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1. 发明申请

WO2015046794A1 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 审中-公开
标题翻译：用于形成金属线和薄膜晶体管基板的蚀刻组合物和方法
公开(公告)号：WO2015046794A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008593
申请日：2014-09-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/45
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5중량% 내지 20중량%의 과황산염, 0.01중량% 내지 1중량%의 불소 화합물, 1중량% 내지 약 10중량%의 무기산, 0.01중량% 내지 2중량%의 아졸계 화합물, 0.1중량% 내지 5중량%의 염소 화합물, 0.05중량% 내지 3중량%의 구리염, 0.01중량% 내지 5중량%의 항산화제 또는 상기 항산화제의 염, 및 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함한다. 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막을 식각하여 금속 배선을 형성하거나 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 제조시에 사용될 수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施方案的蚀刻剂组合物包含：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5重量％至20重量％的过硫酸盐，0.01重量％至1重量％的氟化合物，1重量％至约 10重量％的无机酸，0.01重量％〜2重量％的唑类化合物，0.1重量％〜5重量％的氯化合物，0.05重量％〜3重量％的铜盐，0.01重量％〜5重量％ wt％的硫酸化剂或硫酸盐的盐，以及其重量使整个组合物的总重量达到100wt％的水。蚀刻剂组合物可以用于形成金属线或者通过蚀刻含有铜的金属膜来制造薄膜晶体管基板。

2. 发明申请

WO2014098392A1 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 审中-公开
标题翻译：金属膜蚀刻溶液组合物和使用相同的蚀刻方法
公开(公告)号：WO2014098392A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/KR2013/011158
申请日：2013-12-04
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이명한 , 구병수 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/458
摘要： 구리막 및 인듐틴산화막의 이중막 또는 구리막 및 금속막의 이중막을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다. 상기 식각액 조성물은, 5 내지 20 중량%의 과산화수소, 0.1 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 0.1 내지 2 중량%의 카보닐계 유기산 화합물, 0.1 내지 0.4 중량%의 불소 화합물, 0.01 내지 3 중량%의 아졸계 화합물, 및 나머지 물을 포함한다.
摘要翻译：提供：蚀刻溶液组合物，由此可以同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双层膜或铜膜和金属膜的双层膜; 以及使用其的蚀刻方法。蚀刻溶液组合物包含5至20重量％的过氧化氢，0.1至5重量％的磺酸化合物，0.1至2重量％的羰基有机酸化合物，0.1至0.4重量％％的氟化合物，0.01至3重量％的唑类化合物，剩余的水。

3. 发明授权

KR102256930B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102256930B1
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：KR1020130124924
申请日：2013-10-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정재우 , 김인배 , 상현정 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/3213
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 과산화이황산암모늄 10 중량% 내지 20 중량%; 인산또는아인산화합물 0.1 중량% 내지 10 중량%; 염소산염계화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 질산또는술폰산화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 아졸계화합물 0.1 중량% 내지 3 중량%; 불소화합물 0.1 중량% 내지 2 중량%; 및물 55 중량% 내지 89.5 중량%를포함하는식각액조성물을제공한다.

4. 发明公开

KR1020150033821A 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 审中-实审
标题翻译：使用金属接线和薄膜晶体管基板的蚀刻和制造方法
公开(公告)号：KR1020150033821A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020130113420
申请日：2013-09-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/45
摘要： 본발명의일 실시예에따른식각액조성물은식각액조성물총 중량에대하여 0.5중량% 내지 20중량%의과황산염, 0.01중량% 내지 1중량%의불소화합물, 1중량% 내지약 10중량%의무기산, 0.01중량% 내지 2중량%의아졸계화합물, 0.1중량% 내지 5중량%의염소화합물, 0.05중량% 내지 3중량%의구리염, 0.01중량% 내지 5중량%의항산화제또는상기항산화제의염, 및전체조성물의총 중량이 100중량%가되도록하는물을포함한다. 식각액조성물은구리를포함하는금속막을식각하여금속배선을형성하거나표시장치용박막트랜지스터기판제조시에사용될수 있다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，蚀刻溶液组合物相对于蚀刻溶液组合物的总重量包含：0.5至20重量％的过硫酸盐; 0.01〜1重量％的氟化合物; 1至约10重量％的无机酸; 0.01〜2重量％的唑类化合物; 0.1〜5重量％的氯化物; 0.05〜3重量％的铜盐; 0.01〜5重量％的抗氧化剂或抗氧化剂的盐; 和剩余的水，使得组合物的总重量可以为100重量％。蚀刻溶液组合物可用于形成金属布线或通过蚀刻包括铜的金属膜制造用于显示器的薄膜晶体管基板。

5. 发明公开

KR1020140044552A 식각 조성물, 금속 배선 및 표시 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻组合物，金属接线和制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020140044552A
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020120110660
申请日：2012-10-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박홍식 , 이왕우 , 김봉균 , 정종현 , 박영우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 한승연 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06
CPC分类号： H05K3/067 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H05K1/09
摘要： An etching composition comprises 40-60 wt% of phosphoric acid, 1-10 wt% of nitric acid, 3-15 wt% of acetic acid, 0.01-0.1 wt% of a copper ion compound, 1-10 wt% of nitrate, 1-10 wt% of acetate, and residual water.
摘要翻译：蚀刻组合物包含40-60重量％的磷酸，1-10重量％的硝酸，3-15重量％的乙酸，0.01-0.1重量％的铜离子化合物，1-10重量％的硝酸盐， 1-10重量％的乙酸盐和残余水。

6. 发明授权

KR101371606B1 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 有权
标题翻译：薄膜晶体管液晶显示器件的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR101371606B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020070041207
申请日：2007-04-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 김남서 , 구병수 , 강동호
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT-LCD)를 제조하는데 필수적인, 박막 트랜지스터의 게이트, 소스/드레인 전극용 금속층을 식각하는 공정에서 사용되는 습식각 조성물에 대한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 인산, 질산, 아세트산, 몰리브덴 식각 조절제와 리튬 이온이 함유된 알루미늄 식각 조절제를 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴(Mo/AlNd) 이중층 및 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 3중층(Mo/Al/Mo)은 물론 몰리브덴 단일층의 식각에서 언더컷(undercut) 현상을 막아 고른 프로파일(profile)로 금속층을 식각할 수 있는 장점을 지닌다.
식각, 식각 조절제, 혼합산

7. 发明公开

KR1020140019991A 몰리브덴 금속막 식각액 조성물 审中-实审
标题翻译：用于蚀刻钼金属层的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020140019991A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120086244
申请日：2012-08-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신현철 , 서원국 , 김규포 , 한승연 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/44
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/02
摘要： Disclosed in the present invention are an etchant composition which can perform selective etching on a molybdenum metal film when forming an integrated circuit including the molybdenum metal film and an oxide semiconductor active area, and a selective etching method for a molybdenum metal film. The etchant composition for a molybdenum metal film comprises: 5-25 weight% of hydrogen peroxide; 0.01-2 weight% of a fluoride; 0.01-1 weight% of (Tetramethylammonium Hydroxide); and the remaining water. The selective etching method for a molybdenum metal film comprises: a step of forming a molybdenum metal film as a source-drain electrode film and forming an electrical wiring using an oxide semiconductor between the source-drain electrode film; and a step of making an etchant composition for a molybdenum metal film, which includes 5-25 weight% of hydrogen peroxide, 0.01-2 weight% of a fluoride, 0.01-1 weight% of (Tetramethylammonium Hydroxide), and the remaining water, be in contact with the molybdenum metal film and the oxide semiconductor active area. [Reference numerals] (AA) Example 1; (BB) Example 2; (CC) Example 3; (DD) Example 4; (EE) Example 5; (FF) Example 6; (GG) Example 7
摘要翻译：在本发明中公开了一种蚀刻剂组合物，当形成包括钼金属膜和氧化物半导体有源区的集成电路以及钼金属膜的选择性蚀刻方法时，可以对钼金属膜进行选择性蚀刻。用于钼金属膜的蚀刻剂组合物包括：5-25重量％的过氧化氢; 0.01-2重量％的氟化物; 0.01-1重量％（四甲基氢氧化铵）; 和剩余的水。钼金属膜的选择性蚀刻方法包括：形成钼金属膜作为源极 - 漏极电极膜并在源 - 漏电极膜之间使用氧化物半导体形成电布线的步骤; 以及制备钼金属膜的蚀刻剂组合物的步骤，其包括5-25重量％的过氧化氢，0.01-2重量％的氟化物，0.01-1重量％的（四甲基氢氧化铵），剩余的水，与钼金属膜和氧化物半导体有源区接触。（标号）（AA）实施例1; （BB）实施例2; （CC）实施例3; （DD）实施例4 （EE）实施例5; （FF）实施例6; （GG）实施例7

8. 发明公开

KR1020140019108A 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 审中-实审
标题翻译：使用该薄膜晶体管的蚀刻组合物和制造方法
公开(公告)号：KR1020140019108A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120085334
申请日：2012-08-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉균 , 박홍식 , 이왕우 , 문영민 , 윤승호 , 최영주 , 김상우 , 이기범 , 이대우 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition according to one embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, azole compounds, water-soluble amine compounds, sulfonic acid-containing compounds, nitrate-containing compounds, phosphate-containing compounds, chloride-containing compounds, and residual water.
摘要翻译：提供蚀刻剂组合物。根据本发明的一个实施方案的蚀刻剂组合物包括过硫酸铵，唑化合物，水溶性胺化合物，含磺酸化合物，含硝酸盐化合物，含磷酸盐化合物，含氯化合物和残留水。

9. 发明授权

KR101266077B1 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：用于蚀刻Al，Mo和ITO的蚀刻剂
公开(公告)号：KR101266077B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020060040941
申请日：2006-05-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： 본 발명은 액정표시장치용 식각용액에 관한 것으로 특히, 몰리브덴과 알루미늄 합금(Mo/AlNd)의 이중층으로 구성되는 게이트전극, 몰리브덴(Mo)으로 구성되는 소스/드레인전극과 ITO로 구성된 화소전극을 단일 용액을 사용하여 식각하기 위한 것이다.
본 발명은 40 ~ 70wt%의 인산, 2 ~ 15wt%의 질산, 4 ~ 35wt%의 초산을 주성분으로 하여 0.05 ~ 5wt%의 염소계 화합물, 0.05 ~ 5wt%의 염소 안정제, 0.05 ~ 5wt%의 리튬계 화합물, 0.05 ~ 5wt%의 황화염계 화합물를 포함하는 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 식각액을 구성하는 것이다.
이로 인하여, 단일 식각액으로 상기 각 마스크 공정에서 단일 식각액을 사용함으로써 생산성 향상 및 재료비용 절감를 가져온다.
몰리브덴(Mo), 알루미늄 합금(AlNd), ITO, 식각액

10. 发明授权

KR101119821B1 크롬 식각용 에천트 有权
标题翻译：蚀刻蚀刻
公开(公告)号：KR101119821B1
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：KR1020040082379
申请日：2004-10-14
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 윤재석 , 이민건 , 유지용
IPC分类号： C09K13/06
摘要： 본 발명은 크롬 식각용 에천트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 세릭 암모늄 나이트레이트(Ce(NH
4 )
2 (NO
3 )
6 ), b) 질산(HNO
3 ) 또는 과염소산(HClO
4 ), c) Fe(NO3)3 또는 KCl 및 d) 물을 포함하여 OLED, TFT-LCD, 컬러 필터(Color Filter) 등 평판디스플레이용 표시장치의 크롬(Cr)막 에칭공정에 사용되는 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법은 크롬 에칭시 잔사 발생현상을 줄일 수 있고, 경사각이 좋아지게 하며 우수한 프로파일(Profile)을 가질 수 있게 하는 효과가 있다.
크롬 식각용 에천트, 크롬막

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