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1. 发明授权

KR101266077B1 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：用于蚀刻Al，Mo和ITO的蚀刻剂
公开(公告)号：KR101266077B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020060040941
申请日：2006-05-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： 본 발명은 액정표시장치용 식각용액에 관한 것으로 특히, 몰리브덴과 알루미늄 합금(Mo/AlNd)의 이중층으로 구성되는 게이트전극, 몰리브덴(Mo)으로 구성되는 소스/드레인전극과 ITO로 구성된 화소전극을 단일 용액을 사용하여 식각하기 위한 것이다.
본 발명은 40 ~ 70wt%의 인산, 2 ~ 15wt%의 질산, 4 ~ 35wt%의 초산을 주성분으로 하여 0.05 ~ 5wt%의 염소계 화합물, 0.05 ~ 5wt%의 염소 안정제, 0.05 ~ 5wt%의 리튬계 화합물, 0.05 ~ 5wt%의 황화염계 화합물를 포함하는 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 식각액을 구성하는 것이다.
이로 인하여, 단일 식각액으로 상기 각 마스크 공정에서 단일 식각액을 사용함으로써 생산성 향상 및 재료비용 절감를 가져온다.
몰리브덴(Mo), 알루미늄 합금(AlNd), ITO, 식각액

2. 发明授权

KR101154244B1 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한 식각액 有权
标题翻译：用于蚀刻Al，Mo和ITO的蚀刻剂
公开(公告)号：KR101154244B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020050056493
申请日：2005-06-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 김종일 , 이경묵 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
摘要： 본 발명은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 식각하기 위한 식각액에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 종래 각 마스크 공정에서 각기 다른 식각액을 사용했던 것과 달리, 각 마스크 공정에서 단일의 식각액을 사용함으로써 생산성 향상 및 장비 구성의 비용을 절감하는 것이다.
본 발명의 식각액의 구성은 40~70 wt%의 인산, 3~15 wt%의 질산, 5~35 wt%의 초산, 0.05~5 wt%의 염소계 화합물, 0.01~5 wt%의 염소안정제, 0.01~5 wt%의 pH 안정제 및 잔량의 물로 구성된다.
본 발명의 효과는 단일의 식각액으로 식각함으로써 같은 장비와 단순한 공정조건이 사용되어 생산성 향상 및 비용의 절감이 이루어진다.
몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 인듐-틴-옥사이드(ITO), 식각액

3. 发明授权

KR101026983B1 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물 失效
公开(公告)号：KR101026983B1
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR1020040086790
申请日：2004-10-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이기범 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： G02F1/13 , C09K13/06
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 인산, 질산, 초산, 염산, 인산염, 염소계 화합물, 아졸계 화합물, 및 물을 포함하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물은 동일한 조성물을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 화소전극을 구성하는 비정질 ITO(amorphous indium tin oxide) 및 TFT(thin film transistor)를 구성하는 게이트(gate) 배선재료인 Mo/Al-Nd 이중막을 단일공정으로 하부막인 Al-Nd의 언더컷(undercut) 현상이 없이 에칭하여 우수한 테이퍼(taper)를 수득할 수 있으며, 동시에 소스/드레인(source/drain) 배선재료인 Mo 단일막에서도 우수한 프로파일(profile)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
습식 에칭, 화소전극용 금속막, 비정질 ITO 금속막, 게이트 전극용 금속막, 소스/드레인 전극용 금속막

4. 发明公开

KR1020070017762A 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 无效
标题翻译：蚀刻剂组合物，使用该方法构图导电膜的方法和使用其制造平板显示器的方法
公开(公告)号：KR1020070017762A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072338
申请日：2005-08-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 이경묵 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04 , G03F7/20
CPC分类号： C23F1/20 , C09K13/06 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： 본 발명은 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 물 및 첨가제를 포함하며, 상기 첨가제는 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물 및 산화조정제를 포함한다.
또한, 상기 식각액 조성물을 이용하여 서로 다른 도전물질로 이루어진 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소전극을 패터닝하는 공정을 수행하여 평판 표시 장치를 제조하는 방법을 제공함에 따라, 공정을 더욱 단순화시킬수 있으며, 생산 비용의 절감과 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
알루미늄, 몰리브덴, 아이티오, 습식식각, 식각액

5. 发明公开

KR1020070114471A 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：蚀刻AL，MO和ITO
公开(公告)号：KR1020070114471A
公开(公告)日：2007-12-04
申请号：KR1020060048068
申请日：2006-05-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06
摘要： An etchant is provided to carry out etching an aluminum layer, a molybdenum layer and an indium-tin oxide layer of an LCD array substrate, in a single etching system as a single common solution, thereby improving the cost efficiency and handling of an etchant. An etchant comprises: 50~75 wt% of phosphoric acid; 3~10 wt% of nitric acid; 4~22 wt% of acetic acid; 0.05~3 wt% of a chlorine-containing compound; 0.05~3 wt% of a chlorine stabilizer; 0.1~5 wt% of a phosphate compound; 0.05~5 wt% of a lithium compound; 0.05~5 wt% of a nitride compound; and the balance amount of water, based on 100 wt% of the total weight of the etchant. The chlorine-containing compound is dissociated to become Cl^- ion, and includes KCl or HCl.
摘要翻译：提供蚀刻剂，以单一蚀刻系统中的铝层，钼层和LCD阵列衬底的铟锡氧化物层进行蚀刻，作为单一的普通解决方案，从而提高成本效率和蚀刻剂的处理。蚀刻剂包括：50〜75重量％的磷酸; 3〜10重量％的硝酸; 4〜22重量％的乙酸; 0.05〜3重量％的含氯化合物; 0.05〜3重量％的氯稳定剂; 0.1〜5重量％的磷酸盐化合物; 0.05〜5重量％的锂化合物; 0.05〜5重量％的氮化物; 和水的平衡量，基于蚀刻剂总重量的100重量％。含氯化合物离解成Cl - 离子，包括KCl或HCl。

6. 发明公开

KR1020070062259A 액정표시장치의 전극 식각용 식각액 조성물 无效
标题翻译：用于蚀刻液晶显示装置的电极的蚀刻化合物
公开(公告)号：KR1020070062259A
公开(公告)日：2007-06-15
申请号：KR1020050122065
申请日：2005-12-12
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 이경묵 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04 , G02F1/13
摘要： An etchant compound for etching an electrode of a liquid crystal display device is provided to etch a multi-layered film altogether using identical etchant liquid in one device and to give excellent profile to the multi-layered film. The etchant compound for etching an electrode of a liquid crystal display device comprises 40-70 wt% of phosphoric acid; 3-15 wt% of nitric acid; 5-35 wt% of acetic acid functioning as a buffer for adjusting a reaction rate; 0.02-5 wt% of a chlorine-based compound that is dissociated into Cl^-1; 0.05-5 wt% of a nitrate-based compound; and the rest of water. As the chlorine-based compound, KCl, HCl, LiCl, NH4Cl, NaCl, FeCl3, FeCl2, CaCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CsCl2, H2PtCl6 or CrCl3 is preferably used. Furthermore, as the nitrate-based compound, NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 or Ba(NO3)2 is preferably used.
摘要翻译：提供用于蚀刻液晶显示装置的电极的蚀刻剂化合物，以在一个器件中使用相同的蚀刻剂液体一起蚀刻多层膜，并为多层膜提供优异的外形。用于蚀刻液晶显示装置的电极的蚀刻剂化合物包括40-70重量％的磷酸; 3-15重量％的硝酸; 用作调节反应速率的缓冲液的5-35重量％乙酸; 0.02-5重量％的离解成Cl 1 -1的氯系化合物; 0.05-5重量％的硝酸根类化合物; 和其余的水。作为氯系化合物，优选使用KCl，HCl，LiCl，NH4Cl，NaCl，FeCl3，FeCl2，CaCl2，NiCl2，ZnCl2，AlCl3，BaCl2，BeCl2，BiCl3，CdCl2，CsCl2，H2PtCl6或CrCl3。此外，作为硝酸盐系化合物，可以使用NH 4 NO 3，KNO 3，LiNO 3，Ca（NO 3）2，NaNO 3，Zn（NO 3）2，Co（NO 3）2，Ni（NO 3）2，Fe（NO 3）3，Cu ）2或Ba（NO 3）2。

7. 发明公开

KR1020070108643A 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：蚀刻AL，MO和ITO
公开(公告)号：KR1020070108643A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020060040941
申请日：2006-05-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： An etchant is provided to etch gate electrodes formed of a double layer of aluminum alloy(AlNd) and molybdenum(Mo), source and drain electrodes formed of molybdenum, and pixel electrodes(ITO) during an etching process. An etchant includes 40-70wt% of phosphoric acid, 2-15wt% of nitric acid, 4-35wt% of acetic acid, 0.05-5wt% of a chlorine-based compound, 0.05-5wt% of a chlorine stabilizer, 0.05-5wt% of a lithium-based compound, 0.05-5wt% of a sulfide salt-based compound, and the balance of water. The chlorine-based compound comprises a compound capable of being dissociated into Cl^-. The chlorine stabilizer comprises a Zn, Cd, Pb, Ba-series compound and oleic acid.
摘要翻译：提供蚀刻剂以在蚀刻工艺期间蚀刻由双金属铝合金（AlNd）和钼（Mo），由钼形成的源极和漏极以及像素电极（ITO））形成的栅电极。蚀刻剂包括40-70重量％的磷酸，2-15重量％的硝酸，4-35重量％的乙酸，0.05-5重量％的氯基化合物，0.05-5重量％的氯稳定剂，0.05-5重量％的锂系化合物，0.05〜5重量％的硫化物盐系化合物，余量为水。氯系化合物包含能够分解成Cl - 的化合物。氯稳定剂包括Zn，Cd，Pb，Ba系列化合物和油酸。

8. 发明公开

KR1020070000850A 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한 식각액 有权
标题翻译：蚀刻AL，MO和ITO
公开(公告)号：KR1020070000850A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056493
申请日：2005-06-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 김종일 , 이경묵 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
摘要： Provided are an etchant for etching aluminum, molybdenum and indium tin oxide(ITO), and a method for preparing an array substrate for an LCD device by using the etchant in each mask process to reduce a manufacturing cost and to improve productivity. The etchant comprises 40-70 wt% of phosphoric acid; 3-15 wt% of nitric acid; 5-35 wt% of acetic acid; 0.05-5 wt% of a chlorine-based compound; 0.01-5 wt% of a chlorine stabilizer; 0.01-5 wt% of a pH stabilizer; and the balance of water. Preferably the chlorine-based compound can be dissociated into Cl^-; the chlorine stabilizer comprises a Zn-based compound, a Cd-based compound, a Pb-based compound, a Ba-based compound and oleic acid; and the pH stabilizer can be dissociated into OH^-.
摘要翻译：提供了用于蚀刻铝，钼和氧化铟锡（ITO）的蚀刻剂，以及通过在每个掩模工艺中使用蚀刻剂来制备用于LCD装置的阵列基板的方法，以降低制造成本并提高生产率。蚀刻剂包括40-70重量％的磷酸; 3-15重量％的硝酸; 5-35重量％的乙酸; 0.05〜5重量％的氯系化合物; 0.01-5重量％的氯稳定剂; 0.01-5重量％的pH稳定剂; 和水的平衡。优选地，氯基化合物可以分解成Cl - ; 氯稳定剂包括Zn基化合物，Cd基化合物，Pb基化合物，Ba基化合物和油酸; 并且pH稳定剂可以分解成OH - 。

9. 发明授权

KR101473964B1 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：用于蚀刻Al，Mo和ITO的蚀刻剂
公开(公告)号：KR101473964B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020060048068
申请日：2006-05-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06
摘要： 따라서, 본발명에따른몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및인듐-틴-옥사이드(ITO)를동시에식각가능한식각액을이용하여액정표시장치용어레이기판을제조함으로써목적은종래각 마스크공정에서각기다른식각액을사용했던것과달리, 각마스크공정에서단일의식각액을사용함으로써생산성향상및 장비구성의비용을절감할수 있다.

10. 发明公开

KR1020060037742A 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물 失效
标题翻译：薄膜晶体管液晶显示器件的蚀刻成分
公开(公告)号：KR1020060037742A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086790
申请日：2004-10-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이기범 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： G02F1/13 , C09K13/06
CPC分类号： C23F1/30 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 인산, 질산, 초산, 염산, 인산염, 염소계 화합물, 아졸계 화합물, 및 물을 포함하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물은 동일한 조성물을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 화소전극을 구성하는 비정질 ITO(amorphous indium tin oxide) 및 TFT(thin film transistor)를 구성하는 게이트(gate) 배선재료인 Mo/Al-Nd 이중막을 단일공정으로 하부막인 Al-Nd의 언더컷(undercut) 현상이 없이 에칭하여 우수한 테이퍼(taper)를 수득할 수 있으며, 동시에 소스/드레인(source/drain) 배선재료인 Mo 단일막에서도 우수한 프로파일(profile)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
습식 에칭, 화소전극용 금속막, 비정질 ITO 금속막, 게이트 전극용 금속막, 소스/드레인 전극용 금속막
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，其包括蚀刻组合物，更具体地，磷酸，硝酸，乙酸，盐酸，磷酸盐，氯系化合物，吡咯化合物，和水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。

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