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61. 发明专利

TW201421717A 於基板上直接形成太陽能發電薄膜之太陽能電池审中-公开
简体标题：于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
公开(公告)号：TW201421717A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102138590
申请日：2009-02-11
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：若山惠英 , WAKAYAMA, YOSHIHIDE , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0216 , E04D13/18
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要：本發明所揭示之太陽能電池，係包含形成於基材上之半導體薄膜、形成於半導體薄膜上之透明導電膜、及覆蓋透明導電膜的上面之氮化物系之水分擴散防止膜。水分擴散防止膜較佳係由氮化矽膜與碳氮化矽膜之至少一者所構成。
简体摘要：本发明所揭示之太阳能电池，系包含形成于基材上之半导体薄膜、形成于半导体薄膜上之透明导电膜、及覆盖透明导电膜的上面之氮化物系之水分扩散防止膜。水分扩散防止膜较佳系由氮化硅膜与碳氮化硅膜之至少一者所构成。

62. 发明专利

TWI403657B 調整閥裝置失效
简体标题：调整阀设备
公开(公告)号：TWI403657B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW099107631
申请日：2010-03-16
申请人：富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU , 山路道雄 , YAMAJI, MICHIO , 谷川毅 , TANIGAWA, TSUYOSHI , 金子裕是 , KANEKO, HIROSHI , 八木靖司 , YAGI, YASUSHI , 小野裕司 , ONO, YUJI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI
IPC分类号： F16K31/122 , F16K51/02 , C23C14/24
CPC分类号： F16K31/126 , F16K31/1268 , F16K41/10

64. 发明专利

TWI380745B 含有磁性體之絕緣體及使用此絕緣體的電路基板與電子設備 INSULATOR CONTAINING MAGNETIC MATERIAL AND CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME 失效
简体标题：含有磁性体之绝缘体及使用此绝缘体的电路基板与电子设备 INSULATOR CONTAINING MAGNETIC MATERIAL AND CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI380745B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW095109570
申请日：2006-03-21
申请人：國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 森本明大
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/0373 , H05K1/0233 , H05K2201/0215 , H05K2201/0266 , H05K2201/086 , Y10T428/2495
摘要：提供一種含有磁性體之絶緣體及使用此磁性體之電路基板及電子零件，磁性體之混合濃度並不較大而可得到磁導率增加之效果，藉由將由此得到之含有磁性體之絶緣體應用於電路基板，能提高特性阻抗，並得到低耗電化之效果。
含有磁性體之絶緣體10包含多數磁性體粒子1a、1b及保持該多數磁性體粒子1a、1b之絶緣體2，該磁性體粒子群至少由多數粒徑構成。
简体摘要：提供一种含有磁性体之绝缘体及使用此磁性体之电路基板及电子零件，磁性体之混合浓度并不较大而可得到磁导率增加之效果，借由将由此得到之含有磁性体之绝缘体应用于电路基板，能提高特性阻抗，并得到低耗电化之效果。含有磁性体之绝缘体10包含多数磁性体粒子1a、1b及保持该多数磁性体粒子1a、1b之绝缘体2，该磁性体粒子群至少由多数粒径构成。

65. 发明专利

TW201230888A 電漿處理裝置及電漿處理方法（二）审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法（二）
公开(公告)号：TW201230888A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100124856
申请日：2011-07-14
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H , H01J
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32541
摘要：本發明之課題係提供一種電漿處理裝置,可對傳輸於導波管(形成在電極處)之高頻進行控制。該電漿處理裝置係具備有:真空容器,其內部具有載置基板之載置台以及於該載置台上方產生電漿之電漿空間;複數電極對,係分離於第1電極部與第2電極部這2個電極部,於真空容器內部隔著間隔而配置排列;以及複數同軸管,係以橫越2個電極部的方式設置,對真空容器內部供給用以激發電漿之高頻;複數同軸管之內部導體係連接於2個電極部當中之一者,外部導體係連接於另一者,從複數同軸管所供給之高頻在傳輸於形成在2個電極部間之導波管之後,再從設置於導波管之介電體板的電漿露出面釋放至真空容器而激發電漿。
简体摘要：本发明之课题系提供一种等离子处理设备,可对传输于导波管(形成在电极处)之高频进行控制。该等离子处理设备系具备有:真空容器,其内部具有载置基板之载置台以及于该载置台上方产生等离子之等离子空间;复数电极对,系分离于第1电极部与第2电极部这2个电极部,于真空容器内部隔着间隔而配置排列;以及复数同轴管,系以横越2个电极部的方式设置,对真空容器内部供给用以激发等离子之高频;复数同轴管之内部导体系连接于2个电极部当中之一者,外部导体系连接于另一者,从复数同轴管所供给之高频在传输于形成在2个电极部间之导波管之后,再从设置于导波管之介电体板的等离子露出面释放至真空容器而激发等离子。

66. 发明专利

TW201134330A 電漿處理裝置及印刷電路板之製造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT BOARD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及印刷电路板之制造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT BOARD
公开(公告)号：TW201134330A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099124920
申请日：2010-07-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： H05K , C23C
CPC分类号： H05K3/16 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/568 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2203/095 , H05K2203/1572
摘要：本發明之目的在於提供一種電路板電漿處理裝置,其在電路板的製造步驟中採用濺鍍處理程序,以提高產能並降低運轉成本。本發明之電路板電漿處理裝置,在同一電漿處理室內,具備電漿源,並具備對被處理基板進行前處理的表面處理部,以及形成由複數膜層所構成之種晶層的複數濺鍍成膜部。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种电路板等离子处理设备,其在电路板的制造步骤中采用溅镀处理进程,以提高产能并降低运转成本。本发明之电路板等离子处理设备,在同一等离子处理室内,具备等离子源,并具备对被处理基板进行前处理的表面处理部,以及形成由复数膜层所构成之种晶层的复数溅镀成膜部。

67. 发明专利

TW201133902A 光電轉換裝置 PHOTOELECTRIC CONVERTER 失效
简体标题：光电转换设备 PHOTOELECTRIC CONVERTER
公开(公告)号：TW201133902A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099125476
申请日：2010-07-30
申请人：國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/052 , H01L31/02167 , H01L31/046 , H01L31/075 , Y02E10/548
摘要：本發明旨在提供一光電轉換裝置,其包含適用於設有散熱機構之構造之鈍化層。本發明之光電轉換裝置1,具有:第1電極層20、具備由a-Si(非晶矽)所形成之nip構造的單一發電疊層體22、以及介由鎳層24成膜於該發電疊層體22上之Al之第2電極層26。於第2電極層26上,形成由含有SiCN之材料所構成的鈍化層28。於鈍化層28上,介由黏著劑層29安裝著散熱體30(例如,由Al所形成)。
简体摘要：本发明旨在提供一光电转换设备,其包含适用于设有散热机构之构造之钝化层。本发明之光电转换设备1,具有:第1电极层20、具备由a-Si(非晶硅)所形成之nip构造的单一发电叠层体22、以及介由镍层24成膜于该发电叠层体22上之Al之第2电极层26。于第2电极层26上,形成由含有SiCN之材料所构成的钝化层28。于钝化层28上,介由黏着剂层29安装着散热体30(例如,由Al所形成)。

68. 发明专利

TW201113976A 半導體製造及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造及其制造方法
公开(公告)号：TW201113976A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099101000
申请日：2010-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：根本剛直 , 大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/02071 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種半導體製造及其製造方法,其係將具有金屬鑲嵌導線構造的半導體裝置所形成之導線表面的氧化物部選擇性地去除。在製造具有金屬鑲嵌導線構造的半導體裝置之際,係以Xe電漿針對導線表面進行逆濺鍍處理。本發明藉由以Xe電漿氣體進行逆濺鍍處理,可將導線表面的氧化物部等選擇性地且有效率地去除,並避免金屬鑲嵌導線構造中,上下導線間的接觸電阻增加。又,可抑制對形成於導線上之CF等絕緣膜的損傷,並抑制絕緣膜的介電率變動。
简体摘要：本发明系关于一种半导体制造及其制造方法,其系将具有金属镶嵌导线构造的半导体设备所形成之导线表面的氧化物部选择性地去除。在制造具有金属镶嵌导线构造的半导体设备之际,系以Xe等离子针对导线表面进行逆溅镀处理。本发明借由以Xe等离子气体进行逆溅镀处理,可将导线表面的氧化物部等选择性地且有效率地去除,并避免金属镶嵌导线构造中,上下导线间的接触电阻增加。又,可抑制对形成于导在线之CF等绝缘膜的损伤,并抑制绝缘膜的介电率变动。

69. 发明专利

TW201103865A 產生水分用反應爐失效
简体标题：产生水分用反应炉
公开(公告)号：TW201103865A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099112973
申请日：2010-04-23
申请人：富士金股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 皆見幸男 , 平尾圭志 , 坂本信治 , 北野真史
IPC分类号： C01B , B01J , H01L
CPC分类号： B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00
摘要：本發明的課題在於提供一種產生水分用反應爐，其係藉由對具有鉑觸媒層的反應爐內供給氫氣與氧氣，使進行催化反應，而不使燃燒，在比氫氣和氧氣之著火點低的催化反應溫度使產生高純度的水分之產生水分用反應爐，其中對於設置在母材與鉑觸媒層之間的障壁層，可長期間維持鉑觸媒層的高附著力。本發明的解決手段為具有：設有氣體入口及水分出口的反應爐本體，在前述反應爐本體的內壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁層，及在該Y2O3障壁層上的至少一部分上所成膜的鉑觸媒層。前述Y2O3障壁層的膜厚較佳為50nm～5μm。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种产生水分用反应炉，其系借由对具有铂触媒层的反应炉内供给氢气与氧气，使进行催化反应，而不使燃烧，在比氢气和氧气之着火点低的催化反应温度使产生高纯度的水分之产生水分用反应炉，其中对于设置在母材与铂触媒层之间的障壁层，可长期间维持铂触媒层的高附着力。本发明的解决手段为具有：设有气体入口及水分出口的反应炉本体，在前述反应炉本体的内壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁层，及在该Y2O3障壁层上的至少一部分上所成膜的铂触媒层。前述Y2O3障壁层的膜厚较佳为50nm～5μm。

70. 发明专利

TWI334913B 樹脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL 失效
简体标题：树脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL
公开(公告)号：TWI334913B
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：TW096110735
申请日：2007-03-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 霓佳斯股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 岩原健吾 , 深江康治
IPC分类号： F16L , B32B
CPC分类号： B32B1/08 , B29K2027/12 , B29K2995/0067 , B29L2023/005 , B32B27/08 , B32B27/304 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B2307/7244 , B32B2597/00 , C08L27/16 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C08L2666/04
摘要：於一樹脂管件中，為聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可藉由添加全氟單體至其中加以軟化，以致於能夠明顯地降低氧滲透度，也能夠藉由設置一作為外層之尼龍管以降低該氧滲透度。
简体摘要：于一树脂管件中，为聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可借由添加全氟单体至其中加以软化，以致于能够明显地降低氧渗透度，也能够借由设置一作为外层之尼龙管以降低该氧渗透度。

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