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51. 发明申请

WO2010111986A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BAUELEMENTANORDNUNG MIT MEHREREN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件，光电子器件及分量布置具有多个亚光电子组件
公开(公告)号：WO2010111986A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/DE2009/000477
申请日：2009-04-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/00 , H01L33/46 , H01L33/30 , H01L33/22 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit folgenden Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats mit einer darauf angeordneten Halbleiterschicht zur Erzeugung einer im Betrieb aktiven Zone, B) Aufbringen von Trennstrukturen auf der Halbleiterschicht, C) Aufbringen einer Vielzahl von Kupferschichten auf der Halbleiterschicht in den durch die Trennstrukturen begrenzten Bereichen, D) Entfernen der Trennstrukturen, E) Aufbringen einer Schutzschicht zumindest auf den lateralen Flächen der Kupferschichten, F) Aufbringen eines Hilfssubstrats auf der Kupferschicht, G) Entfernen des Aufwachssubstrats, H) Vereinzeln des Verbunds aus der Halbleiterschicht, der Kupferschichten und dem Hilfssubstrat zu voneinander getrennten Bauelementen sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement und eine Bauelementanordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种生产包括以下步骤光电器件：a。提供在生长衬底与在其上的半导体层提供）以产生活性在工况区，B）施加释放结构的半导体层，C）在半导体层上施加多个铜层的上在通过分离结构的区域，D）去除分离的结构，e）至少铜层，F）在铜层上施加辅助基板，g）除去生长基板，H）从半导体层分离所述复合材料的侧表面上施加保护层围成的区域中，铜层和辅助基板以分离的部件，以及通过该方法分量和元件组件制造的产品的。

52. 发明申请

WO2010045907A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2010045907A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/DE2009/001322
申请日：2009-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.
摘要翻译：它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列（3），其包括n型掺杂区域（4），p掺杂区（8）和n掺杂区域（4）之间和p掺杂包含布置区域（5）（8）所示的活性区域。 p掺杂区（8）包含（7）制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层，其中0 = X = 1，0 = Y = 1且x + y = 1，p型接触层（7）相邻的连接层（9），在界面处由金属，金属合金或，p接触层（7）上的透明导电氧化物与连接层（9）第一结构域（1）（用Ga面取向区域和第二区域 2）用N面取向。

53. 发明申请

WO2009132641A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2009132641A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009/000629
申请日：2009-04-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 μm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.
摘要翻译：公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（1）（2）触头（5）通过电流扩散层（3）电接触。触头（5），其覆盖约1％ - 半导体层序列（2）的表面的8％。例如触头（5）包括被布置在具有12微米的晶格常数的规则栅格（52）的结点分离的接触点（51）。电流扩散层（3）包括，例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15纳米至60纳米的范围内。

54. 发明申请

WO2009121319A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009121319A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000354
申请日：2009-03-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/45 , H01L21/225
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Schicht (23) zwischen einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21) und einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (22) auf. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist einer Vorderseite (110) der Halbleiterschichtenfolge (2) benachbart. Die Halbleiterschichtenfolge (2) enthält mindestens eine Ausnehmung (3), die sich von einer der Vorderseite (110) gegenüberliegenden Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch die aktive Schicht (23) hindurch zur Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) erstreckt. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (5), welche die Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Der Halbleiterchip enthält im Bereich der Ausnehmung (3) eine Übergangsschicht (20), die eine Materialzusammensetzung aus Material der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und aus Material der ersten elektrischen Anschlussschicht (5) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片。半导体芯片具有预期用于第一导电类型（21）和第二导电类型（22）的层构成的层之间产生辐射活性层（23）的半导体层序列（2）。第一导电类型（21）的层是相邻的半导体层序列（2）的前侧（110）。半导体层序列（2）包含通过对第一导电类型（21）的层（3）从通过有源层（23）的半导体层序列（2）的前侧（110）相对的后侧（120）中的一个延伸的至少一个凹部。由（5）覆盖所述半导体层序列（2）中的至少在通过电连接由凹部（3）所覆盖的地方的背面（120）的第一电连接层的装置中的第一导电类型（21）的层。该半导体芯片包括具有在所述凹部的区域中的第一导电类型（21）的材料层的材料组成的过渡层（20），（3）和从所述第一电连接层的材料（5）。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

55. 发明申请

WO2009106063A1 MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：铁板一块，光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106063A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000267
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die in wenigstens zwei elektrisch isolierte Teilsegmente unterteilt ist. In jedem Teilbereich weist die Halbleiterschichtenfolge aktive Schicht auf. Des Weiteren sind wenigstens drei elektrische Kontaktpads vorgesehen. Eine erste Leitungsebene kontaktiert ein erstes der wenigstens zwei Teilsegmente sowie das erste Kontaktpad. Eine zweite Leitungsebene kontaktiert das zweite der wenigstens zwei Teilsegmente und ein zweites Kontaktpad. Eine dritte Leitungsebene verbindet beide Teilsegmente miteinander und kontaktiert das dritte Kontaktpad. Des Weiteren sind die Leitungsebenen jeweils einer ersten Hauptseite gegenüber angeordnet, wobei die erste Hauptseite zur Emission erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括被分成至少两个电隔离的子部分的半导体层序列。在每一个局部区域，所述有源层上的半导体层序列。此外，提供至少三个电接触垫。第一导管平面通过第一所述至少两个子节段的接触，并且所述第一接触垫。第二条线平面由所述至少两个部分中的第二接触，第二接触垫。第三导管平面连接两个子段对于彼此和所述第三接触垫接触。此外，导体平面分别设置在第一主侧相对的，提供一种用于电磁辐射的发射产生的第一页。

56. 发明申请

WO2009039812A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009039812A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001424
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.
摘要翻译：的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

57. 发明申请

WO2008089728A2 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2008089728A2
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000081
申请日：2008-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht verbundene Spiegelschicht auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht angeordnet.
摘要翻译：公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片具有传导地连接到n型层的反射镜层。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明介电层。

58. 发明申请

WO2022223284A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS MIT KAVITÄT UND BAUTEIL MIT KAVITÄT 审中-公开
公开(公告)号：WO2022223284A1
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：PCT/EP2022/058954
申请日：2022-04-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： Es wird ein Bauteil (10) mit einem Träger (1), zumindest einem Halbleiterchip (2), einer Zwischenschicht (3) und einer Deckschicht (4) angegeben, wobei - der Halbleiterchip (2), die Zwischenschicht (3) und die Deckschicht (4) auf dem Träger (1) angeordnet sind, - die Deckschicht (4) zumindest eine Kavität (40) aufweist, in der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, - die Zwischenschicht (3) elektrisch isolierend ausgeführt ist und entlang vertikaler Richtung bereichsweise zwischen dem Träger (1) und der Deckschicht (4) angeordnet ist, - sich die Zwischenschicht (3) entlang lateraler Richtung in die Kavität (40) hinein erstreckt und an den Halbleiterchip (2) angrenzt, und - die Deckschicht (4) eine vertikale Höhe (4H) aufweist, die abhängig von den lateralen Positionen der Deckschicht (4) unterschiedlich ist und an den Positionen der Zwischenschicht (3) eine verringerte vertikale Höhe (4H) aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) angegeben.

59. 发明申请

WO2019091948A1 BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BAUTEILEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019091948A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/EP2018/080249
申请日：2018-11-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： RÜGHEIMER, Tilman , SCHWARZ, Thomas , HÖPPEL, Lutz , PLÖSSL, Andreas , PFEUFFER, Alexander F.
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L25/16 , H01L33/52 , H01L33/62 , G01R31/26
摘要： Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Zwischenträger (90), einer Mehrzahl von darauf angeordneten Bauteilen (10) und einer Mehrzahl von Halteelementen (3, 3A, 3B), bei dem die Bauteile jeweils zumindest zwei elektrische Bauelemente (1, 1A, 1B) und eine Isolierungsschicht (2) aufweisen, wobei mindestens eines der elektrischen Bauelemente des Bauteils ein optoelektronischer Halbleiterchip (1, 1A) ist. Die Isolierungsschicht ist bereichsweise zwischen den elektrischen Bauelementen desselben Bauteils angeordnet, wobei die zumindest zwei elektrischen Bauelemente desselben Bauteils nebeneinander angeordnet und jeweils von der Isolierungsschicht lateral umschlossen sind, sodass die zumindest zwei elektrischen Bauelemente und die Isolierungsschicht desselben Bauteils als integrale Bestandteile einer selbsttragenden und mechanisch stabilen Einheit ausgeführt sind und die selbsttragende und mechanisch stabile Einheit bilden. Die Halteelemente fixieren die Positionen der Bauteile auf dem Zwischenträger, wobei die Bauteile als selbsttragende und mechanisch stabile Einheiten vom Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind und die Halteelemente beim Abnehmen der Bauteile diese unter mechanischer Belastung freigeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteilverbunds angegeben.

60. 发明申请

WO2017158046A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：发光半导体芯片及用于制造发光半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2017158046A1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：PCT/EP2017/056153
申请日：2017-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/40
摘要： Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip angegeben, bei demsich ein Halbleiterkörper (2) zu einer Lichtaustrittsseite (100 a) hin aufweitet, -ein dielektrischer Spiegel (4) an einer der Lichtaustrittsseite (100 a) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (2) angeordnet ist, -ein metallischer Spiegel (7) an der dem Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite des dielektrischen Spiegels (4) angeordnet ist, -der metallische Spiegel (7) durch zumindest eine Öffnung (6) im dielektrischen Spiegel (4) den Halbleiterkörper (2) elektrisch kontaktiert, und der dielektrische Spiegel (4) abgesehen von der zumindest einen Öffnung (6) den Halbleiterkörper (2) an seiner der Lichtaustrittsseite (100a) abgewandten Seite vollständig überdeckt.
摘要翻译：
它是在demsich一个Halbleiterk＆OUML所示的发光半导体芯片;主体（2）到光输出侧（100）朝膨胀，（4）从光出射侧的一个背向-a介电镜（100）在电介质反射镜（4）的背离半导体本体（2）侧的一侧上设置有金属反射镜（7），该金属反射镜（7）至少由一个金属反射镜（7）布置。在介质镜4中的开口6与半导体本体2电接触，并且介电反射镜4与半导体本体2在其光出射侧的至少一个开口6隔开。 100a）在完全覆盖的另一侧

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