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61. 发明公开

KR1020060037742A 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물 失效
标题翻译：薄膜晶体管液晶显示器件的蚀刻成分
公开(公告)号：KR1020060037742A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086790
申请日：2004-10-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이기범 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： G02F1/13 , C09K13/06
CPC分类号： C23F1/30 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 인산, 질산, 초산, 염산, 인산염, 염소계 화합물, 아졸계 화합물, 및 물을 포함하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물은 동일한 조성물을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 화소전극을 구성하는 비정질 ITO(amorphous indium tin oxide) 및 TFT(thin film transistor)를 구성하는 게이트(gate) 배선재료인 Mo/Al-Nd 이중막을 단일공정으로 하부막인 Al-Nd의 언더컷(undercut) 현상이 없이 에칭하여 우수한 테이퍼(taper)를 수득할 수 있으며, 동시에 소스/드레인(source/drain) 배선재료인 Mo 단일막에서도 우수한 프로파일(profile)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
습식 에칭, 화소전극용 금속막, 비정질 ITO 금속막, 게이트 전극용 금속막, 소스/드레인 전극용 금속막
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，其包括蚀刻组合物，更具体地，磷酸，硝酸，乙酸，盐酸，磷酸盐，氯系化合物，吡咯化合物，和水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。

62. 发明公开

KR1020060033334A 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물 有权
标题翻译： TFT LCD的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020060033334A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020040082378
申请日：2004-10-14
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 이민건 , 유지용 , 윤재석
IPC分类号： G02F1/136 , G03F7/32
CPC分类号： G02F1/136286 , C23F1/16 , G02F2001/136295 , H01L21/32134 , H01L27/124
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 인산, 질산, 초산, [H
+ ] 이온 농도 조절제, 및 물을 포함하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물은 동일한 조성물을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT(thin film transistor)을 구성하는 게이트(gate) 배선재료인 Mo/Al-Nd 이중막에서 하부막인 Al-Nd의 언더컷(undercut) 현상이 없이 에칭하여 우수한 테이퍼를 수득할 수 있으며, 동시에 소스/드레인(source/drain) 배선재료인 Mo 단일막에서도 우수한 프로파일(profile)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
에칭, 게이트 전극용 금속막, 소스/드레인 전극용 금속막
摘要翻译：本发明涉及用于TFT LCD的蚀刻组合物，特别涉及含有磷酸，硝酸，乙酸，[H +]离子浓度调节剂和水的TFT LCD的蚀刻组合物。所公开的蚀刻组合物使用相同的组成来仅依赖于湿法来蚀刻TFT-LCD的TFT（薄膜晶体管）的栅极线的Mo / Al-Nd的双层膜，而不发生底切 Al-Nd底部膜的现象。因此，可以获得优异的倾斜面，同时也实现了源极/漏极线材Mo单层膜的优异外形的有效性。

63. 发明授权

KR101953215B1 식각 조성물, 금속 배선 및 표시 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101953215B1
公开(公告)日：2019-03-04
申请号：KR1020120110660
申请日：2012-10-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박홍식 , 이왕우 , 김봉균 , 정종현 , 박영우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 한승연 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06

64. 发明授权

KR101776923B1 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101776923B1
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020110078297
申请日：2011-08-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 박지영 , 김선일 , 정재우 , 김상갑 , 김상우 , 이기범 , 이대우 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/14 , C23F1/02 , H05K1/09 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/08 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L27/124
摘要： 구리막을식각하는식각액조성물, 이를이용한금속패턴의제조방법및 표시기판의제조방법에서, 식각액조성물은 0.1 중량% 내지 25 중량%의과산화이황산암모늄(ammonium persulfate), 0.1 중량% 내지 25 중량%의유기산, 0.01 중량% 내지 5 중량%의킬레이트제, 0.01 중량% 내지 5 중량%의불화물계화합물, 0.01 중량% 내지 5 중량%의염화물계화합물, 0.01 중량% 내지 2 중량%의아졸계화합물및 여분의물을포함한다. 이에따라, 구리막을안정적으로식각하여금속패턴및 표시기판의제조신뢰성을향상시킬수 있다.

65. 发明授权

KR101619380B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：使用其的阵列基板的蚀刻和方法
公开(公告)号：KR101619380B1
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020090042173
申请日：2009-05-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉균 , 정종현 , 이병진 , 홍선영 , 박홍식 , 김시열 , 이기범 , 조삼영 , 김상우 , 신현철 , 서원국
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 식각액조성물은과산화이황산암모늄((NH)SO, ammonium persulfate) 0.1 내지 30 중량%, 무기산 0.1 내지 10 중량%, 아세테이트염0.1 내지 10 중량%, 불소함유화합물 0.01 내지 5 중량%, 술폰산화합물 0.01 내지 5 중량%, 아졸계화합물 0.01 내지 2 중량% 및여분의물을포함한다. 이에따라, 식각액의안정성을확보하고식각공정상마진을보장하여비용을절감할수 있다.

66. 发明公开

KR1020150045331A 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻液组成及其制作方法
公开(公告)号：KR1020150045331A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020130124924
申请日：2013-10-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정재우 , 김인배 , 상현정 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/32134
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 과산화이황산암모늄 10 중량% 내지 20 중량%; 인산또는아인산화합물 0.1 중량% 내지 10 중량%; 염소산염계화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 질산또는술폰산화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 아졸계화합물 0.1 중량% 내지 3 중량%; 불소화합물 0.1 중량% 내지 2 중량%; 및물 55 중량% 내지 89.5 중량%를포함하는식각액조성물을제공한다.
摘要翻译：根据本发明的应用，含有10〜20重量％的过氧化二硫酸铵的蚀刻液; 0.1重量％的磷酸或亚磷酸化合物; 0.1〜5％重量的氯酸型化合物; 0.1〜5重量％的硝酸或磺酸化合物; 0.1〜3重量％的唑类化合物; 0.1〜2重量％的氟化合物; 和55-89.5重量％的水。

67. 发明公开

KR1020150045220A 금속 배선 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 审中-实审
标题翻译：用于金属线的蚀刻剂组合物及使用其制备金属丝的方法
公开(公告)号：KR1020150045220A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020130124655
申请日：2013-10-18
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 서원국 , 신현철 , 김규포 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26
摘要： 금속막을식각하여, 반도체회로를구성하는박막트랜지스터의게이트및 소스-드레인영역을형성하는금속배선식각액조성물및 이를이용한금속배선의형성방법이개시된다. 상기금속배선식각액조성물은, 15 내지 25 중량%의과산화수소, 0.1 내지 1 중량%의불소화합물, 0.5 내지 3 중량%의카르복시기를포함한아민류, 0.1 내지 1 중량%의아졸계화합물, 0.01 내지 2 중량%의인산계화합물또는그의염, 0.1 내지 3 중량%의황산염및 나머지물을포함한다.
摘要翻译：公开了一种金属丝蚀刻溶液组合物和使用其的金属丝的制造方法。金属丝蚀刻溶液组合物蚀刻金属膜并形成构成半导体电路的膜晶体管的栅极和源极 - 漏极区域。金属膜蚀刻溶液组合物包括：15〜25重量％的过氧化氢; 0.1〜1重量％的氟化合物; 0.5〜3重量％的包含羧基的胺; 0.1〜1重量％的唑类化合物; 0.01〜2重量％的磷系化合物及其盐类; 0.1〜3重量％的硫酸盐; 和水。

68. 发明授权

KR101310310B1 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 有权
标题翻译：薄膜晶体管 - 液晶显示器的蚀刻
公开(公告)号：KR101310310B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020070104166
申请日：2007-10-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 박홍식 , 홍선영 , 김봉균 , 이지선 , 이병진 , 이기범 , 조삼영 , 구병수 , 신현철 , 서원국 , 박귀홍
IPC分类号： C09K13/04
摘要： 본 발명은 액정표시 장치의 회로 패턴에 사용되는 구리 배선을 식각하는 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 과산화이황산암모늄과 아졸계 화합물을 포함한다. 본 발명의 식각액 조성물은 과산화수소를 함유하지 않으므로 안정성과 공정상 마진을 확보할 수 있으며, 우수한 테이퍼 식각 프로파일을 얻을 수 있는 특징을 지닌다.
과산화이황산암모늄, 식각액, 구리

69. 发明授权

KR101226546B1 에칭 조성물 有权
标题翻译：蚀刻组合物
公开(公告)号：KR101226546B1
公开(公告)日：2013-01-25
申请号：KR1020050021921
申请日：2005-03-16
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 이민건 , 신현철
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/06 , C09K13/04
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 투명도전막(ITO막)의 선택적인 에칭을 위해 사용되는 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 염산, 초산, 첨가제, 및 초순수를 포함하여 경시변화가 적고 다른 금속배선에 영향을 최소로하여 안정적으로 식각할 수 있으며, 빠른 에칭속도를 갖고 사이드 에칭을 줄일 수 있는 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것이다.
에칭, 액정표시장치

70. 发明公开

KR1020110074430A 식각액 및 전자소자 제조방법 有权
标题翻译：用于制备电子器件的蚀刻和方法
公开(公告)号：KR1020110074430A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020100118966
申请日：2010-11-26
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박귀홍 , 이기범 , 조삼영 , 구병수 , 최정헌
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: An etchant is provided to simplify process for manufacturing an electric device and to improve performance of the electric device. CONSTITUTION: An etchant is able to selectively etch a doped semiconductor layer placed between a meal electrode and intrinsic semiconductor layer of an electric device. The etchant contains a transition metal, transition metal salt, or mixture thereof and fluorine, inorganic salt containing fluorine, or mixture thereof. The transition metal is one selected from the group consisting of Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, and lanthanide. The intrinsic semiconductor layer is amorphous silicone.
摘要翻译：目的：提供一种蚀刻剂，以简化电气设备的制造工艺，提高电气设备的性能。构成：蚀刻剂能够选择性地蚀刻放置在电极器件的膳食电极和本征半导体层之间的掺杂半导体层。蚀刻剂含有过渡金属，过渡金属盐或其混合物，以及氟，含氟的无机盐或其混合物。过渡金属是选自Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Y，Zr，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd ，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Au，Hg和镧系元素。本征半导体层是非晶硅。

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