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1. 发明公开

KR1020150136006A 이온주입장치 审中-实审
标题翻译：离子植入装置
公开(公告)号：KR1020150136006A
公开(公告)日：2015-12-04
申请号：KR1020150065075
申请日：2015-05-11
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타히로시 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 야기타다카노리
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/1477 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/30483
摘要： 넓은범위에서사용할수 있는이온주입장치를제공한다. 이온주입장치는, 기준궤도(Z)를따라입사하는이온빔(B)에편향전계를작용시켜, 기준궤도(Z)와직교하는가로방향으로이온빔(B)을주사시키는주사전극장치(400)와, 주사전극장치(400)의하류에배치되어, 가로방향으로주사된이온빔(B)이통과하는개구부가형성되는하류전극장치(500)를포함하는주사유닛(1000)을구비한다. 주사전극장치(400)는, 기준궤도(Z)를사이에두고가로방향으로대향하여설치되는한 쌍의주사전극(410R, 410L)을가진다. 하류전극장치(500)의개구부는, 기준궤도(Z) 및가로방향의쌍방과직교하는세로방향의개구폭및/또는기준궤도(Z)를따른방향의두께가, 기준궤도(Z)가위치하는중앙부와, 주사전극(410R, 410L)의하류단부(422)와대향하는위치의근방에서상이하도록구성되는전극체를가진다.
摘要翻译：提供了可以在宽范围内使用的离子注入装置。离子注入装置包括：注入电极装置（400），用于通过向沿参考物体入射的离子束（B）施加偏转的电场，在垂直于参考轨道（Z）的水平方向上注入离子束（B）轨道（Z）; 以及配置在所述注入电极装置（400）的下游侧的注入单元（1000），用于包括具有形成为允许沿水平方向注入的离子束（B）的开口的下游电极装置（500）通过。注入电极装置（400）具有一对在水平方向上彼此相对地安装的注入电极（410R，410L），同时插入基准轨道（Z）。下游电极器件（500）的开口具有电极体，其形成为具有垂直于基准轨道（Z）的方向和水平方向两者的垂直开口宽度的方向和/或沿着参考轨迹（Z）在参考轨迹（Z）所在的中心和靠近与注入电极（410R，410L）的下游端部分（422）相对的位置的区域中不同。

2. 发明授权

KR101119073B1 빔 편향주사방법, 빔 편향주사장치, 이온주입방법, 및 이온주입 시스템 有权
标题翻译：光束偏转方法，扫描光束偏转器，离子注入法和离子注入系统
公开(公告)号：KR101119073B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020050048856
申请日：2005-06-08
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타히로시 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 기무라야스히코 , 츠키하라미츠쿠니 , 무라카미쥰이치
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/1477 , H01J37/3171
摘要： 빔 편향주사장치는, 진공공간 내에서 일정 궤도를 가지는 하전입자 빔의 편향을 행하여, 이로써 하전입자 빔의 궤도를 주기적으로 변경시킨다. 빔 편향주사장치는, 빔 궤도의 방향으로 뻗는 대칭적 오목부를 가지는 각 내측 전극면을 대향시키도록 배치된 한쌍의 편향전극으로 구성된다.
빔, 편향, 주사, 이온주입, 오목부, 전극

3. 发明公开

KR1020150136007A 이온주입장치 审中-实审
标题翻译：离子植入装置
公开(公告)号：KR1020150136007A
公开(公告)日：2015-12-04
申请号：KR1020150065270
申请日：2015-05-11
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타히로시 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 야기타다카노리
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J37/30 , H01J37/3007 , H01J37/317 , H01J2237/15 , H01J2237/1534 , H01J2237/303 , H01J2237/31701
摘要： 넓은범위에서사용할수 있는이온주입장치를제공한다. 이온주입장치는, 기준궤도(Z)를따라입사하는이온빔(B)에편향전계를작용시켜, 기준궤도(Z)와직교하는가로방향으로이온빔(B)을주사시키는주사전극장치(400)와, 주사전극장치(400)의상류에설치되는복수의전극체에의하여구성되는상류전극장치(300)를포함하는주사유닛(1000)을구비한다. 주사전극장치(400)는, 기준궤도(Z)를사이에두고가로방향으로대향하여설치되는한 쌍의주사전극(410R, 410L)과, 기준궤도(Z)를사이에두고가로방향과직교하는세로방향으로대향하여설치되는한 쌍의빔수송보정전극(450)을구비한다. 한쌍의빔수송보정전극(450)의각각은, 주사전극장치(400)의입구(402) 부근에있어서, 기준궤도(Z)를향하여세로방향으로연장된빔수송보정입구전극체(454)를가진다.
摘要翻译：提供了可以在宽范围内使用的离子注入装置。离子注入装置包括：注入电极装置（400），用于通过对沿着基准轨道（Z）入射的离子束（B）施加偏转的电场而在垂直于参考轨道（Z）的水平方向上注入离子束（B）轨道（Z）; 以及包括上游电极装置（300）的注射单元（1000），其包括安装在所述注入电极装置（400）的上游侧的多个电极体。注入电极装置（400）具有一对注入电极（410R，410L），该对注入电极（410R，410L）安装成在水平方向上彼此面对，同时插入基准轨道（Z），并且还具有一对光束透射校正电极 450），同时在垂直于水平方向的垂直方向上彼此面对，同时插入参考轨道（Z）。每个光束透射校正电极具有在靠近注入电极装置（400）的入口（402）的区域中沿垂直方向朝向基准轨道（Z）延伸的光束透射校正入口电极体（454）。

4. 发明公开

KR1020140118685A 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조 审中-实审
标题翻译：用于离子植入装置的高压电极的绝缘结构
公开(公告)号：KR1020140118685A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130159400
申请日：2013-12-19
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 사토마사테루 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/248
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/248 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2237/038 , H01J2237/08
摘要： An insulation structure of high voltage electrodes appropriate for an ion implantation device is provided. The insulation structure of high voltage electrodes includes: an insulator (126) having an exposed surface (128); and a conductor portion (130), which includes a joint region (138) in contact with the insulator (126), and a heat-resistant portion (150) provided, along at least part of an edge (142) of the joint region (138), in such a manner as to be adjacent to the exposed surface (128) of the insulator (126). The heat-resistant portion (150) is formed of an electrically conductive material whose melting point is higher than that of the conductor portion (130). The heat-resistant portion (150) may be located at a distance from the exposed surface (128) of the insulator (126).
摘要翻译：提供适用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构。高压电极的绝缘结构包括：具有暴露表面（128）的绝缘体（126）; 以及包括与所述绝缘体（126）接触的接合区域（138）的导体部分（130）和沿所述接合区域的边缘（142）的至少一部分设置的耐热部分（150）（138），以与绝缘体（126）的暴露表面（128）相邻的方式。耐热部分（150）由熔点高于导体部分（130）的导电材料形成。耐热部分（150）可以位于离绝缘体（126）的暴露表面（128）一定距离处。

5. 发明授权

KR101434676B1 빔처리장치 有权
标题翻译：梁加工设备
公开(公告)号：KR101434676B1
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020080036012
申请日：2008-04-18
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 마츠시타히로시 , 야기타다카노리 , 아마노요시타카 , 후지이요시토
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/0042 , H01J2237/028
摘要： 본 발명은, 2극식 편향스캐닝 전극을 포함하는 빔 스캐너를 구비한 빔처리장치에 관한 것이다.
상기 빔 스캐너는 또한, 상기 2극식 편향스캐닝 전극의 상류측 및 하류측 근방에 각각 배치되어, 하전입자빔 통과용 직사각 형상의 개구를 가지는 차폐 억제전극 어셈블리를 가진다. 각 차폐 억제전극 어셈블리는, 하나의 억제전극과 이를 사이에 끼우는 2개의 차폐 접지전극으로 이루어지는 어셈블리 전극이다. 상기 2극식 편향스캐닝 전극의 전측부 및 후측부 전체를, 상기 2개의 차폐 접지전극으로 차폐하였다.
빔, 하전입자, 편향스캐닝, 어셈블리, 억제전극, 빔 스캐너빔

6. 发明公开

KR1020080094603A 빔처리장치 有权
标题翻译：光束加工设备
公开(公告)号：KR1020080094603A
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020080036012
申请日：2008-04-18
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 마츠시타히로시 , 야기타다카노리 , 아마노요시타카 , 후지이요시토
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/0042 , H01J2237/028
摘要： A beam processing apparatus is provided to enhance accuracy of parallel beam after ion beam scanning by maintaining constantly a diameter of ion beams irrespective of positions in a scanning area. A beam processing apparatus includes beam scanners(36A,36B) which perform deflection scanning that periodically varies orbits of charged particle beams using two polar type deflection scanning electrodes. The beam scanners include shield preventing electrode assemblies. The shield preventing electrode assemblies having a square shape aperture for penetrating the charged particle beams are disposed around upper and lower portions of the two polar type deflection scanning electrodes. Each of the shield preventing electrode assemblies includes one suppress electrode and two shield ground electrodes, which are formed at both sides of the suppress electrode. Forward and backward portions of the two polar type deflection scanning electrodes are shielded by the two shield ground electrodes.
摘要翻译：提供了一种束处理装置，用于通过恒定地维持离子束的直径而与扫描区域中的位置无关地增强离子束扫描之后的平行光束的精度。光束处理装置包括光束扫描器（36A，36B），其执行使用两个极性型偏转扫描电极周期性地改变带电粒子束的轨道的偏转扫描。光束扫描器包括屏蔽防止电极组件。具有用于穿透带电粒子束的方形孔的防屏电极组件设置在两极极型偏转扫描电极的上部和下部。每个屏蔽防止电极组件包括形成在抑制电极两侧的一个抑制电极和两个屏蔽接地电极。两个极性型偏转扫描电极的正向和反向部分被两个屏蔽接地电极屏蔽。

7. 发明公开

KR1020060060531A 빔 편향주사방법, 빔 편향주사장치, 이온주입방법, 및 이온주입 시스템 有权
标题翻译：光束偏移方法，用于扫描的光束偏移器，离子植入方法和离子植入系统
公开(公告)号：KR1020060060531A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020050048856
申请日：2005-06-08
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타히로시 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 기무라야스히코 , 츠키하라미츠쿠니 , 무라카미쥰이치
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/1477 , H01J37/3171
摘要： 빔 편향주사 장치는, 진공공간 내에서 일정 궤도를 가지는 하전입자 빔의 편향을 행하여, 이로써 하전입자 빔의 궤도를 주기적으로 변경시킨다. 빔 편향주사 장치는, 빔 궤도의 방향으로 뻗는 대칭적 오목부를 가지는 각 내측 전극면을 대향시키도록 배치된 한쌍의 편향 전극으로 구성된다.
빔, 편향, 주사, 이온주입, 오목부, 전극

8. 发明授权

KR102020683B1 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조 有权
公开(公告)号：KR102020683B1
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：KR1020130159400
申请日：2013-12-19
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 사토마사테루 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/248

9. 发明授权

KR101354825B1 정전 빔 편향 스캐너 및 빔 편향 스캐닝 방법 有权
标题翻译：静电束偏转扫描仪和光束偏转扫描方法
公开(公告)号：KR101354825B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020070051914
申请日：2007-05-29
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/30477
摘要： 빔 편향 스캐너는, 이온빔 또는 하전입자 빔을 이용하는 왕복 편향 스캐닝을 수행하여, 주기적으로 빔 궤도를 변화시키며, 서로 마주보도록 설치되면서, 상기 빔 궤도가 그 사이에 위치되는 한 쌍의 스캐닝 전극과, 상기 한 쌍의 스캐닝 전극의 마주보는 방향에 수직인 방향으로 설치되고, 상기 빔 궤도가 그 사이에 위치되며, 빔 진행 축을 따라서 뻗는 한 쌍의 전계 보정 전극을 구비한다. 양의 전위 및 음의 전위가 상기 한 쌍의 스캐닝 전극에 교대로 인가되는 한편, 보정 전압이 상기 한 쌍의 전계 보정 전극에 일정하게 인가된다. 상기 한 쌍의 전계 보정 전극에서 생성된 보정 전계가, 상기 양의 전위 및 음의 전위 사이의 스위칭시에, 상기 한 쌍의 스캐닝 전극 사이를 통과하는 이온빔 또는 하전입자 빔에 인가된다.
정전편향, 빔 편향, 스캐너, 전자 억제, 전극, 빔 단면

10. 发明公开

KR1020070115670A 정전 빔 편향 스캐너 및 빔 편향 스캐닝 방법 有权
标题翻译：静电波束偏转扫描仪和光束偏转扫描方法
公开(公告)号：KR1020070115670A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020070051914
申请日：2007-05-29
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/30477
摘要： An electrostatic beam deflection scanner and a beam deflection scanning method are provided to improve the uniformity of implanting ions in a scan direction by restricting the zero electric field effect of an electrostatic beam deflection scanner. A pair of scanning electrodes(21A,21B) are arranged to be opposed to each other with the beam trajectory interposed therebetween. A pair of electric field correction electrodes(27,28) are arranged to extend in a direction perpendicular to an opposing direction of the pair of scanning electrodes and such that the beam trajectory is interposed therebetween. A positive and a negative potential are applied alternately to the scanning electrodes, and a correction voltage is constantly applied to the electric field correction electrodes. A correction electric field generated from the electric field correction electrodes is added to the beam passing between the scanning electrodes at the time of switching between the positive and the negative potential.
摘要翻译：提供静电束偏转扫描器和光束偏转扫描方法，通过限制静电束偏转扫描器的零电场效应来提高沿扫描方向注入离子的均匀性。一对扫描电极（21A，21B）被布置成彼此相对，其间插入光束轨迹。一对电场校正电极（27,28）被布置成在垂直于该对扫描电极的相反方向的方向上延伸，并且使得光束轨迹插入其间。交替地向扫描电极施加正电位和负电位，并且对电场校正电极不断施加校正电压。在正电位和负电位之间切换时，将从电场校正电极产生的校正电场加到通过扫描电极的光束之间。

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