126) having an exposed surface (128); and a conductor portion (130), which includes a joint region (138) in contact with the insulator (126), and a heat-resistant portion (150) provided, along at least part of an edge (142) of the joint region (138), in such a manner as to be adjacent to the exposed surface (128) of the insulator (126). The heat-resistant portion (150) is formed of an electrically conductive material whose melting point is higher than that of the conductor portion (130). The heat-resistant portion (150) may be located at a distance from the exposed surface (128) of the insulator (126).
摘要翻译：提供适用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构。高压电极的绝缘结构包括：具有暴露表面（128）的绝缘体（126）; 以及包括与所述绝缘体（126）接触的接合区域（138）的导体部分（130）和沿所述接合区域的边缘（142）的至少一部分设置的耐热部分（150）（138），以与绝缘体（126）的暴露表面（128）相邻的方式。耐热部分（150）由熔点高于导体部分（130）的导电材料形成。耐热部分（150）可以位于离绝缘体（126）的暴露表面（128）一定距离处。

63. 发明申请

WO2014055417A1 REDUCING GLITCHING IN AN ION IMPLANTER 审中-公开
标题翻译：减少离子植入物中的玻璃
公开(公告)号：WO2014055417A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/US2013/062642
申请日：2013-09-30
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： LEVAY, William, T. , GAMMEL, George, M. , KOO, Bon-Woong , BINNS, Brant, S. , WHITE, Richard, M.
IPC分类号： H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
摘要： Methods of reducing glitch rates within an ion implanter are described. In one embodiment, a plasma-assisted conditioning is performed, wherein the bias voltage to the extraction electrodes is modified so as to inhibit the formation of an ion beam. The power supplied to the plasma generator in the ion source is increased, thereby creating a high density plasma, which is not extracted by the extraction electrodes. This plasma extends from the ion source chamber through the extraction aperture. Energetic ions then condition the extraction electrodes. In another embodiment, a plasma-assisted cleaning is performed. In this mode, the extraction electrodes are moved further from the ion source chamber, and a different source gas is used to create the plasma. In some embodiments, a combination of these modes is used to reduce glitches in the ion implanter.
摘要翻译：描述了降低离子注入机内毛刺率的方法。在一个实施例中，执行等离子体辅助调理，其中对提取电极的偏压被修改以便抑制离子束的形成。提供给离子源中的等离子体发生器的功率增加，从而产生不被提取电极提取的高密度等离子体。该等离子体从离子源室延伸穿过提取孔。能量离子然后调节萃取电极。在另一个实施例中，执行等离子体辅助清洁。在该模式中，提取电极进一步从离子源室移动，并且使用不同的源气体来产生等离子体。在一些实施例中，使用这些模式的组合来减少离子注入机中的毛刺。

64. 发明申请

WO2013187155A1 荷電粒子ビーム発生装置、荷電粒子線装置、高電圧発生装置、および高電位装置审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束发生装置，充电颗粒光束装置，高电压发生装置和高电位装置
公开(公告)号：WO2013187155A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/JP2013/062896
申请日：2013-05-08
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：大西　崇 , 渡辺　俊一 , 金田　実
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/067 , H01J37/16
CPC分类号： H01J37/04 , H01J27/024 , H01J29/485 , H01J37/026 , H01J37/067 , H01J37/073 , H01J37/16 , H01J37/241 , H01J37/248 , H01J2237/16
摘要：　本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、荷電粒子源と、荷電粒子源からの荷電粒子の照射方向に沿って配置された複数の第１の電極と、第１の電極間に配置された複数の絶縁部材と、複数の第１の電極の周囲に設けられたハウジングとを備える。ハウジングが、絶縁性の固体材料で形成され、ハウジングが、複数の第１の電極に対して近接した位置に配置された複数の第２の電極を備える。複数の第２の電極の少なくとも１つが、複数の第１の電極の少なくとも１つに電気的に接続されて、複数の第２の電極の各々が、近接する第１の電極の電位と同じ電位になる。
摘要翻译：该带电粒子束产生装置具有：带电粒子源; 多个第一电极，其沿带电粒子从带电粒子源辐射的方向设置; 设置在所述第一电极中的多个绝缘构件; 以及设置成围绕第一电极的壳体。壳体由绝缘固态材料形成，并且壳体设置有多个第二电极，其设置在靠近第一电极的位置。第二电极中的至少一个电连接到第一电极中的至少一个，并且每个第二电极的电位变得等于靠近第一电极的电位。

65. 发明申请

WO2013148410A2 COMPACT, CONFIGURABLE POWER SUPPLY FOR ENERGIZING OZONE-PRODUCING CELLS 审中-公开
标题翻译：紧凑，可配置的电源，用于激活臭氧生产细胞
公开(公告)号：WO2013148410A2
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/US2013/032920
申请日：2013-03-19
申请人： MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人： TRAN, Ken , TIAN, Feng , CHEN, Xing , LEE, Franklin
IPC分类号： C01B13/11
CPC分类号： H01J37/248 , C01B13/115 , C01B2201/90
摘要： Improvements in the supply of high-frequency electrical power to ozone-producing cells can be accomplished using the systems and techniques described herein. Application of a DC-DC converter operating at a switching frequency substantially greater than a load frequency, supports generation of a high- voltage AC for powering such cells, while allowing for reductions in component size and reductions in a quality factor of a load tuning circuit. Controllable power inverters used in obtaining one or more of the switching and load frequencies can be controlled using feedback techniques to provide stable, high-quality power to ozone-producing cells under variations in one or more of externally supplied power and load conditions. An inrush protection circuit can also be provided to selectively introduce a current-limiting resistance until an input DC bus has been sufficiently initialized as determined by measurements obtained from the DC bus. The current limiting resistance can be a positive-temperature coefficient thermistor.
摘要翻译：利用本文所述的系统和技术可以改善向臭氧生产电池供应高频电力。以基本上大于负载频率的开关频率工作的DC-DC转换器的应用支持产生用于为这种电池供电的高压AC，同时允许减小元件尺寸并降低负载调谐电路的品质因数。用于获得一个或多个开关频率和负载频率的可控功率逆变器可以使用反馈技术来控制，以在外部供电和负载条件中的一个或多个的变化下向臭氧生产单元提供稳定的高质量功率。浪涌保护电路也可以被提供以选择性地引入限流电阻，直到输入DC总线已经被充分初始化，如由从DC总线获得的测量所确定的。限流电阻可以是正温度系数热敏电阻。

66. 发明申请

WO2012003327A1 GLITCH CONTROL DURING IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：植入过程中的控制
公开(公告)号：WO2012003327A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/US2011/042610
申请日：2011-06-30
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. , LUBICKI, Piotr , KOO, Bon, Woong
发明人： LUBICKI, Piotr , KOO, Bon, Woong
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/24 , H01J37/248
CPC分类号： H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535
摘要： An ion implantation system (200) and method are disclosed in which glitches in voltage are minimised by modifications to the power system of the implanter. These power supply modifications include faster response time, output filtering, improved glitch detect ion and removal of voltage blanking. By minimizing glitches, it is possible to produce solar cells with acceptable dose uniformity without having to pause the scan each time a voltage glitch is detected. For example, by shortening the duration of a voltage to about 20-4:0 milliseconds, dose uniformity within about 3% can be maintained.
摘要翻译：公开了一种离子注入系统（200）和方法，其中通过对注入机的动力系统的修改来最小化电压中的毛刺。这些电源修改包括更快的响应时间，输出滤波，改进的毛刺检测离子和消除电压消隐。通过最小化毛刺，可以在每次检测到电压毛刺时不必暂停扫描，生产具有可接受的剂量均匀性的太阳能电池。例如，通过将电压的持续时间缩短到约20-4:0毫秒，可以保持在约3％内的剂量均匀性。

67. 发明申请

WO2008121547A3 ION ACCELERATION COLUMN CONNECTION MECHANISM WITH INTEGRATED SHIELDING ELECTRODE AND RELATED METHODS 审中-公开
标题翻译：具有集成屏蔽电极的离子加速管连接机构及相关方法
公开(公告)号：WO2008121547A3
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/US2008057317
申请日：2008-03-18
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT , TEKLETSADIK KASEGN D
发明人： TEKLETSADIK KASEGN D
IPC分类号： H01J37/24 , H01B17/42 , H01J5/46 , H01J37/317 , H01R13/53
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J5/46 , H01J37/248 , H01R13/53
摘要： Ion accelerating devices including connection mechanisms with integrated shielding electrode and related methods are disclosed. According to an embodiment, an ion accelerating device of an ion implantation system comprises: a first element (102); a first connection system (120) within the first element, the first connection system including a first connector (124) and a first encapsulated shielding electrode (128) around the first connector and a second connection system (122) within a second element (104) other than the first element, the second connection system being coupled to the first connector; wherein the first encapsulated shielding electrode includes a first shielding portion (132) adjacent to a first interface surface (134) of the first element where the second connection system interfaces with the first element, in a cross-sectional view, the first shielding portion being substantially U-shaped.
摘要翻译：公开了包括具有集成屏蔽电极的连接机构和相关方法的离子加速装置。根据实施例，离子注入系统的离子加速装置包括：第一元件（102）; 在第一元件内的第一连接系统（120），第一连接系统包括围绕第一连接器的第一连接器（124）和第一封装屏蔽电极（128）以及第二元件（104）内的第二连接系统（122）），所述第二连接系统耦合到所述第一连接器; 其中所述第一封装屏蔽电极包括与所述第一元件的第一接口表面（134）相邻的第一屏蔽部分（132），其中所述第二连接系统与所述第一元件接合，在横截面视图中，所述第一屏蔽部分为大致U形。

68. 发明申请

WO1993018538A1 ELECTRON BEAM GUN WITH GROUNDED SHIELD TO PREVENT ARC DOWN 审中-公开
标题翻译：电子束枪接地防护罩防止掉电
公开(公告)号：WO1993018538A1
公开(公告)日：1993-09-16
申请号：PCT/US1993001830
申请日：1993-02-26
申请人： HANKS, Charles, W.
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/241 , H01J37/248 , H01J2237/0203 , H01J2237/0206 , H01J2237/31
摘要： A grounded metallic shield (31) which comprises an electrode enclosing the filament leads (21, 22) and emitters (26, 27) of an e-Gun in a high vacuum chamber (11) of the type used in melting and casting metals and other materials and evaporation sources. The shield is spaced from the filament leads and emitters a distance in the order of the electron mean free path for the pressure uses within the high vacuum chamber. The structure and method of use thereof suppresses or eliminates arc-downs or glow discharges.

69. 发明申请

WO2017098573A1 高電圧電源装置および、荷電粒子ビーム装置审中-公开
标题翻译：高压电源装置和带电粒子束装置
公开(公告)号：WO2017098573A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/JP2015/084353
申请日：2015-12-08
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：西元　琢真 , 李　ウェン , 高橋　弘之 , 川野　源
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/248
摘要：高電圧電源装置において、隣接配置された電源回路等から外乱が流入した場合でも，低リップル化を実現できるようにする。高電圧電源装置を、駆動回路（３１）と、駆動回路（３１）の出力電圧を昇圧させるトランス（３２）と、トランス（３２）で昇圧させた電圧を更に昇圧させる昇圧回路（３３）と、トランス（３２）と昇圧回路（３３）とを覆うシールド（３５）と、昇圧回路（３３）から出力された高電圧をフィルタリングし平滑化して出力するフィルタ回路（３４）とを備えて構成し、複数のインピーダンス素子（３９１，３９２，３９３，３９４）をループ状に結線して構成したインピーダンスループ回路（３９）を更に備え、昇圧回路の接地点（３３０）とシールドの接地点（３５０）とフィルタ回路の接地点（３４０）とは、インピーダンスループ回路（３９）を介して接地されるように構成する。
摘要翻译：即使在高压电源装置中从相邻配置的电源电路等流入干扰的情况下，也能够实现低脉动。一种高压电源，驱动电路（31），变压器（32），用于提升所述驱动电路的输出电压（31），变压器的升压电路，其进一步增强通过用（32）（33）升压后的电压，覆盖变压器（32）和升压电路（33）的屏蔽（35），以及对从升压电路（33）输出的高电压进行滤波和平滑的滤波电路（34）还包括：通过连接（39）中的环形形状的多个阻抗元件（391392393394）的，升压电路的接地点和（330）所述屏蔽件的接地点和（350）滤波器构成的阻抗回路并且电路的接地点（340）通过阻抗回路电路（39）接地。

70. 发明申请

WO2016174921A1 荷電粒子線装置、設置方法审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束装置和安装方法
公开(公告)号：WO2016174921A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/JP2016/056694
申请日：2016-03-04
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：藪　修平 , 古賀　直人 , 赤津　光男 , 高平　功 , 富田　真一 , 能田　弘行 , 増田　藍
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/248
CPC分类号： H01J37/16 , H01J37/248 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/2813
摘要：小型ながら高性能で搬送も容易な荷電粒子線装置を提供する。　荷電粒子線装置（１００）は、着脱可能な本体ユニット（１５）と補助ユニット（１４）を備え、前記本体ユニット（１５）は荷電粒子線に関する機能部を収容し、前記補助ユニット（１４）は電源部（９）を収容する。
摘要翻译：提供了一种小型，高性能，易于运输的带电粒子束装置。带电粒子束装置（100）设置有可拆卸主体单元（15）和辅助单元（14），所述主体单元（15）容纳与带电粒子束相关的功能单元，并且所述辅助单元（14）电源单元（9）。

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